The invention provides a method for transferring a micro light emitting diode on a curved substrate and a method for manufacturing a surface micro light emitting diode display panel. The substrate transfer method to surface micro light emitting diode of the invention, the two micro transfer process will transfer to the substrate surface micro light emitting diode, which, in the second micro transfer process, with the second flexible transfer substrate feeding pickup micro light emitting diode, and then with the substrate surface shape deformed and attached to the surface of the substrate, which will be picked up by a micro light emitting diode placed on the surface of the substrate, the substrate surface transfer micro light emitting diode in the cambered surface, spherical surface, which can be further used for making surface micro light emitting diode display pixel array panel, which is used to realize the surface display effect.
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及顯示
,尤其涉及一種在曲面基板上轉(zhuǎn)印微發(fā)光二極管的方法及曲面微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法。
技術(shù)介紹
微發(fā)光二極管(Micro LED)是一種尺寸在幾微米到幾百微米之間的器件,由于其較普通LED的尺寸要小很多,從而使得單一的LED作為像素(Pixel)用于顯示成為可能,Micro LED顯示器便是一種以高密度的Micro LED陣列作為顯示像素陣列來實現(xiàn)圖像顯示的顯示器,同大尺寸的戶外LED顯示屏一樣,每一個像素可定址、單獨驅(qū)動點亮,可以看成是戶外LED顯示屏的縮小版,將像素點距離從毫米級降低至微米級,Micro LED顯示器和有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器一樣屬于自發(fā)光顯示器,但Micro LED顯示器相比于OLED顯示器還具有材料穩(wěn)定性更好、壽命更長、無影像烙印等優(yōu)點,被認為是OLED顯示器的最大競爭對手。由于晶格匹配的原因,Micro LED器件必須先在藍寶石類的供給基板上通過分子束外延的方法生長出來,隨后通過激光剝離(Laser lift-off,LLO)技術(shù)將微發(fā)光二極管裸芯片(bare chip)從供給基板上分離開,然后通過微轉(zhuǎn)印(Micro Transfer Print,NTP)技術(shù)將其轉(zhuǎn)移到已經(jīng)預先制備完成電路圖案的接收基板上,形成Micro LED陣列,進而做成Micro LED顯示面板。其中,微轉(zhuǎn)印的基本原理大致為:使用具有圖案化的傳送頭(Transfer head),例如具有凸起結(jié)構(gòu)的聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS) ...
【技術(shù)保護點】
一種在曲面基板上轉(zhuǎn)印微發(fā)光二極管的方法,其特征在于,包括如下步驟:步驟1、提供第一傳送頭(51)、載體基板(10)、及中轉(zhuǎn)基板(30),所述載體基板(10)上具有數(shù)個微發(fā)光二極管(21),利用所述第一傳送頭(51)進行第一次微轉(zhuǎn)印制程,在第一次微轉(zhuǎn)印制程中,所述第一傳送頭(51)拾取所述載體基板(10)上的微發(fā)光二極管(21),然后將所拾取的所述微發(fā)光二極管(21)放置于中轉(zhuǎn)基板(30)上,在中轉(zhuǎn)基板(30)上形成第一微發(fā)光二極管陣列;步驟2、提供第二傳送頭(52)、及曲面基板(20),所述第二傳送頭(52)具有柔性,利用所述第二傳送頭(52)進行第二次微轉(zhuǎn)印制程,在第二次微轉(zhuǎn)印制程中,所述第二傳送頭(52)拾取所述中轉(zhuǎn)基板(30)上的微發(fā)光二極管(21),然后載有微發(fā)光二極管(21)的第二傳送頭(52)隨所述曲面基板(20)的形狀發(fā)生形變而貼附于所述曲面基板(20)上,將所拾取的微發(fā)光二極管(21)放置于曲面基板(20)上,在曲面基板(20)上形成第二微發(fā)光二極管陣列。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種在曲面基板上轉(zhuǎn)印微發(fā)光二極管的方法,其特征在于,包括如下步驟:步驟1、提供第一傳送頭(51)、載體基板(10)、及中轉(zhuǎn)基板(30),所述載體基板(10)上具有數(shù)個微發(fā)光二極管(21),利用所述第一傳送頭(51)進行第一次微轉(zhuǎn)印制程,在第一次微轉(zhuǎn)印制程中,所述第一傳送頭(51)拾取所述載體基板(10)上的微發(fā)光二極管(21),然后將所拾取的所述微發(fā)光二極管(21)放置于中轉(zhuǎn)基板(30)上,在中轉(zhuǎn)基板(30)上形成第一微發(fā)光二極管陣列;步驟2、提供第二傳送頭(52)、及曲面基板(20),所述第二傳送頭(52)具有柔性,利用所述第二傳送頭(52)進行第二次微轉(zhuǎn)印制程,在第二次微轉(zhuǎn)印制程中,所述第二傳送頭(52)拾取所述中轉(zhuǎn)基板(30)上的微發(fā)光二極管(21),然后載有微發(fā)光二極管(21)的第二傳送頭(52)隨所述曲面基板(20)的形狀發(fā)生形變而貼附于所述曲面基板(20)上,將所拾取的微發(fā)光二極管(21)放置于曲面基板(20)上,在曲面基板(20)上形成第二微發(fā)光二極管陣列。2.如權(quán)利要求1所述的在曲面基板上轉(zhuǎn)印微發(fā)光二極管的方法,其特征在于,所述第一傳送頭(51)上設(shè)有電極,所述第一傳送頭(51)通過靜電力對所述微發(fā)光二極管(21)進行微轉(zhuǎn)印。3.如權(quán)利要求1所述的在曲面基板上轉(zhuǎn)印微發(fā)光二極管的方法,其特征在于,所述第一傳送頭(51)為PDMS傳送頭,具有PDMS層,所述第一傳送頭(51)利用PDMS層對所述微發(fā)光二極管(21)的吸附力進行微轉(zhuǎn)印。4.如權(quán)利要求1所述的在曲面基板上轉(zhuǎn)印微發(fā)光二極管的方法,其特征在于,所述第二傳送頭(52)包括柔性PDMS膜(521),所述柔性PDMS膜(521)具有吸附面,所述第二傳送頭(52)通過所述柔性PDMS膜(521)的吸附面拾取所...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:陳黎暄,
申請(專利權(quán))人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:廣東;44
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