促進(jìn)植物葉茂花果生長的光源制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)提供了促進(jìn)植物葉茂花果生長的光源，其包括底座，所述底座上側(cè)設(shè)有倒錐柱狀的凹腔，所述凹腔底部設(shè)有負(fù)極焊盤、正極焊盤，所述正極焊盤上分別通過絕緣膠、導(dǎo)電銀膠粘結(jié)一短波芯片、長波芯片，所述短波芯片的負(fù)極通過金線與所述負(fù)極焊盤連接，所述短波芯片的正極通過金線與所述長波芯片的負(fù)極連接，所述長波芯片的正極通過所述導(dǎo)電銀膠與所述正極焊電連接；所述凹腔通過填充高折射硅膠將所述發(fā)光芯片密封。本實(shí)用新型專利技術(shù)提供的促進(jìn)植物葉茂花果生長的光源結(jié)構(gòu)簡單，發(fā)光效果好，耗電量少，使用壽命長，節(jié)能環(huán)保，具有對促進(jìn)植物葉茂花果生長促進(jìn)作用的光譜。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及到LED
，特別是一種具有短波和長波組合的促進(jìn)植物葉茂花果生長的LED光源。
技術(shù)介紹
LED光源是三基色組合光的一種，由于太陽光的光譜比較豐富，真正對植物葉茂生長所需要的440nm波長與660nm波長的光譜不是很多，特定發(fā)光波長的LED光源就是把促進(jìn)植物生長所需要的光波和光輻射分離出來，直接用在葉類植物生長上。其環(huán)保、節(jié)能、低價的特性，越來越廣泛地應(yīng)用在工廠化育苗和蔬菜工廠以及大棚類的蔬菜種植。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)提供了促進(jìn)植物葉茂花果生長的光源，其包括底座，所述底座上側(cè)設(shè)有倒錐柱狀的凹腔，所述凹腔底部設(shè)有負(fù)極焊盤、正極焊盤，所述正極焊盤上分別通過絕緣膠、導(dǎo)電銀膠粘結(jié)一短波芯片、長波芯片，所述短波芯片的負(fù)極通過金線與所述負(fù)極焊盤連接，所述短波芯片的正極通過金線與所述長波芯片的負(fù)極連接，所述長波芯片的正極通過所述導(dǎo)電銀膠與所述正極焊盤電連接；所述凹腔通過填充高折射硅膠將所述短波芯片、長波芯片密封。較佳地，所述負(fù)極焊盤、正極焊盤的正反兩面分別鍍有銀層。較佳地，所述負(fù)極焊盤、正極焊盤分別為銅材料制成。本技術(shù)具有以下有益效果：本技術(shù)提供的促進(jìn)植物葉茂花果生長的光源結(jié)構(gòu)簡單，發(fā)光效果好，耗電量少，使用壽命長，節(jié)能環(huán)保，具有對促進(jìn)植物葉茂花果生長促進(jìn)作用的的光譜。當(dāng)然，實(shí)施本技術(shù)的任一產(chǎn)品并不一定需要同時達(dá)到以上所述的所有優(yōu)點(diǎn)。附圖說明為了更清楚地說明本技術(shù)實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術(shù)的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本技術(shù)實(shí)施例提供的促進(jìn)植物葉茂花果生長的光源結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。本技術(shù)提供了促進(jìn)植物葉茂花果生長的光源，如圖1所示，其包括底座1，本實(shí)施例提供的底座為PPA膠體制成，底座1上側(cè)設(shè)有倒錐柱狀的凹腔，所述凹腔底部設(shè)有負(fù)極焊盤2、正極焊盤9，正極焊盤9上分別通過絕緣膠7、導(dǎo)電銀膠8粘結(jié)一短波芯片4、長波芯片6，短波芯片4的負(fù)極通過金線與負(fù)極焊盤2連接，短波芯片4的正極通過金線與長波芯片6的負(fù)極連接，長波芯片6的正極通過所述導(dǎo)電銀膠與正極焊盤9電連接；所述凹腔通過填充高折射硅膠10將短波芯片4、長波芯片6密封。本實(shí)施例中，所述短波芯片4的發(fā)光波長為440nm，長波芯片的發(fā)光波長為660nm，底座1長5.7mm寬3.0mm高0.8mm。本實(shí)施例中負(fù)極焊盤2、正極焊盤9的正反兩面分別鍍有銀層。負(fù)極焊盤2、正極焊盤9分別為銅材料制成。本技術(shù)提供的促進(jìn)植物葉茂花果生長的光源結(jié)構(gòu)簡單，發(fā)光效果好，耗電量少，使用壽命長，節(jié)能環(huán)保，具有對促進(jìn)植物葉茂花果生長促進(jìn)作用的的光譜。以上公開的本技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例只是用于幫助闡述本技術(shù)。優(yōu)選實(shí)施例并沒有詳盡敘述所有的細(xì)節(jié)，也不限制該技術(shù)僅為所述的具體實(shí)施方式。顯然，根據(jù)本說明書的內(nèi)容，可作很多的修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實(shí)施例，是為了更好地解釋本技術(shù)的原理和實(shí)際應(yīng)用，從而使所屬
技術(shù)人員能很好地理解和利用本技術(shù)。本技術(shù)僅受權(quán)利要求書及其全部范圍和等效物的限制。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
促進(jìn)植物葉茂花果生長的光源，其特征在于，包括底座，所述底座上側(cè)設(shè)有倒錐柱狀的凹腔，所述凹腔底部設(shè)有負(fù)極焊盤、正極焊盤，所述正極焊盤上分別通過絕緣膠、導(dǎo)電銀膠粘結(jié)一短波芯片、長波芯片，所述短波芯片的負(fù)極通過金線與所述負(fù)極焊盤連接，所述短波芯片的正極通過金線與所述長波芯片的負(fù)極連接，所述長波芯片的正極通過所述導(dǎo)電銀膠與所述正極焊盤電連接；所述凹腔通過填充高折射硅膠將所述短波芯片、長波芯片密封。

【技術(shù)特征摘要】
1.促進(jìn)植物葉茂花果生長的光源，其特征在于，包括底座，所述底座上側(cè)設(shè)有倒錐柱狀的凹腔，所述凹腔底部設(shè)有負(fù)極焊盤、正極焊盤，所述正極焊盤上分別通過絕緣膠、導(dǎo)電銀膠粘結(jié)一短波芯片、長波芯片，所述短波芯片的負(fù)極通過金線與所述負(fù)極焊盤連接，所述短波芯片的正極通過金線與所述長波芯片的負(fù)極連接，所述長波芯片的正極...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李大欽，安力，
申請(專利權(quán))人：合肥英特節(jié)能科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：安徽;34