【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及P型多晶雙面太陽能電池的生產制造領域，具體是一種提高多晶硅太陽能電池背面開壓的鍍膜工藝。
技術介紹
在普通單、多晶太陽能電池片工藝中，開路電壓Uoc是影響電池轉換效率的重要參數。Uoc主要由硅片本身品質和PN結工藝決定，而雙面電池的背面沒有PN結工藝，無法通過該工藝來提高背面Uoc。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是：如何通過鍍膜提高多晶硅雙面太陽能電池背面開壓。本專利技術所采用的技術方案是：一種提高多晶硅太陽能電池背面開壓的鍍膜工藝，按照如下的步驟進行：步驟一、將多晶硅片基材和純銀靶材置于等離子合金化爐內，抽真空至0.5Pa后，通入NH3，氣壓控制在35Pa，同時開啟工件電源和源極電源，使工件電壓高于源極電壓，壓差保持250V。緩慢升高電壓，溫度升至930℃后，保溫30min，對工件背面進行濺射2-4秒；步驟二、將溫度冷到430℃-450℃進行PECVD鍍膜，背面層膜鍍膜時，SiH4氣體流量為3.6slm，NH3的氣體流量為1100sccm，鍍膜時間150s，射頻功率為5650W，正面層膜鍍膜時，SiH4氣體流量為6.8slm，NH3的氣體流量為680sccm，鍍膜時間150s，射頻功率為5650W。本專利技術的有益效果是：本專利技術在PECVD鍍膜前，對多晶硅片背面進行銀硅摻雜，使SiN附在銀硅摻雜硅層上提高了多晶硅太陽能電池背面開壓。具體實施方式在進行PECVD鍍膜前，將多晶硅片基材和純銀靶材置于等離子合金化爐內，抽真空至0.5Pa后，通入NH3，氣壓控制在35Pa，同時開啟工件電源和源極電源，使工件電壓高于源極電壓，壓差保持...
【技術保護點】
一種提高多晶硅太陽能電池背面開壓的鍍膜工藝，其特征在于按照如下的步驟進行：步驟一、將多晶硅片基材和純銀靶材置于等離子合金化爐內，抽真空至0.5Pa后，通入NH3，氣壓控制在35Pa，同時開啟工件電源和源極電源，使工件電壓高于源極電壓，壓差保持250V，緩慢升高電壓，溫度升至930℃后，保溫30min，對工件兩面分別進行濺射2?4秒；步驟二、將溫度冷到430℃?450℃進行PECVD鍍膜，底層膜鍍膜時，SiH4氣體流量為3.6slm，NH3的氣體流量為1100sccm，鍍膜時間150s，射頻功率為5650W，頂層膜鍍膜時，SiH4氣體流量為6.8slm，NH3的氣體流量為680sccm，鍍膜時間150s，射頻功率為5650W。
【技術特征摘要】
1.一種提高多晶硅太陽能電池背面開壓的鍍膜工藝，其特征在于按照如下的步驟進行：步驟一、將多晶硅片基材和純銀靶材置于等離子合金化爐內，抽真空至0.5Pa后，通入NH3，氣壓控制在35Pa，同時開啟工件電源和源極電源，使工件電壓高于源極電壓，壓差保持250V，緩慢升高電壓，溫度升至930℃后，保溫30min，對工件兩面分...
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙科巍，郭衛，王恩宇，申開愉，張之棟，張波，
申請(專利權)人：山西潞安太陽能科技有限責任公司，
類型：發明
國別省市：山西;14
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