一種摻雜的氧化鋯薄膜、QLED及制備方法技術

本發明專利技術公開一種摻雜的氧化鋯薄膜、QLED及制備方法。制備方法包括步驟：在鋯的醇鹽中加入鈮的醇鹽、鈦的醇鹽、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后將混合液沉積到含有底電極的襯底上，再退火處理，以在含有底電極的襯底上生成摻雜的氧化鋯薄膜。本發明專利技術通過在氧化鋯中摻雜氮、鈦或者鈮元素使得氧化鋯中產生更多的施主中心，進而提高氧化鋯的電子遷移率；同時通過將氧化鋯中摻雜其它元素，也可以改變氧化鋯功函數，使其可匹配更多的量子點能級，可廣泛應用在QLED器件中。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及顯示
，尤其涉及一種摻雜的氧化鋯薄膜、QLED及制備方法。
技術介紹
目前QLED器件中，ZnO和TiO2作為無機電子注入層，被廣泛應用在顯示器件中，并且使得器件的性能得到了提高。而氧化鋯和氧化鈦是同族的氧化物，但時其在QLED中的應用鮮有報道。目前氧化鋯無法應用于QLED的一個重要原因是氧化鋯的能級與不同的量子點能級不相匹配，并且氧化鋯的電子遷移率較低，所以不適合應用到各種量子點的顯示器件中。因此，現有技術還有待于改進和發展。
技術實現思路
鑒于上述現有技術的不足，本專利技術的目的在于提供一種摻雜的氧化鋯薄膜、QLED及制備方法，旨在解決現有技術中氧化鋯無法應用在QLED的問題。本專利技術的技術方案如下：一種摻雜的氧化鋯薄膜的制備方法，其中，包括步驟：在鋯的醇鹽中加入鈮的醇鹽、鈦的醇鹽、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后將混合液沉積到含有底電極的襯底上，再退火處理，以在含有底電極的襯底上生成摻雜的氧化鋯薄膜。所述的摻雜的氧化鋯薄膜的制備方法，其中，退火溫度為250~350℃，退火時間為20~80min。所述的摻雜的氧化鋯薄膜的制備方法，其中，摻雜元素占摻雜元素與鋯元素之和的摩爾百分比為0.5-10%，其中摻雜元素為鈮、鈦或氮。一種摻雜的氧化鋯薄膜，其中，采用如上所述的制備方法制成。所述的摻雜的氧化鋯薄膜，其中，所述氧化鋯薄膜厚度為30~40nm。一種QLED的制備方法，其中，包括：A、在鋯的醇鹽中加入鈮的醇鹽、鈦的醇鹽、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后將混合液沉積到含有底電極的襯底上，再退火處理，以在含有底電極的襯底上生成摻雜的氧化鋯薄膜；B、在氧化鋯薄膜表面沉積量子點發光層；C、在量子點發光層表面沉積空穴傳輸層；D、在空穴傳輸層上制作頂電極。一種QLED，其中，從下至上依次包括：襯底、底電極、氧化鋯薄膜、量子點發光層、空穴傳輸層和頂電極，其中所述的氧化鋯薄膜為如上所述的氧化鋯薄膜。所述的QLED，其中，所述量子點發光層的材料為紅色量子點、綠色量子點、藍色量子點、黃色量子點、紅外光量子點和紫外光量子點中的一種或多種。所述的QLED，其中，所述空穴傳輸層的材料為TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA、CBP、PEODT：PSS、MoO3、WoO3、NiO、CuO、V2O5、CuS中的一種或多種。所述的QLED，其中，所述頂電極為Ag、Al、Cu、Au或合金電極。有益效果：本專利技術通過在氧化鋯中摻雜氮、鈦或者鈮元素使得氧化鋯中產生更多的施主中心，進而提高氧化鋯的電子遷移率；同時通過將氧化鋯中摻雜其它元素，也可以改變氧化鋯功函數，使其可匹配更多的量子點能級，可廣泛應用在QLED器件中。采用摻雜的氧化鋯薄膜制備的QLED器件，效率更高，器件性能也得到提升。附圖說明圖1為本專利技術一種QLED的制備方法較佳實施例的流程圖。圖2為本專利技術一種QLED較佳實施例的結構示意圖。具體實施方式本專利技術提供一種摻雜的氧化鋯薄膜、QLED及制備方法，為使本專利技術的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本專利技術進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術，并不用于限定本專利技術。本專利技術還提供一種摻雜的氧化鋯薄膜的制備方法，其包括步驟：在鋯的醇鹽中加入鈮的醇鹽、鈦的醇鹽、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后將混合液沉積到含有底電極的襯底上，再退火處理，以在含有底電極的襯底上生成摻雜的氧化鋯薄膜。本專利技術摻雜的氧化鋯薄膜制備方法簡單易行，且由于摻雜了鈮、鈦或氮等元素，可使氧化鋯產生更多的施主中心，從而提高氧化鋯的電子遷移率，同時通過摻雜其他元素，可以改變氧化鋯功函數，從而使氧化鋯可以匹配更多的量子點能級，更易應用在QLED器件當中。具體來說，可以將鋯的醇鹽加入到醇中，然后加入鈮的醇鹽、鈦的醇鹽、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后通過退火使鋯的醇鹽發生水解反應生成氧化鋯，同時還摻雜其他摻雜元素。進一步，退火溫度為250~350℃，退火時間為20~40min，在該退火條件下，可使水解反應更充分，且摻雜更均勻。進一步，摻雜元素占摻雜元素與鋯元素之和的摩爾百分比為0.5-10%，其中摻雜元素為鈮、鈦或氮。也就是說，按摩爾比計，摻雜元素/（摻雜元素+鋯元素）=0.005-0.1:1，此條件下，可提高氧化鋯的電子遷移率，且可匹配更多的量子點能級。本專利技術還提供一種摻雜的氧化鋯薄膜，其采用如上所述的制備方法制成。所述氧化鋯薄膜厚度優選為30~40nm，例如為35nm。本專利技術還提供一種QLED的制備方法較佳實施例，如圖1所示，其包括：S1、在鋯的醇鹽中加入鈮的醇鹽、鈦的醇鹽、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后將混合液沉積到含有底電極的襯底上，再退火處理，以在含有底電極的襯底上生成摻雜的氧化鋯薄膜；S2、在氧化鋯薄膜表面沉積量子點發光層；S3、在量子點發光層表面沉積空穴傳輸層；S4、在空穴傳輸層上制作頂電極。待制作頂電極后，對其進行封裝，可以使用機器封裝也可以使用手動方式封裝。其中的步驟S1在前述已有說明。在步驟S2中，所述量子點發光層的材料為紅色量子點、綠色量子點、藍色量子點、黃色量子點、紅外光量子點和紫外光量子點中的一種或多種。所述空穴傳輸層的材料為TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA、CBP、PEODT：PSS、MoO3、WoO3、NiO、CuO、V2O5、CuS中的一種或多種。所述頂電極為Ag、Al、Cu、Au或合金電極。本專利技術還提供一種QLED較佳實施例，如圖2所示，從下至上依次包括：襯底10、底電極11、氧化鋯薄膜12、量子點發光層13、空穴傳輸層14和頂電極15，其中所述的氧化鋯薄膜12為前述的氧化鋯薄膜。所述量子點發光層的材料為紅色量子點、綠色量子點、藍色量子點、黃色量子點、紅外光量子點和紫外光量子點中的一種或多種。所述空穴傳輸層的材料為TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA、CBP、PEODT：PSS、MoO3、WoO3、NiO、CuO、V2O5、CuS中的一種或多種。所述頂電極為Ag、Al、Cu、Au或合金電極。實施例1在正丁醇鋯中加入正丁醇（也可以是其他醇，例如在正丁醇鋯中加入異丁醇或乙醇等等，或者是將異丁醇鋯加入異丁醇或者將乙醇鋯加入乙醇），使其濃度稀釋到0.25mol/L，然后在10ml該濃度溶液中加入0.025mmol的乙醇鈮溶液，然后通過旋涂（如3000rpm的轉速）的方法沉積到含有底電極的襯底上，再在350℃溫度條件下退火20min，即可生成鈮摻雜氧化鋯薄膜。通過改變旋涂的轉速可以改變氧化鋯的厚度。實施例2將正丁醇鋯通過加入正丁醇，使其濃度稀釋到0.25mol/L，然后在10ml該濃度溶液中加入0.125mmol的單乙醇胺溶液，然后通過旋涂的方法沉積到含有底電極的襯底上，再在300℃溫度條件下退火30min，即可生成氮摻雜氧化鋯薄膜。通過改變旋涂的轉速可以改變氧化鋯的厚度。實施例3將正丁醇鋯通過加入正丁醇，使其濃度稀釋到0.25mol/L，然后在10ml該濃度溶液中加入0.025mmol的四異丙醇鈦溶液，然后通過旋涂的方法沉積到含有底電極的襯底上，再在250℃溫度條件下退火40min，即可生成鈦摻雜氧化鋯薄膜。通過改變旋涂的轉速可以改變氧化鋯的厚度。上述實施例均是在空氣本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種摻雜的氧化鋯薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：在鋯的醇鹽中加入鈮的醇鹽、鈦的醇鹽、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后將混合液沉積到含有底電極的襯底上，再退火處理，以在含有底電極的襯底上生成摻雜的氧化鋯薄膜。

【技術特征摘要】
1.一種摻雜的氧化鋯薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：在鋯的醇鹽中加入鈮的醇鹽、鈦的醇鹽、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后將混合液沉積到含有底電極的襯底上，再退火處理，以在含有底電極的襯底上生成摻雜的氧化鋯薄膜。2.根據權利要求1所述的摻雜的氧化鋯薄膜的制備方法，其特征在于，退火溫度為250~350℃，退火時間為20~40min。3.根據權利要求1所述的摻雜的氧化鋯薄膜的制備方法，其特征在于，摻雜元素占摻雜元素與鋯元素之和的摩爾百分比為0.5-10%，其中摻雜元素為鈮、鈦或氮。4.一種摻雜的氧化鋯薄膜，其特征在于，采用如權利要求1所述的制備方法制成。5.根據權利要求4所述的摻雜的氧化鋯薄膜，其特征在于，所述氧化鋯薄膜厚度為30~40nm。6.一種QLED的制備方法，其特征在于，包括：A、在鋯的醇鹽中加入鈮的醇鹽、鈦的醇鹽、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后將混合液沉積到含有底電極...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王宇，曹蔚然，
申請(專利權)人：TCL集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44