他克莫司化合物及其制備方法技術

本發明專利技術涉及藥物純化技術領域，公開了一種高純度他克莫司化合物及其制備方法。本發明專利技術將預處理過的他克莫司粗品經過含銀離子聚合物樹脂柱層析洗脫，洗脫液濃縮后進行重結晶，獲得高純度他克莫司。本發明專利技術提供的方法規模化生產操作簡單，溶媒耗用量少，生產周期短，成本低，友好環境，經HPLC檢測，他克莫司粗品中最難分離的子囊霉素和二氫他克莫司完全去除。他克莫司歸一化純度為99％以上，并且所獲他克莫司晶體的粒度分布均勻、晶體內應力和堆密度小，其穩定性、流動性、分散性和溶解性均較好。提高了他克莫司的質量及用藥安全。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及藥物純化
，具體涉及一種高純度他克莫司化合物及其制備方法。
技術介紹
他克莫司是一種新型強效的大環內酯類免疫抑制劑，1991年日本開發的名為普樂可復(Prograf)他克莫司膠囊劑和注射劑正式上市，用于原發性肝移植和腎移植的排斥反應治療，后又被批準用于骨髓移植。目前他克莫司制劑已在中國、日本、美國等80多個國家上市，廣泛應用于肝臟、胰腺、腎臟、心臟和肺等實體器官移植后的抗排異治療。1999年他克莫司軟膏投放日本市場，用于治療成人的特應性皮炎。他克莫司是從鏈霉菌屬(streptomyces tsukubaensis)中分離出的發酵產物，由于他克莫司結構復雜，手性基團比較多，而且其發酵液中有很多異構體和類似物，如二氫他克莫司、子囊霉素等，其中子囊霉素比他克莫司只少1個亞甲基，二氫他克莫司比他克莫司多2個氫原子，因此子囊霉素、二氫他克莫司和他克莫司結構極為相似，在溶劑中的溶解性和對溶劑的親和力相近，這些物質的存在使得他克莫司采用常規的分離純化方法無法完全分離而達到相應的純度，從而難以滿足市場需要。中國專利技術專利CN85109492，公開了一種通過大孔吸附樹脂HP20，硅膠，活性炭來制備FK506粗品的方法：a.浸提：用有機溶劑來浸泡發酵液過濾得到的菌絲體，過濾得浸提液，b.吸附和解吸：浸提液中投入樹脂HP20吸附，有機溶劑和水的混合溶劑洗脫，收集液濃縮，c.萃取：濃縮液中加入乙酯等疏水性溶劑萃取，萃取液濃縮，d.硅膠層析：萃取濃縮液通過硅膠柱，用乙酯正己烷混合液洗脫，收集洗脫液濃縮得粗品。美國專利技術專利US2012065393(A1)，公開了一種制備FK506粗品的方法：a.浸提：用醇，酮，酯類有機溶劑來浸泡發酵液過濾得到的菌絲體，過濾得浸提液，b.反萃取：浸提液中加入鹵代烷類來反萃，萃取液濃縮，c.柱層析：萃取濃縮液稀釋后過硅膠柱或氧化鋁柱除掉色素和油脂，d.結晶：收集洗脫液濃縮至一定體積加入去離子水，攪拌降溫結晶，e.過濾的濕晶，用烷烴洗滌，烘干得粗品，粗品純度在92-95％之間，收率在70-75％之間。中國專利技術專利CN200580043951.6，公開了一種提純大環內酯的方法，其中大環內酯負載置與濕吸附樹脂床相鄰放置,負載和床在大于30℃用有機溶劑洗脫液洗脫,有機溶劑選自THF、乙腈、正丙醇、異丙醇、乙醇和丙酮,收集洗脫液的中間級分,收集提純的大環內酯，結晶采用乙酸乙酯，環己烷和水的三相系統。中國專利技術專利CN200910146378.1，公開了以他克莫司粗品作為原料,經過有機溶劑溶解,用C18反相制備液相色譜法實現他克莫司和子囊霉素、二氫他克莫司的分離純化。中國專利技術專利CN201210353577，公開了一種他克莫司粗品的純化方法，將他克莫司粗品經第一有機溶劑溶解并超聲振蕩后，采用快速濾紙抽濾，之后把抽濾所得的濾液即樣品溶液通過制備型高速逆流色譜儀進行連續純化。中國專利技術專利CN201310534184，公開了一種制備高純度他克莫司的工藝，利用四氫呋喃溶解，加純水，過濾；接著利用C18反相色譜柱純化，純度可達99.5％以上，單個雜質含量不大于0.3％，總雜質含量不大于0.5％，收率可達50-80％。以上純化方法均采用正相或反相柱層析的方法來獲得粗品，需用特殊的設備、消耗大量的有機溶劑，產生大量的廢水，廢液、廢棄填料如硅膠等，其中洗脫溶劑如乙腈、異丙醇、正己烷，鹵代烷對人體毒性大，工藝耗時長且操作復雜不安全；中國專利技術專利CN200480008682.5，公開了一種大環內酯物質的結晶與純化方法，用極性溶劑如乙酸異丁酯、乙酸乙酯萃取，所得萃取液加入水或甲醇-水-正己烷體系洗滌、濃縮后獲得油狀物濃縮物，然后與極性溶劑、烴溶劑及其含堿的水溶液混合，重結晶，獲得大環內脂如他克莫司的粗品，但是獲得粗品的純度低，最高純度為85.03％；該方法雖然沒有用到柱層析純化，但需要進一步純化才能達到藥品標準的要求。中國專利技術專利CN200580037031.3，公開了一種藤霉素的純化方法,包括4個步驟：1)發酵液萃取-吸附樹脂純化；2)硅膠純化；3)藤霉素-銀-π-絡合物的溶解和純化；4)乙腈/水重結晶，獲得純度大于99％的成品。但是該方法步驟2)中用到大量有機溶劑作為洗脫劑；步驟3)用到C18反相硅膠純化，成本高；步驟4)用到乙腈重結晶，毒性大；因此該工藝不利于工業化大生產。中國專利技術專利CN200910146385，公開了一種將鏈霉菌發酵液用板框壓濾得到菌體,用有機溶劑多次室溫浸提菌體,得到浸提液,將浸提液濃縮后進行大孔樹脂和硅膠柱層析,柱層析所得他克莫司用混合溶劑進行濃縮，采用乙酸乙酯/正己烷或乙酸乙酯/環己烷重結晶，他克莫司的純度最高為95.8％，純度低。中國專利技術專利CN2005800439516公開了一種提純他克莫司工藝方法，經過3個層析柱柱層析、萃取，采用乙酸乙酯、環己烷和水體系重結晶，但是該方法重結晶時間長，在12小時以上，所得晶體40℃減壓干燥12h，然后25℃干燥24h，干燥時間長，此方法重復結晶2-4次，操作復雜，收率低，最終獲得的產品重量含量為99.84％。因此，提供一種能降低雜質及生產成本、提高產品質量的更有效的純化方法十分必要。
技術實現思路
本專利技術的目的就是為了克服現有技術中純化分離他克莫司發酵液雜質多，分離難度大，現有純化方法復雜、耗時長、純度和收率低的不足，提供了一種高純度他克莫司化合物及其制備方法，解決了現有純化方法中子囊霉素和二氫他克莫司分離難度大、收率低、耗時長、洗脫溶劑用量大、污染高、不利于工業化大生產的問題。為了解決上述技術問題，本專利技術通過下述技術方案得以解決：本專利技術目的之一是提供一種高純度他克莫司，該他克莫司中子囊霉素和二氫他克莫司含量為0.0％、其它單個雜質分別小于0.05％。該高純度他克莫司歸一化純度為99％以上，并且該高純度的他克莫司晶體的粒度分布均勻、晶體內應力和堆密度小，其穩定性、流動性、分散性和溶解性均較好，提高了他克莫司的質量及用藥安全。本專利技術另一個目的是提供一種高純度他克莫司的制備方法，包括如下步驟：1)將含有子囊霉素和二氫他克莫司雜質的他克莫司粗品吸附到含銀離子聚合物樹脂上；2)用中等極性的混合溶媒洗脫，收集含有他克莫司的流份，濃縮后獲得他克莫司濃縮物；3)用中等極性溶媒溶解他克莫司濃縮物，攪拌條件下溶解完全后加入水，開始析晶，線性降溫，析晶完全后過濾、干燥，即獲得高純度他克莫司。1)中所述含銀離子聚合物樹脂上是指在市場上購買的常規含銀離子聚合物樹脂。作為優選，步驟2)中所述中等極性的混合溶媒為甲醇/乙酸乙酯、乙醇/乙酸乙酯、丙酮/乙酸乙酯中的任一種混合，所述混合溶媒的體積比為35～65:65～35，更優選乙醇/乙酸乙酯體積比為45:55。步驟2)中優選了甲醇/乙酸乙酯、乙醇/乙酸乙酯、丙酮/乙酸乙酯中的任一種混合，毒性小，混合溶媒極性大小剛好將他克莫司與子囊霉素和二氫他克莫司雜質充分分開而交叉的混合液少，減少他克莫司的損失，有利于提高產率。進一步的，步驟2)中所述中等極性的混合溶媒洗脫流速為0.6～1.0BV/h。現有技術中在分離子囊霉素和二氫他克莫司時，多采用反相色譜柱層析，或是采用含有銀離子的水溶液與他克莫司粗品先結合，本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種高純度他克莫司，其特征在于，該他克莫司中子囊霉素和二氫他克莫司含量為0.0％、其它單個雜質分別小于0.05％。

【技術特征摘要】
1.一種高純度他克莫司，其特征在于，該他克莫司中子囊霉素和二氫他克莫司含量為0.0％、其它單個雜質分別小于0.05％。2.如權利要求1所述高純度他克莫司的制備方法，包括如下步驟：1)將含有子囊霉素和二氫他克莫司雜質的他克莫司粗品吸附到含銀離子聚合物樹脂上；2)用中等極性的混合溶媒洗脫，收集含有他克莫司的流份，濃縮后獲得他克莫司濃縮物；3)用中等極性溶媒溶解他克莫司濃縮物，攪拌條件下溶解完全后加入水，開始析晶，線性降溫，析晶完全后過濾、干燥，即獲得高純度他克莫司。3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，步驟2)中所述中等極性的混合溶媒為甲醇/乙酸乙酯、乙醇/乙酸乙酯、丙酮/乙酸乙中的任一種混合，所述混合溶媒的體積比為35～65:65～35，優選乙醇/乙酸乙酯體積比為45:55。4.如權利要求2或3所述的方法，其特征在于，步驟2)中所述中等極性的混合溶媒洗脫流速為0.6～1.0BV/h。5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，步驟3)中所述中等...

【專利技術屬性】
技術研發人員：諸敏，吳萍，吳文藝，紀立君，高慶峰，
申請(專利權)人：杭州中美華東制藥有限公司，
類型：發明
國別省市：浙江;33