提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法技術

本發明專利技術提供了一種提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法，包括：將MOS器件的電壓操作范圍劃分成至少兩個電壓區域；針對所述至少兩個電壓區域中的每個電壓區域，分別提取所述MOS器件的仿真模型，從而得到至少兩個仿真模型；針對MOS器件的電壓操作范圍中的特定操作電壓，應用所述至少兩個仿真模型中的相應仿真模型。根據本發明專利技術的提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法通過劃分多個區域來進行分別建模，從而有效地提高了MOS器件在模擬電路仿真模型的精準性。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體制造及設計領域，更具體地說，本專利技術涉及一種用于提高MOS(metal-oxide-semiconductor，金屬氧化物半導體場效應管)器件用于模擬電路仿真模型的精準性的方法。
技術介紹
在半導體工藝技術中，電路設計者是通過在特定仿真器中(如HSPICE)使用仿真模型來進行電路仿真，從而選擇相應的器件和進行功能設計。尤其是在模擬電路中，模型在各方面的精準性更加決定性地左右著電路最終的性能。所以，對于MOS器件在模擬電路中的仿真模型的要求尤其高。在根據現有技術的MOS器件模擬應用模型中，MOS器件模擬應用模型的電壓范圍覆蓋從線性區域到飽和區域的所有范圍。但是，這種模型范圍往往不能滿足模擬應用的要求，尤其是低電壓區域。具體地，一方面，圖1示意性地示出了根據現有技術的MOS器件模擬應用模型的源漏電壓Vds相對于漏極電流Id的擬合曲線。如圖1所述，其中示出了MOS器件的不同柵源電壓的擬合曲線，其中上部虛線框所示的區域能夠形成很好的擬合，但是下部虛線框所示的區域不能形成令人滿意的擬合。另一方面，圖2示意性地示出了根據現有技術的MOS器件模擬應用模型的源漏電壓Vds相對于源漏電導Gds的擬合曲線。如圖2所述，其中示出了MOS器件的不同柵源電壓的擬合曲線，虛線框所示的區域同樣不能形成令人滿意的擬合。從圖1和圖2的示意可以看出，現有技術的這種采用一個模型來覆蓋整個電壓操作范圍不足以形成令人滿意的對于應用足夠精確的MOS器件模擬應用模型。由此，在本領域中，希望能夠提供一種能夠實現MOS器件在各工作區域都能滿足模擬設計需求的高精度模型的方法。專利技術內容本專利技術所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法。為了實現上述技術目的，根據本專利技術，提供了一種提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法，包括：第一步驟：將MOS器件的電壓操作范圍劃分成至少兩個電壓區域；第二步驟：針對所述至少兩個電壓區域中的每個電壓區域，提取所述MOS器件的仿真模型，從而得到至少兩個仿真模型；第三步驟：針對MOS器件的電壓操作范圍中的特定操作電壓，應用所述至少兩個仿真模型中的相應仿真模型。優選地，所述方法用于提高PMOS器件模擬仿真模型的精準性。優選地，所述方法用于提高NMOS器件模擬仿真模型的精準性。優選地，所述方法用于90nm以下工藝制成的MOS器件的模擬仿真模型的建模。優選地，所述至少兩個仿真模型的數量等于所述至少兩個電壓區域的數量。優選地，所述電壓操作范圍是MOS器件的漏源電壓的操作范圍。優選地，所述MOS器件的仿真模型包括源漏電壓相對于漏極電流的擬合曲線。優選地，所述MOS器件的仿真模型包括源漏電壓相對于源漏電導的擬合曲線。根據本專利技術的提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法通過劃分多個區域來進行分別建模，從而有效地提高了MOS器件模擬應用模型的精準性。附圖說明結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本專利技術有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中：圖1示意性地示出了根據現有技術的MOS器件模擬應用模型的源漏電壓Vds相對于漏極電流Id的擬合曲線。圖2示意性地示出了根據現有技術的MOS器件模擬應用模型的源漏電壓Vds相對于源漏電導Gds的擬合曲線。圖3示意性地示出了根據本專利技術優選實施例的提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法的流程圖。需要說明的是，附圖用于說明本專利技術，而非限制本專利技術。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。具體實施方式為了使本專利技術的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本專利技術的內容進行詳細描述。圖3示意性地示出了根據本專利技術優選實施例的提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法的流程圖。具體地，如圖3所示，根據本專利技術優選實施例的提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法包括：第一步驟S1：將MOS器件的電壓操作范圍劃分成至少兩個電壓區域；例如，在具體實施例中，所述電壓操作范圍是MOS器件的漏源電壓的操作范圍。第二步驟S2：針對所述至少兩個電壓區域中的每個電壓區域，提取所述MOS器件的仿真模型，從而得到至少兩個仿真模型；可以看出，所述至少兩個仿真模型的數量等于所述至少兩個電壓區域的數量。而且，例如，在具體實施例中，所述MOS器件的仿真模型包括源漏電壓Vds相對于漏極電流Id的擬合曲線。而且，例如，在具體實施例中，所述MOS器件的仿真模型包括源漏電壓Vds相對于源漏電導Gds的擬合曲線。而且，例如，在具體實施例中，所述MOS器件的仿真模型包括源漏電壓Vds相對于漏極電流Id的擬合曲線以及源漏電壓Vds相對于源漏電導Gds的擬合曲線。需要說明的是，上面描述的兩個曲線只是說明性示例，實際上，可以針對各種IV甚至CV曲線進行類似的劃分，只要曲線是在實際電路應用中相對固定的一個范圍內的曲線即可。第三步驟S3：針對MOS器件的電壓操作范圍中的特定操作電壓，應用所述至少兩個仿真模型中的相應仿真模型。根據本專利技術優選實施例的提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法通過劃分多個區域來進行分別建模，從而有效地提高了MOS器件模擬應用模型的精準性。在具體實施時，圖3所示的根據本專利技術優選實施例的提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法可用于提高PMOS器件模擬應用模型的精準性，或者圖3所示的根據本專利技術優選實施例的提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法可用于提高NMOS器件模擬應用模型的精準性。而且，根據本專利技術優選實施例的提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法可有利地用于任意工藝(例如，90nm以下工藝)制成的MOS器件的模擬應用模型的建模。此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關系或者順序關系等?？梢岳斫獾氖?，雖然本專利技術已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本專利技術。對于任何熟悉本領域的技術人員而言，在不脫離本專利技術技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的
技術實現思路
對本專利技術技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本專利技術技術方案的內容，依據本專利技術的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本專利技術技術方案保護的范圍內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法，其特征在于包括：第一步驟：將MOS器件的電壓操作范圍劃分成至少兩個電壓區域；第二步驟：針對所述至少兩個電壓區域中的每個電壓區域，提取所述MOS器件的仿真模型，從而得到至少兩個仿真模型；第三步驟：針對MOS器件的電壓操作范圍中的特定操作電壓，應用所述至少兩個仿真模型中的相應仿真模型。

【技術特征摘要】
1.一種提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法，其特征在于包括：第一步驟：將MOS器件的電壓操作范圍劃分成至少兩個電壓區域；第二步驟：針對所述至少兩個電壓區域中的每個電壓區域，提取所述MOS器件的仿真模型，從而得到至少兩個仿真模型；第三步驟：針對MOS器件的電壓操作范圍中的特定操作電壓，應用所述至少兩個仿真模型中的相應仿真模型。2.根據權利要求1所述的提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法，其特征在于，所述方法用于提高PMOS器件模擬應用模型的精準性。3.根據權利要求1或2所述的提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法，其特征在于，所述方法用于提高NMOS器件模擬應用模型的精準性。4.根據權利要求1至3之一所述的提高MOS器件模擬應用模型精準性...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張昊，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31