一種高頻微帶基片式隔離器制造技術(shù)

本實用新型專利技術(shù)公開了一種高頻微帶基片式隔離器，屬于微波通信技術(shù)領(lǐng)域，包括底座、尖晶石鐵氧體基片、電阻膜層、環(huán)行器微帶電路、S形微帶線和永磁體，本實用新型專利技術(shù)具有結(jié)構(gòu)簡單、體積小、重量輕，適用頻率更高，適合表面貼裝和微電路集成等特點。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種微波通信
的信號隔離器，尤其涉及一種高頻微帶基片式隔離器。
技術(shù)介紹
微波通訊在日常生活、教育生產(chǎn)、軍事活動中的地位非常重要，而隨之而來需求對微波電子設(shè)備的發(fā)展有著極大的推動，更小型化、集成化的理念也對其中的鐵氧體隔離器產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生影響，傳統(tǒng)的嵌入式隔離器已經(jīng)基本不能滿足系統(tǒng)貼片的需求，同時嵌入式隔離器適用的頻率范圍較低，不能滿足高頻范圍的需求，微帶基片式隔離器逐漸成為高頻段微小型的主流選擇，目前較為常見的微帶基片式隔離器的工作頻率都在20-40GHz左右，無法滿足更高頻率的需求。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，旨在提供一種結(jié)構(gòu)簡單、適用于表面貼裝和微電路集成、并且滿足更高頻率范圍的工作要求，主要為50-70GHz頻率段的微帶基片式隔離器，解決了在50-70GHz的高頻頻率進行微帶基片式隔離的技術(shù)難題，并縮小了隔離器的體積，使其可以在有源相控陣雷達的一個陣面上放置更多的天線收發(fā)單元。為實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)采用以下技術(shù)方案：一種高頻微帶基片式隔離器，包括底座、尖晶石鐵氧體基片、電阻膜層、環(huán)行器微帶電路、S形微帶線和永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片的飽和磁矩為5000Gs，其上表面設(shè)置有電阻膜層和環(huán)行器微帶電路，所述環(huán)行器微帶電路的一只引腳與S形微帶線連接，S形微帶線設(shè)置在電阻膜層上，所述環(huán)行器微帶電路上設(shè)置有永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片固定在底座上,所述S形微帶線的長度為8～10mm。所述尖晶石鐵氧體基片的厚度為0.15-0.2mm。所述環(huán)行器微帶電路通過光刻技術(shù)電鍍在所述尖晶石鐵氧體基片上表面。所述電阻膜層通過薄膜工藝設(shè)置在所述尖晶石鐵氧體基片上。所述尖晶石鐵氧體基片通過焊錫焊接在底座上。所述永磁體通過環(huán)氧樹脂膠合在所述環(huán)行器微帶電路上。所述尖晶石鐵氧體基片的厚度為0.15mm。本技術(shù)所述的一種高頻微帶基片式隔離器，實現(xiàn)了永磁體縱向磁化尖晶石鐵氧體基片，尖晶石鐵氧體基片邊緣磁化均勻，接地良好，并且由于底座與尖晶石鐵氧體基片的熱膨脹系數(shù)相當(dāng)，能夠在焊接時保護尖晶石鐵氧體基片，降低了由于焊接而導(dǎo)致尖晶石鐵氧體基片開裂的風(fēng)險，提高了產(chǎn)品的可靠性，本技術(shù)的尖晶石鐵氧體基片上表面采取拋光處理，利用化學(xué)方法去油污以及雜質(zhì)粒子，物理方法對表面進行活化、去除吸附，保證電路膜層的附著力，本技術(shù)的高頻微帶基片式隔離器適用于表面貼裝技術(shù)，并通過金絲鍵合技術(shù)與微波電路相連接，本技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用長度為8～10mm的S形微帶線結(jié)構(gòu)，可以更有效的匹配微波電路，提高隔離效果，并且S形微帶線結(jié)構(gòu)的尺寸小，具有在有源相控陣雷達的一個陣面上放置更多的天線收發(fā)單元的優(yōu)點。附圖說明圖1為本技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本技術(shù)組裝后的示意圖。其中：1、底座，2、電阻膜層，3、環(huán)行器微帶電路，4、尖晶石鐵氧體基片，5、永磁體，6、S形微帶線。具體實施方式如圖1-2所示的一種高頻微帶基片式隔離器，包括底座1、尖晶石鐵氧體基片4、電阻膜層2、環(huán)行器微帶電路3、S形微帶線6和永磁體5，所述尖晶石鐵氧體基片4的飽和磁矩為5000Gs，其上表面設(shè)置有電阻膜層2和環(huán)行器微帶電路3，所述環(huán)行器微帶電路3的一只引腳與S形微帶線6連接，S形微帶線6設(shè)置在電阻膜層2上，所述環(huán)行器微帶電路3上設(shè)置有永磁體5，所述尖晶石鐵氧體基片4固定在底座1上,所述S形微帶線6的長度為8～10mm。所述尖晶石鐵氧體基片4的厚度為0.15-0.2mm。所述環(huán)行器微帶電路3通過光刻技術(shù)電鍍在所述尖晶石鐵氧體基片4上表面。所述電阻膜層2通過薄膜工藝設(shè)置在所述尖晶石鐵氧體基片4上。所述尖晶石鐵氧體基片4通過焊錫焊接在底座1上。所述永磁體5通過環(huán)氧樹脂膠合在所述環(huán)行器微帶電路3上。所述尖晶石鐵氧體基片4的厚度為0.15mm。工作時，所述飽和磁矩為5000Gs的尖晶石鐵氧體基片4居里溫度高，溫度穩(wěn)定性好，同時減薄基片的厚度能夠隔離器在更高頻范圍內(nèi)工作；本技術(shù)采用長度為8～10mm的S形微帶線6來衰減微波信號，可以很好的匹配環(huán)行器微帶電路3，使其適用于50-70GHz的高頻頻率。本技術(shù)所述的適用于50-70GHz的高頻微帶基片式隔離器，適用于表面貼裝技術(shù)，并通過金絲鍵合技術(shù)與微波電路相連接。本技術(shù)的主要技術(shù)指標(biāo)如下：頻率范圍：50-70GHz正向損耗：≤1.2dB反向隔離：≥18dB駐波系數(shù)：≤1.6溫度范圍：-30℃～+70℃接頭形式：W→W外形尺寸：5.5×2×3.5mm本技術(shù)所述的一種高頻微帶基片式隔離器，實現(xiàn)了永磁體縱向磁化尖晶石鐵氧體基片，尖晶石鐵氧體基片邊緣磁化均勻，接地良好，并且由于底座與尖晶石鐵氧體基片的熱膨脹系數(shù)相當(dāng)，能夠在焊接時保護尖晶石鐵氧體基片，降低了由于焊接而導(dǎo)致尖晶石鐵氧體基片開裂的風(fēng)險，提高了產(chǎn)品的可靠性，本技術(shù)的尖晶石鐵氧體基片上表面采取拋光處理，利用化學(xué)方法去油污以及雜質(zhì)粒子，物理方法對表面進行活化、去除吸附，保證電路膜層的附著力，本技術(shù)的高頻微帶基片式隔離器適用于表面貼裝技術(shù)，并通過金絲鍵合技術(shù)與微波電路相連接，本技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用長度為8～10mm的S形微帶線結(jié)構(gòu)，可以更有效的匹配微波電路，提高隔離效果，并且S形微帶線結(jié)構(gòu)的尺寸小，具有在有源相控陣雷達的一個陣面上放置更多的天線收發(fā)單元的優(yōu)點。如上所述，盡管參照特定的優(yōu)選實施例已經(jīng)表示和表述了本技術(shù)，但其不得解釋為對本技術(shù)自身的限制。在不脫離所附權(quán)利要求定義的本技術(shù)的精神和范圍前提下，可對其在形式上和細節(jié)上作出各種變化。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種高頻微帶基片式隔離器，其特征在于：包括底座(1)、尖晶石鐵氧體基片(4)、電阻膜層(2)、環(huán)行器微帶電路(3)、S形微帶線(6)和永磁體(5)，所述尖晶石鐵氧體基片(4)的飽和磁矩為5000Gs，其上表面設(shè)置有電阻膜層(2)和環(huán)行器微帶電路(3)，所述環(huán)行器微帶電路(3)的一只引腳與S形微帶線(6)連接，S形微帶線(6)設(shè)置在電阻膜層(2)上，所述環(huán)行器微帶電路(3)上設(shè)置有永磁體(5)，所述尖晶石鐵氧體基片(4)固定在底座(1)上,所述S形微帶線(6)的長度為8～10mm。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種高頻微帶基片式隔離器，其特征在于：包括底座(1)、尖晶石鐵氧體基片(4)、電阻膜層(2)、環(huán)行器微帶電路(3)、S形微帶線(6)和永磁體(5)，所述尖晶石鐵氧體基片(4)的飽和磁矩為5000Gs，其上表面設(shè)置有電阻膜層(2)和環(huán)行器微帶電路(3)，所述環(huán)行器微帶電路(3)的一只引腳與S形微帶線(6)連接，S形微帶線(6)設(shè)置在電阻膜層(2)上，所述環(huán)行器微帶電路(3)上設(shè)置有永磁體(5)，所述尖晶石鐵氧體基片(4)固定在底座(1)上,所述S形微帶線(6)的長度為8～10mm。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高頻微帶基片式隔離器，其特征在于：所述尖晶石鐵氧體基片(4)的厚度為0.15-0.2mm。3.根據(jù)權(quán)利...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉曠希，
申請(專利權(quán))人：南京廣順電子技術(shù)研究所，
類型：新型
國別省市：江蘇;32