DC-DC電路中開關管的耐壓測試方法技術

一種DC-DC電路中開關管的耐壓測試方法，包括：根據(jù)DC-DC電路的結構進行流片以完成晶圓片的制作；將所述晶圓片與傳輸線脈沖發(fā)生器連接；記錄傳輸線脈沖發(fā)生器輸出的測試數(shù)據(jù)，所述測試數(shù)據(jù)包括維持電壓和維持電流；根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)獲取DC-DC電路中開關管的耐壓結果。本發(fā)明專利技術可以縮短開發(fā)周期、降低成本。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術涉及電源開關控制技術，特別是涉及一種DC-DC電路中開關管的耐壓測試方法。
技術介紹
DC-DC電路是一種開關式穩(wěn)壓電源，根據(jù)輸出電壓與輸入電壓的高低比較，可以分為boost(輸出電壓高于輸入電壓)和buck(輸出電壓低于輸入電壓)兩種電路結構。其電路一般包括開關管、續(xù)流二極管、儲能電感及濾波電容，通過儲能電感不斷的儲能、放電，最后達到穩(wěn)定電壓輸出。具體地，通過檢測輸出電壓來控制控制開關管的閉合和斷開的時間(即PWM――脈沖寬度調制)，進而控制輸出電壓以保持輸出電壓不變，達到穩(wěn)壓的目的。開關管的耐壓是DC-DC電路中一項非常重要的參數(shù)，因此需要對電路中的開關管作耐壓測試。然而，傳統(tǒng)的開關管耐壓測試方法是在所有工藝流程完成后，對封裝好的電路進行測試，且對于不同的產品規(guī)格需要搭建相應的測試電路，從而導致開發(fā)周期長、成本高。
技術實現(xiàn)思路
基于此，有必要提供一種可以縮短開發(fā)周期、降低成本的開關管耐壓測試方法。一種DC-DC電路中開關管的耐壓測試方法，包括：根據(jù)DC-DC電路的結構進行流片以完成晶圓片的制作；將所述晶圓片與傳輸線脈沖發(fā)生器連接；記錄傳輸線脈沖發(fā)生器輸出的測試數(shù)據(jù)，所述測試數(shù)據(jù)包括維持電壓和維持電流；根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)獲取DC-DC電路中開關管的耐壓結果。在其中一個實施例中，所述測試數(shù)據(jù)還包括觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流以及二次擊穿電壓和二次擊穿電流。在其中一個實施例中，所述測試數(shù)據(jù)以曲線圖的方式輸出。在其中一個實施例中，所述根據(jù)DC-DC電路的結構進行流片以完成晶圓片的制作的步驟之后，還包括：確認所述晶圓片中各器件的閾值電壓、導通電流、漏電以及擊穿電壓。在其中一個實施例中，所述將所述晶圓片與傳輸線脈沖發(fā)生器連接的步驟，包括：將所述晶圓片放置在傳輸線脈沖發(fā)生器上；確定所述晶圓片上的測試位置；將傳輸線脈沖發(fā)生器的測試探針插在所述測試位置對應的測試引腳上。在其中一個實施例中，所述測試位置為5個以上。在其中一個實施例中，所述測試位置在晶圓片上均勻分布。上述DC-DC電路中開關管的耐壓測試方法，將制作的晶圓片與傳輸線脈沖發(fā)生器連接來測試DC-DC電路中開關管的維持電壓，然后通過維持電壓來判斷DC-DC電路中開關管的耐壓性，這樣不必在封裝后外接電路進行測試，縮短了工藝開發(fā)周期，降低了開發(fā)成本。附圖說明圖1為一實施例中DC-DC電路中開關管的耐壓測試方法流程圖；圖2為傳輸線路脈沖發(fā)生器輸出的測試曲線圖。具體實施方式為了使本專利技術的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本專利技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術，并不用于限定本專利技術。請參照圖1，為一實施例中DC-DC電路中開關管的耐壓測試方法流程圖。該DC-DC電路中開關管的耐壓測試方法包括：步驟S110：根據(jù)DC-DC電路的結構進行流片以完成晶圓片的制作。在集成電路設計領域，“流片”指的是“試生產”，就是說設計完電路以后，先生產幾片或幾十片，供測試用。如果測試通過，再開始大規(guī)模生產。因此，經過流片制作的晶圓片是沒有經過封裝的。步驟S120：將所述晶圓片與傳輸線脈沖發(fā)生器連接。TLP(TransmissionLinePulse，傳輸線脈沖發(fā)生器)是一種集成電路靜電放電防護技術。在本實施例中，步驟S120具體包括：將所述晶圓片放置在傳輸線脈沖發(fā)生器上；確定所述晶圓片上的測試位置；將傳輸線脈沖發(fā)生器的測試探針插在所述測試位置對應的測試引腳上。在本實施例中，所述測試位置為5個，其中4個測試位置均勻地分布在所述晶圓片的四周，還有一個測試位置位于所述晶圓片的中央位置。可以理解，在其他實施例中，還可以在本實施例的基礎上增加測試位置。這樣可以驗證測試數(shù)據(jù)的準確性，同時也可以確認所述晶圓片的電學特性的均勻性情況，如果各個測試數(shù)據(jù)相差不大，求取所有測試數(shù)據(jù)的平均值作為最終的測試數(shù)據(jù)。步驟S130：記錄傳輸線脈沖發(fā)生器輸出的測試數(shù)據(jù)，所述測試數(shù)據(jù)包括維持電壓和維持電流。維持電壓和維持電流是指DC-DC電路中開關管的鉗位電壓和電流。維持電壓的值越大，表示開關管的開態(tài)耐壓越高。在本實施例中，所述測試數(shù)據(jù)還包括觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流以及二次擊穿電壓和二次擊穿電流，所述測試數(shù)據(jù)以曲線圖的方式輸出，具體如圖2所示。圖2中(Vt1，It1)為器件襯底和源端之間的PN結正向偏置，寄生的橫向晶體管開啟時的電壓和電流，又稱為觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流。(Vh，Ih)是寄生的橫向晶體管的鉗位電壓和電流，又稱維持電壓和維持電流。(Vt2，It2)是橫向晶體管發(fā)生二次擊穿時的電壓和電流。步驟S140：根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)獲取DC-DC電路中開關管的耐壓結果。采用傳輸線脈沖發(fā)生器來測試開關管的維持電壓，這樣在晶圓片上就可以測試，不必在封裝后外接電路進行測試，縮短了工藝開發(fā)周期，降低了開發(fā)成本。另外，因為TLP輸出的測試數(shù)據(jù)還包括觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流以及二次擊穿電壓和二次擊穿電流等詳細數(shù)據(jù)，這為后期對開關管的其他特性的研究也提供了便利性。在一個實施例中，步驟S110之后還包括確認所述晶圓片中各器件的閾值電壓、導通電流、漏電以及擊穿電壓的步驟。進一步地，在測試完成之后，需要將測試數(shù)據(jù)和曲線圖保存到計算機上進行備份，然后對晶圓片進行劃片、封裝。通過驗證，本專利技術測試得到的DC-DC電路中開關管的耐壓結果與晶圓片封裝后置于相應的測試電路中進行測試得到的耐壓結果基本相同。上述DC-DC電路中開關管的耐壓測試方法，將制作的晶圓片與傳輸線脈沖發(fā)生器連接來測試DC-DC電路中開關管的維持電壓，然后通過維持電壓來判斷DC-DC電路中開關管的耐壓性，這樣不必在封裝后外接電路進行測試，縮短了工藝開發(fā)周期，降低了開發(fā)成本。以上所述實施例僅表達了本專利技術的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本專利技術專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本專利技術構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本專利技術的保護范圍。因此，本專利技術專利的保護范圍應以所附權利要求為準。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種DC?DC電路中開關管的耐壓測試方法，其特征在于，包括：根據(jù)DC?DC電路的結構進行流片以完成晶圓片的制作；將所述晶圓片與傳輸線脈沖發(fā)生器連接；記錄傳輸線脈沖發(fā)生器輸出的測試數(shù)據(jù)，所述測試數(shù)據(jù)包括維持電壓和維持電流；根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)獲取DC?DC電路中開關管的耐壓結果。

【技術特征摘要】
1.一種DC-DC電路中開關管的耐壓測試方法，其特征在于，包括：根據(jù)DC-DC電路的結構進行流片以完成晶圓片的制作；將所述晶圓片與傳輸線脈沖發(fā)生器連接；記錄傳輸線脈沖發(fā)生器輸出的測試數(shù)據(jù)，所述測試數(shù)據(jù)包括維持電壓和維持電流；根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)獲取DC-DC電路中開關管的耐壓結果。2.根據(jù)權利要求1所述的DC-DC電路中開關管的耐壓測試方法，其特征在于，所述測試數(shù)據(jù)還包括觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流以及二次擊穿電壓和二次擊穿電流。3.根據(jù)權利要求2所述的DC-DC電路中開關管的耐壓測試方法，其特征在于，所述測試數(shù)據(jù)以曲線圖的方式輸出。4.根據(jù)權利要求1所述的DC-DC電路中開關管的耐壓測試方法，其特征在...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：馬春霞，肖魁，孫貴鵬，林中瑀，
申請(專利權)人：無錫華潤上華半導體有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：江蘇;32