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    一種虛擬曲面顯示面板及顯示裝置制造方法及圖紙

    技術編號:14214197 閱讀:175 留言:0更新日期:2016-12-19 00:43
    本實用新型專利技術公開了一種虛擬曲面顯示面板及顯示裝置,利用微納米光柵結構的分光原理,將各微納米光柵結構的成像高度設計成相對于顯示面豎直的中心對稱軸呈對稱分布,且位于中心對稱軸同一側的各微納米光柵結構中與中心對稱軸距離相等的各微納米光柵結構的成像高度相同,與中心對稱軸距離不等的各微納米光柵結構的成像高度互不相等,通過調整各微納米光柵結構的成像高度從而使平面顯示面板中各像素單元所成像的像距不同,調整為成像形成的圖像在空間呈一曲面,實現了在平面顯示上顯示虛擬曲面的畫面效果,增強了觀看的視覺沖擊效果。

    【技術實現步驟摘要】

    本技術涉及顯示
    ,尤其涉及一種虛擬曲面顯示面板及顯示裝置
    技術介紹
    曲面顯示屏更能滿足人們的視覺感受,使用曲面顯示,可以讓用戶的視覺體驗更加舒適,畫面臨場感更逼真,可帶來較佳的沉浸式效果。現有技術為了實現曲面顯示,通常通過對平面顯示面板進行物理機械彎曲而形成曲面顯示面板,但這種實現曲面顯示的方式由于邊緣場的變形,會造成顯示面板的漏光以及色彩顯示異常等問題。另外,現有技術為了實現曲面顯示,顯示面板內部的諸多模組都得有柔性的設計,這樣產品的良率較低,相應的產品的成本較高。
    技術實現思路
    有鑒于此,本技術實施例提供了一種虛擬曲面顯示面板及顯示裝置,用以在平面顯示上顯示出虛擬曲面的畫面效果。因此,本技術實施例提供了一種虛擬曲面顯示面板,包括:具有呈矩陣排布的多個像素單元的平面顯示面板,以及用于使各所述像素單元的成像形成的圖像在空間呈一曲面的微納米光柵結構陣列;其中,所述微納米光柵結構陣列包括呈陣列排布的多個微納米光柵結構;各所述微納米光柵結構的成像高度以相對于所述顯示面豎直的中心對稱軸呈對稱分布,且位于所述中心對稱軸同一側的各所述微納米光柵結構中與所述中心對稱軸距離相等的各所述微納米光柵結構的成像高度相同,與所述中心對稱軸距離不等的各所述微納米光柵結構的成像高度互不相等。在一種可能的實現方式中,在本技術實施例提供的上述虛擬曲面顯示面板中,各所述微納米光柵結構的成像高度隨著所述微納米光柵結構與所述中心對稱軸距離的增大而依次遞增。在一種可能的實現方式中,在本技術實施例提供的上述虛擬曲面顯示面板中,各所述微納米光柵結構的成像高度隨著光柵周期的增大而增大。在一種可能的實現方式中,在本技術實施例提供的上述虛擬曲面顯示面板中,所述平面顯示面板中的一個子像素單元與所述微納米光柵結構陣列中的一個微納米光柵結構分別一一對應;或,所述平面顯示面板中的一個像素單元與所述微納米光柵結構陣列中的一個微納米光柵結構分別一一對應。在一種可能的實現方式中,在本技術實施例提供的上述虛擬曲面顯示面板中,各所述微納米光柵結構包括:緊密排列的存在不同高度的多個光柵臺階。在一種可能的實現方式中,在本技術實施例提供的上述虛擬曲面顯示面板中,一個所述微納米光柵結構包含的所述光柵臺階的數量為3-100。在一種可能的實現方式中,在本技術實施例提供的上述虛擬曲面顯示面板中,所述微納米光柵結構中對應于不同子像素單元的各光柵臺階之間的位相差為π7/6-π3/2。在一種可能的實現方式中,在本技術實施例提供的上述虛擬曲面顯示面板中,所述光柵臺階高度范圍在0-10μm。在一種可能的實現方式中,在本技術實施例提供的上述虛擬曲面顯示面板中,在各所述微納米光柵結構中,每高度最鄰近的兩個所述光柵臺階之間的高度差范圍在10nm-10μm。在一種可能的實現方式中,在本技術實施例提供的上述虛擬曲面顯示面板中,所述平面顯示面板為液晶顯示面板、電致發光顯示面板、等離子顯示面板或電子紙中的任意一種。另一方面,本技術實施例還提供了一種顯示裝置,包括本技術實施例提供的上述虛擬曲面顯示面板。本技術實施例的有益效果包括:本技術實施例提供的一種虛擬曲面顯示面板及顯示裝置,利用微納米光柵結構的分光原理,將各微納米光柵結構的成像高度設計成相對于顯示面豎直的中心對稱軸呈對稱分布,且位于中心對稱軸同一側的各微納米光柵結構中與中心對稱軸距離相等的各微納米光柵結構的成像高度相同,與中心對稱軸距離不等的各微納米光柵結構的成像高度互不相等,通過調整各微納米光柵結構的成像高度從而使平面顯示面板中各像素單元所成像的像距不同,調整為成像形成的圖像在空間呈一曲面,實現了在平面顯示上顯示虛擬曲面的畫面效果,增強了觀看的視覺沖擊效果。附圖說明圖1為本技術實施例提供的虛擬曲面顯示面板的結構示意圖;圖2為微納米光柵結構各級衍射的原理示意圖;圖3為本技術實施例提供的虛擬曲面顯示面板中采用三階光柵的原理示意圖;圖4a至圖4d分別為本技術實施例提供的虛擬曲面顯示面板在應用于液晶顯示面板時的結構示意圖;圖5為本技術實施例提供的虛擬曲面顯示面板在應用于電致發光顯示面板時的結構示意圖。具體實施方式下面結合附圖,對本技術實施例提供的虛擬曲面顯示面板及顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。附圖中各部件的形狀和大小不反映虛擬曲面顯示面板的真實比例,目的只是示意說明本
    技術實現思路
    。本技術實施例提供了一種虛擬曲面顯示面板,如圖1所示,包括:具有呈矩陣排布的多個像素單元的平面顯示面板100,以及用于使各像素單元的成像形成的圖像在空間呈一曲面的微納米光柵結構陣列200;其中,微納米光柵結構陣列200包括呈陣列排布的多個微納米光柵結構210;各微納米光柵結構210的成像高度以相對于顯示面豎直的中心對稱軸呈對稱分布,且位于中心對稱軸同一側的各微納米光柵結構210中與中心對稱軸距離相等的各微納米光柵結構210的成像高度相同,與中心對稱軸距離不等的各微納米光柵結構210的成像高度互不相等。其中,中心對稱軸指的是在顯示面上的豎直方向的軸線,該中心對稱軸一般會將顯示面分為左右對稱的兩個區域,例如在圖1中成像高度為Z4的微納米光柵結構210所在位置為中心對稱軸的位置。成像高度指的是:當一束平面波入射到一周期性的光柵結構時,該光柵結構的成像會在固定的距離周期性的出現,這個距離稱為成像高度。在具體實施時,在本技術實施例提供的上述虛擬曲面顯示面板中并不限定微納米光柵結構陣列200的設置位置。具體地,微納米光柵結構陣列200可以設置于平面顯示面板100的外部,例如圖4a和圖5所示設置在平面顯示面板100的出光面,或者如圖4b所示設置在平面顯示面板100與背光模組006之間;微納米光柵結構陣列200也可以如圖4c和圖4d所示設置于平面顯示面板100的內部,在此不做限定。并且,微納米光柵結構陣列200可以如圖4a和圖4c所示正向設置,也可以如圖4b和圖4d所示反向設置,在此不做限定。本技術實施例提供的上述虛擬曲面顯示面板,利用微納米光柵結構210的泰伯衍射效應,通過調整各微納米光柵結構210的成像高度從而使平面顯示面板100中各像素單元所成像的像距不同,調整為成像形成的圖像在空間呈一曲面排布,實現了在平面顯示上顯示虛擬曲面的畫面效果,增強了觀看的視覺沖擊效果。在具體實施時,為了能夠達到較佳的曲面顯示效果,在本技術實施例提供的上述虛擬曲面顯示面板中,如圖1所示,各微納米光柵結構210的成像高度Z隨著微納米光柵結構210與中心對稱軸距離的增大而依次遞增。即在圖1中以成像高度為Z4的微納米光柵結構210作為中心對稱軸,Z4<Z3<Z2<Z1。具體地,根據微納米光柵結構210的成像高度原理,微納米光柵結構的成像高度Z與入射光波長λ和光柵周期α有關,如下公式:其中,光柵周期指的是一個微納米光柵結構到相鄰的下一個微納米光柵結構的距離。根據上述公式可知,在入射光波長λ一定的情況下,光柵周期α越大,成像高度Z越高。在上述虛擬曲面顯示面板中,微納米光柵結構210與周圍介質的折射率一定,對于特定的波長,各微納米光柵結構210的成像高度Z隨著光柵周期α的增大而本文檔來自技高網
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    一種虛擬曲面顯示面板及顯示裝置

    【技術保護點】
    一種虛擬曲面顯示面板,其特征在于,包括:具有呈矩陣排布的多個像素單元的平面顯示面板,以及用于使各所述像素單元的成像形成的圖像在空間呈一曲面的微納米光柵結構陣列;其中,所述微納米光柵結構陣列包括呈陣列排布的多個微納米光柵結構;各所述微納米光柵結構的成像高度以相對于所述顯示面豎直的中心對稱軸呈對稱分布,且位于所述中心對稱軸同一側的各所述微納米光柵結構中與所述中心對稱軸距離相等的各所述微納米光柵結構的成像高度相同,與所述中心對稱軸距離不等的各所述微納米光柵結構的成像高度互不相等。

    【技術特征摘要】
    1.一種虛擬曲面顯示面板,其特征在于,包括:具有呈矩陣排布的多個像素單元的平面顯示面板,以及用于使各所述像素單元的成像形成的圖像在空間呈一曲面的微納米光柵結構陣列;其中,所述微納米光柵結構陣列包括呈陣列排布的多個微納米光柵結構;各所述微納米光柵結構的成像高度以相對于所述顯示面豎直的中心對稱軸呈對稱分布,且位于所述中心對稱軸同一側的各所述微納米光柵結構中與所述中心對稱軸距離相等的各所述微納米光柵結構的成像高度相同,與所述中心對稱軸距離不等的各所述微納米光柵結構的成像高度互不相等。2.如權利要求1所述的虛擬曲面顯示面板,其特征在于,各所述微納米光柵結構的成像高度隨著所述微納米光柵結構與所述中心對稱軸距離的增大而依次遞增。3.如權利要求2所述的虛擬曲面顯示面板,其特征在于,各所述微納米光柵結構的成像高度隨著光柵周期的增大而增大。4.如權利要求3所述的虛擬曲面顯示面板,其特征在于,所述平面顯示面板中的一個子像素單元與所述微納米光柵結構陣列中的一個微納米光柵結構分別一一對應;或,所述平面顯示面板中的一個...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:譚紀風王維楊亞鋒高健陳小川張粲王燦王倩馬新利
    申請(專利權)人:京東方科技集團股份有限公司
    類型:新型
    國別省市:北京;11

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