一種電阻測試結構制造技術

本實用新型專利技術提供一種電阻測試結構包括：第一待測電阻，所述第一待測電阻包括第一體電阻及分別連接于第一體電阻兩端的第一頭電阻及第二頭電阻，所述第一頭電阻與第一測試端以及電源端連接，所述第二頭電阻與第二測試端以及電源端連接；所述第一體電阻的第一端延伸第一支路電阻，所述第一支路電阻與第三測試端連接，所述第一體電阻的第二端延伸第二支路電阻，所述第二支路電阻與第四測試端連接。本實用新型專利技術提供了一種電阻測試結構，用于解決現有技術中無法區分體電阻和接觸電阻結構變化對電阻失配的影響問題。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種電阻測試結構，特別是涉及一種電阻失配測試結構。
技術介紹
高性能混合信號集成電路IC設計中的射頻電路電阻的匹配設計是非常重要的，而且電阻的失配模型一般是由晶圓代工廠提供的。如圖1所示，目前，一般通過采用開爾文(Kelvin)測試法分別檢測單個電阻的電阻值，來判斷每對電阻的失配特點。但開爾文(Kelvin)測試法，就是通常所說的四線測試方式，存在以下問題：如圖1所示，使用這種測試方法時，每個電阻需要四個探針墊(probe pads)，那么一對匹配電阻(matched resistor pairs)就需要八個襯墊(pads)。就硅面積的使用而言，這使得匹配電阻對變得相對昂貴，所以，需要減少pad的數量。另外，電阻結構變化也會引起電阻失配。如圖1所示的開爾文(Kelvin)測試結構，包括電阻1，分別位于電阻兩端的電源端3(froce pad)和測試端2(sense pad)。測試時，通過在兩電源端3施加電流，并測量兩測試端2的電壓差。通過歐姆定律，即可得到兩測試端2之間的電阻的電阻值。然而，兩測試端2之間的電阻通常包括性能差異比較大的體電阻和頭電阻(例如，接觸電阻)。其中，體電阻(resister body)結構變化引起的電阻值失配，主要由摻雜量的波動，晶界和缺陷等引起；電阻(resister head)結構變化引起的電阻值失配，主要與接觸電阻(contact resistance)的波動和(for poly and diffusion resistors)硅化物的粗糙度有關。所以，為了更精確地對電阻失配原因進行解釋和建模，需要區分體電阻和頭電阻(接觸電阻)結構變化對電阻失配的影響。
技術實現思路
鑒于以上所述現有技術的缺點，本技術的目的在于提供一種電阻測試結構，用于解決現有技術中無法區分體電阻和接觸電阻結構變化對電阻失配的影響問題。為實現上述目的及其他相關目的，本技術提供一種電阻測試結構包括：第一待測電阻，所述第一待測電阻包括第一體電阻及分別連接于第一體電阻兩端的第一頭電阻及第二頭電阻，所述第一頭電阻與第一測試端以及電源端連接，所述第二頭電阻與第二測試端以及電源端連接；所述第一體電阻的第一端延伸第一支路電阻，所述第一支路電阻與第三測試端連
接，所述第一體電阻的第二端延伸第二支路電阻，所述第二支路電阻與第四測試端連接。優選地，電源端包括第一電源端以及第二電源端；第一電源端以及第二電源端連接正負極，且第一測試端與第二測試端之間電性連接，或者第三測試端與第四測試端之間電性連接。優選地，還包括第二待測電阻；第二待測電阻，所述第二待測電阻包括第二體電阻及分別連接于第二體電阻兩端的第三頭電阻及第四頭電阻，所述第三頭電阻與第五測試端以及電源端連接，所述第四頭電阻與第六測試端以及電源端連接；所述第二體電阻的第一端延伸第三支路電阻，所述第三支路電阻與第七測試端連接，所述第二體電阻的第二端延伸第四支路電阻，所述第四支路電阻與第八測試端連接。優選地，電源端包括第一電源端，第二電源端，第三電源端以及第四電源端；第一頭電阻與第一電源端連接，所述第二頭電阻與第二電源端連接；所述第三頭電阻與第三電源端連接，所述第四頭電阻與第四電源端連接。優選地，第一電源端以及第二電源端連接正負極，且第一測試端與第二測試端之間電性連接，或者第三測試端與第四測試端之間電性連接；第三電源端以及第四電源端連接正負極，且第五測試端與第六測試端之間電性連接，或者第七測試端與第八測試端之間電性連接。優選地，電源端包括第一電源端以及第二電源端；第一頭電阻以及第三頭電阻與第一電源端連接，所述第二頭電阻以及第四頭電阻與第二電源端連接。優選地，第一電源端以及第二電源端連接正負極且第一測試端與第二測試端之間電性連接，第三測試端與第四測試端之間電性連接，第五測試端與第六測試端之間電性連接，或者第七測試端與第八測試端之間電性連接。優選地，測試端通過通孔以及金屬層與頭電阻或者體電阻相連。優選地，電源端通過通孔以及金屬層與頭電阻相連。優選地，第一待測電阻，第二待測電阻，第一支路電阻，第二支路電阻，第三支路電阻以及第四支路電阻為多晶硅電阻和擴散電阻中的一種或多種。如上所述，本技術的電阻測試結構，具有以下有益效果：本技術提供了一種多晶硅/擴散電阻失配特性的測試結構，可以更精確地對電阻失配原因進行解釋和建模，不僅能區分體電阻和頭電阻(接觸電阻)結構變化對電阻失配的影響，還可以檢測兩個電阻間的失配特性，并通過進一步優化減少了襯墊的個數。附圖說明圖1顯示為本技術(現有技術中)的一種電阻測試結構示意圖。圖2顯示為本技術的一種電阻測試結構示意圖。圖3顯示為本技術的一種電阻測試結構示意圖。圖4顯示為本技術的一種電阻測試結構示意圖。元件標號說明1 電阻 201 第二體電阻2 測試端 202 第三頭電阻3 電源端 203 第四頭電阻101 第一體電阻 231 第三支路電阻102 第一頭電阻 232 第四支路電阻103 第二頭電阻 110,111,210,211 電源端131 第一支路電阻 121,122,123,124, 測試端132 第二支路電阻 221,222,223,224300 金屬層 400 通孔具體實施方式以下由特定的具體實施例說明本技術的實施方式，熟悉此技術的人士可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本技術的其他優點及功效。請參閱圖2至圖4。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士了解與閱讀，并非用以限定本技術可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本技術所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本技術所揭示的
技術實現思路
得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本技術可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更
技術實現思路
下，當亦視為本技術可實施的范疇。實施例一如圖2所示，本實施提供一種電阻測試結構包括：第一待測電阻。第一待測電阻包括第一體電阻101及分別連接于第一體電阻101兩端的第一頭電阻102及第二頭電阻103。第一頭電阻102與第一測試端121以及第一電源端110通過一個共用通孔400以及金屬層300連接。第二頭電阻103與第二測試端122以及第二電源端111通過一個共用通孔400以及金屬層300連接。第一體電阻101的第一端延伸第一支路電阻131，第
一支路電阻131與第三測試端123通過一個通孔40本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種電阻測試結構，其特征在于，所述電阻測試結構包括：第一待測電阻，所述第一待測電阻包括第一體電阻及分別連接于第一體電阻兩端的第一頭電阻及第二頭電阻，所述第一頭電阻與第一測試端以及電源端連接，所述第二頭電阻與第二測試端以及電源端連接；所述第一體電阻的第一端延伸第一支路電阻，所述第一支路電阻與第三測試端連接，所述第一體電阻的第二端延伸第二支路電阻，所述第二支路電阻與第四測試端連接。

【技術特征摘要】
1.一種電阻測試結構，其特征在于，所述電阻測試結構包括：第一待測電阻，所述第一待測電阻包括第一體電阻及分別連接于第一體電阻兩端的第一頭電阻及第二頭電阻，所述第一頭電阻與第一測試端以及電源端連接，所述第二頭電阻與第二測試端以及電源端連接；所述第一體電阻的第一端延伸第一支路電阻，所述第一支路電阻與第三測試端連接，所述第一體電阻的第二端延伸第二支路電阻，所述第二支路電阻與第四測試端連接。2.根據權利要求1所述的電阻測試結構，其特征在于：所述電源端包括第一電源端以及第二電源端，所述第一電源端以及第二電源端連接正負極，且所述第一測試端與第二測試端之間電性連接，或者所述第三測試端與第四測試端之間電性連接。3.根據權利要求1所述的電阻測試結構，其特征在于：還包括第二待測電阻，所述第二待測電阻包括第二體電阻及分別連接于第二體電阻兩端的第三頭電阻及第四頭電阻，所述第三頭電阻與第五測試端以及電源端連接，所述第四頭電阻與第六測試端以及電源端連接；所述第二體電阻的第一端延伸第三支路電阻，所述第三支路電阻與第七測試端連接，所述第二體電阻的第二端延伸第四支路電阻，所述第四支路電阻與第八測試端連接。4.根據權利要求3所述的電阻測試結構，其特征在于：所述電源端包括第一電源端，第二電源端，第三電源端以及第四電源端，所述第一頭電阻與第一電源端連接，所述第二頭電阻與第二電源端連接；所述第三頭電阻與第三電源端...

【專利技術屬性】
技術研發人員：甘正浩，馮軍宏，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造北京有限公司，中芯國際集成電路制造上海有限公司，
類型：新型
國別省市：北京;11