一種超聲波探傷雙晶探頭裝置制造方法及圖紙

本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)了一種超聲波探傷雙晶探頭裝置，包括外殼，所述外殼內(nèi)中部設(shè)有絕緣隔層，所述外殼內(nèi)的兩個(gè)區(qū)域中分別設(shè)有發(fā)射壓電晶片和接收壓電晶片，所述發(fā)射壓電晶片和接收壓電晶片的上側(cè)均設(shè)有阻尼塊，所述發(fā)射壓電晶片和接收壓電晶片分別電性連接有發(fā)射電纜線和接收電纜線，所述發(fā)射電纜線和接收電纜線均貫穿于阻尼塊并電性連接于接頭，所述發(fā)射壓電晶片和接收壓電晶片的下側(cè)均設(shè)有延遲塊，所述延遲塊的下部設(shè)有保護(hù)膜，所述絕緣隔層內(nèi)部設(shè)有真空層，所述外殼內(nèi)其他空間設(shè)有吸聲材料層。該能通過(guò)真空層的設(shè)置，加強(qiáng)雙晶超聲波探傷探頭的發(fā)射和接收之間的抗干擾性，提高了超聲波探傷探頭使用的精確度。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)屬于探傷檢測(cè)
，具體涉及一種超聲波探傷雙晶探頭裝置。
技術(shù)介紹
現(xiàn)代化建設(shè)的高速發(fā)展，機(jī)械加工對(duì)工件的質(zhì)量要求也越來(lái)越高，使得加工工件的檢測(cè)技術(shù)也在蓬勃發(fā)展。其中，超聲波雙晶探頭探傷裝置由于探測(cè)范圍可調(diào)、靈敏度高、雜波少盲區(qū)小等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用，然而這種雙晶探頭的發(fā)射晶片與接收晶片之間距離近，發(fā)射晶片發(fā)射的超聲波有時(shí)直接被接收晶片接收，抗干擾能力弱，不是適應(yīng)現(xiàn)有社會(huì)高速發(fā)展的要求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于提供一種超聲波探傷雙晶探頭裝置，以解決上述
技術(shù)介紹
中提出的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提供如下技術(shù)方案：一種超聲波探傷雙晶探頭裝置，包括外殼，所述外殼上部中間位置設(shè)有接頭，所述外殼內(nèi)中部設(shè)有絕緣隔層，所述絕緣隔層將外殼分成兩個(gè)區(qū)域，所述外殼內(nèi)的兩個(gè)區(qū)域中分別設(shè)有發(fā)射壓電晶片和接收壓電晶片，所述發(fā)射壓電晶片和接收壓電晶片的上側(cè)均設(shè)有阻尼塊，所述發(fā)射壓電晶片和接收壓電晶片分別電性連接有發(fā)射電纜線和接收電纜線，所述發(fā)射電纜線和接收電纜線均貫穿于阻尼塊并電性連接于接頭，所述發(fā)射壓電晶片和接收壓電晶片的下側(cè)均設(shè)有延遲塊，所述延遲塊的下部設(shè)有保護(hù)膜，所述絕緣隔層內(nèi)部設(shè)有真空層，所述外殼內(nèi)其他空間設(shè)有吸聲材料層。優(yōu)選的，所述發(fā)射壓電晶片和接收壓電晶片的上端處于同一水平面上，且發(fā)射壓電晶片和接收壓電晶片與水平面的夾角相等。優(yōu)選的，所述發(fā)射壓電晶片和接收壓電晶片與水平面的夾角范圍為5～15度。優(yōu)選的，所述發(fā)射壓電晶片和接收壓電晶片關(guān)于絕緣隔層呈軸對(duì)稱(chēng)。本技術(shù)的技術(shù)效果和優(yōu)點(diǎn)：該能通過(guò)真空層的設(shè)置，加強(qiáng)雙晶超聲波探傷探頭的發(fā)射和接收之間的抗干擾性，提高了超聲波探傷探頭使用的精確度。附圖說(shuō)明圖1為本技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中：1接頭、2接收電纜線、3外殼、4阻尼塊、5吸聲材料層、6接收壓電晶片、7延遲塊、8保護(hù)膜、9絕緣隔層、10真空層、11發(fā)射電纜線、12發(fā)射壓電晶片。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。本技術(shù)提供了如圖1所示的一種超聲波探傷雙晶探頭裝置，包括外殼3，所述外殼3上部中間位置設(shè)有接頭1，所述外殼3內(nèi)中部設(shè)有絕緣隔層9，所述絕緣隔層9將外殼3分成兩個(gè)區(qū)域，所述外殼3內(nèi)的兩個(gè)區(qū)域中分別設(shè)有發(fā)射壓電晶片12和接收壓電晶片6，所述發(fā)射壓電晶片12和接收壓電晶片6的上側(cè)均設(shè)有阻尼塊4，所述發(fā)射壓電晶片12和接收壓電晶片6分別電性連接有發(fā)射電纜線11和接收電纜線2，所述發(fā)射電纜線11和接收電纜線2均貫穿于阻尼塊4并電性連接于接頭1，所述發(fā)射壓電晶片12和接收壓電晶片6的下側(cè)均設(shè)有延遲塊7，所述延遲塊7的下部設(shè)有保護(hù)膜8，所述絕緣隔層9內(nèi)部設(shè)有真空層10，所述外殼3內(nèi)其他空間設(shè)有吸聲材料層5，所述發(fā)射壓電晶片12和接收壓電晶片6的上端處于同一水平面上，且發(fā)射壓電晶片12和接收壓電晶片6與水平面的夾角相等，所述發(fā)射壓電晶片12和接收壓電晶片6與水平面的夾角范圍為5～15度，所述發(fā)射壓電晶片12和接收壓電晶片6關(guān)于絕緣隔層9呈軸對(duì)稱(chēng)。工作原理：工作時(shí)，通過(guò)發(fā)射壓電晶片12發(fā)射超聲波信號(hào)，接收壓電晶片6接收反射過(guò)來(lái)的超聲波信號(hào)，發(fā)射壓電晶片12和接收壓電晶片6由于與水平面的夾角而產(chǎn)生一個(gè)菱形探測(cè)區(qū)域，此區(qū)域靈敏度高，適用于工件的表面探測(cè)，其中外殼3中部區(qū)域設(shè)置的真空層10能夠阻擋發(fā)射壓電晶片12發(fā)射的超聲波直接進(jìn)入接收壓電晶片6中，增強(qiáng)了抗干擾性。最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上所述僅為本技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本技術(shù)，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換，凡在本技術(shù)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本技術(shù)的保護(hù)范圍之內(nèi)。本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種超聲波探傷雙晶探頭裝置，包括外殼(3)，其特征在于：所述外殼(3)上部中間位置設(shè)有接頭(1)，所述外殼(3)內(nèi)中部設(shè)有絕緣隔層(9)，所述絕緣隔層(9)將外殼(3)分成兩個(gè)區(qū)域，所述外殼(3)內(nèi)的兩個(gè)區(qū)域中分別設(shè)有發(fā)射壓電晶片(12)和接收壓電晶片(6)，所述發(fā)射壓電晶片(12)和接收壓電晶片(6)的上側(cè)均設(shè)有阻尼塊(4)，所述發(fā)射壓電晶片(12)和接收壓電晶片(6)分別電性連接有發(fā)射電纜線(11)和接收電纜線(2)，所述發(fā)射電纜線(11)和接收電纜線(2)均貫穿于阻尼塊(4)并電性連接于接頭(1)，所述發(fā)射壓電晶片(12)和接收壓電晶片(6)的下側(cè)均設(shè)有延遲塊(7)，所述延遲塊(7)的下部設(shè)有保護(hù)膜(8)，所述絕緣隔層(9)內(nèi)部設(shè)有真空層(10)，所述外殼(3)內(nèi)其他空間設(shè)有吸聲材料層(5)。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種超聲波探傷雙晶探頭裝置，包括外殼(3)，其特征在于：所述外殼(3)上部中間位置設(shè)有接頭(1)，所述外殼(3)內(nèi)中部設(shè)有絕緣隔層(9)，所述絕緣隔層(9)將外殼(3)分成兩個(gè)區(qū)域，所述外殼(3)內(nèi)的兩個(gè)區(qū)域中分別設(shè)有發(fā)射壓電晶片(12)和接收壓電晶片(6)，所述發(fā)射壓電晶片(12)和接收壓電晶片(6)的上側(cè)均設(shè)有阻尼塊(4)，所述發(fā)射壓電晶片(12)和接收壓電晶片(6)分別電性連接有發(fā)射電纜線(11)和接收電纜線(2)，所述發(fā)射電纜線(11)和接收電纜線(2)均貫穿于阻尼塊(4)并電性連接于接頭(1)，所述發(fā)射壓電晶片(12)和接收壓電晶片(6)的下側(cè)均設(shè)有延遲塊(7)，所述延...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：邱棟美，姜磊，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：北京華泰科恩科技有限公司，
類(lèi)型：新型
國(guó)別省市：北京;11