實施方式涉及提一種柔性有機發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法。第一無機層、第一有機層和第二無機層形成在OLED顯示裝置的像素區(qū)上。使用原子層沉積(ALD)來形成第一無機層的至少一部分,從而第一無機層完全地覆蓋在OLED上生成的顆粒。實施方式還涉及一種OLED顯示裝置,所述OLED顯示裝置具有像素區(qū),每個像素區(qū)包括OLED、跨過相鄰的像素區(qū)之間的邊界的堤岸層以及位于堤岸層和OLED的至少一部分上的第一無機層。第一無機層包括第一無機子層和第二無機子層。
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置,并且更具體地,涉及一種防止對于發(fā)光二極管的損害的OLED顯示裝置及其制造方法。
技術介紹
當前正在使用用于顯示圖像的各種顯示裝置。諸如液晶顯示(LCD)裝置、等離子顯示面板(PDP)和有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的平板顯示裝置由于其優(yōu)異的特性(薄外觀和輕重量)而正在被廣泛地研究和使用來替代陰極射線管(CRT)顯示裝置。由于OLED顯示裝置在響應時間、對比度、觀看角度和功耗方面具有優(yōu)勢,因此,OLED顯示裝置在平板顯示裝置中得到了廣泛的研究。包括有機發(fā)光層的發(fā)光二極管對于潮濕是非常脆弱的。為了防止?jié)駳馇秩氚l(fā)光二極管并且保護發(fā)光二極管,在發(fā)光二極管上附著有玻璃的封裝基板。近來,引入了柔性顯示裝置,例如,可折疊顯示裝置、可彎曲顯示裝置或者可卷曲顯示裝置。在柔性顯示裝置中,使用了新的封裝膜、無機層和有機層來替代玻璃封裝基板。圖1是現(xiàn)有技術中的OLED顯示裝置的示意性截面圖。如圖1中所示,OLED顯示裝置1包括柔性基板10,其中限定有顯示區(qū)域AA和位于顯示區(qū)域AA周圍的非顯示區(qū)域NA;柔性基板10上的發(fā)光二極管D和覆蓋發(fā)光二極管D的封裝膜20。柔性基板10可以由諸如聚酰亞胺的聚合物形成,并且發(fā)光二極管D形成在柔性基板10上。雖然未示出,但是發(fā)光二極管D包括第一電極、面對第一電極的第二電極和位于第一電極與第二電極之間的有機發(fā)光層。另外,作為切換元件的開關薄膜晶體管(TFT)和作為驅動元件的驅動TFT形成在每個像素區(qū)中并且位于柔性基板10上。例如,發(fā)光二極管D的第一電極可以連接到驅動TFT。封裝膜20覆蓋發(fā)光二極管D并且對應于顯示區(qū)域AA和非顯示區(qū)域NA。通過封裝膜20防止在高溫及高濕度條件下對于發(fā)光二極管D的損害。在封裝膜20中,無機層和有機層被交替地堆疊。例如,封裝膜20可以包括位于發(fā)光二極管D上的第一無機層22、位于第一無機層22上的有機層24和位于有機層24上的第二無機層26。即,封裝膜20可以具有三層結構。另外,阻擋膜30可以使用粘附層32附著到封裝膜20。然而,當在高溫及高濕的條件下操作或儲存OLED顯示裝置1時,仍然會產生對于發(fā)光二極管D的損害。另外,當OLED顯示裝置被折疊、彎曲或卷曲時,在發(fā)光二極管D中存在其它損害。因此,顯示技術的OLED顯示裝置1的顯示質量或壽命方面存在問題。
技術實現(xiàn)思路
實施方式涉及一種形成有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的方法。在柔性基板的顯示區(qū)域上形成多個像素區(qū),每個像素區(qū)均包括OLED。使用原子層沉積(ALD)或等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)在所述多個像素區(qū)上形成第一無機層的至少一部分。形成第一有機層以及使用PECVD形成第二無機層。在一個實施方式中,使用ALD形成整個第一無機層。在一個實施方式中,使用ALD形成第一無機層的第一無機子層并且使用PECVD形成第一無機層的第二無機子層。在一個實施方式中,第二無機子層形成在第一無機子層上。在一個實施方式中,第一無機子層形成在第二無機子層上。在一個實施方式中,在第二無機層上形成第二有機層。在一個實施方式中,第一有機層的厚度大于第二有機層的厚度,并且第一有機層由丙烯基化合物形成以及第二有機層由環(huán)氧基化合物形成。在一個實施方式中,第二有機層的模量值小于第一有機層的模量值。在一個實施方式中,第一無機子層的厚度為0.01微米至0.1微米。在一個實施方式中,第二無機子層和第二無機層的厚度為0.1微米至2微米。實施方式還涉及一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置。所述顯示裝置包括柔性基板,所述柔性基板具有顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域;以及多個像素區(qū),所述多個像素區(qū)位于所述柔性基板的所述顯示區(qū)域上。每個像素區(qū)均包括驅動晶體管和有機發(fā)光二極管,所述有機發(fā)光二極管包括第一電極、有機發(fā)光層和第二電極。所述第一電極連接到所述驅動晶體管的電極。堤岸層被放置在所述像素區(qū)和與該像素區(qū)相鄰的像素區(qū)之間的邊界中并且延伸跨過該邊界。間隔件位于所述堤岸層的一部分上,所述間隔件的距離所述堤岸層的第一距離的一部分的寬度小于該間隔件的距離所述堤岸層的第二距離的另一部分的寬度,所述第二距離大于所述第一距離。第一無機層覆蓋所述間隔件的側表面的至少一部分。在一個實施方式中,所述顯示裝置進一步包括位于第一無機層上的第一有機層和位于第一有機層上的第二無機層。第二無機層的厚度大于第一無機層的厚度。在一個實施方式中,第一無機層的厚度為0.01微米至0.1微米。在一個實施方式中,第二無機層的厚度為0.1微米至2微米。在一個實施方式中,間隔件是倒錐形形狀。在一個實施方式中,第一無機層是通過原子層沉積(ALD)沉積來沉積的。在一個實施方式中,第二電極材料圖案位于間隔件的頂面上,其中,第二電極材料圖案與第二電極物理地隔離。實施方式還涉及一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置。所述顯示裝置包括:柔性基板,所述柔性基板具有顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域;以及多個像素區(qū),所述多個像素區(qū)位于所述柔性基板的所述顯示區(qū)域上。每個像素區(qū)均包括:驅動晶體管;有機發(fā)光二極管,所述有機發(fā)光二極管包括第一電極、有機發(fā)光層和第二電極。所述第一電極連接到所述驅動晶體管的電極。堤岸層被布放置在所述像素區(qū)和與該像素區(qū)相鄰的像素區(qū)之間的邊界中并且延伸跨過所述邊界。所述顯示裝置還包括第一無機層,所述第一無機層位于所述有機發(fā)光二極管的至少一部分上并且位于所述堤岸層的至少一部分上,所述第一無機層具有第一無機子層和第二無機子層。在一個實施方式中,第一無機子層或第二無機子層的至少一部分具有0.01微米至0.1微米的厚度。在一個實施方式中,所述顯示裝置進一步包括位于堤岸層的一部分上的間隔件,其中,所述間隔件的距離所述堤岸層的第一距離的一部分的寬度小于該間隔件的距離所述堤岸層的第二距離的另一部分的寬度,所述第二距離大于所述第一距離。在一個實施方式中,所述顯示裝置進一步包括位于第一無機層上的第一有機層、位于第一有機層上的第二無機層和位于第二無機層上的第二有機層。第二有機層的模量值小于第一有機層的模量值。將在下面的描述中闡述本專利技術的額外的特征和優(yōu)點,并且其一部分根據(jù)描述將會變得更加清楚,或者可以通過本專利技術的實踐來了解。將通過在所撰寫的說明書及其權利要求以及附圖中特別指出的結構來實現(xiàn)和獲得本專利技術的目的和其它優(yōu)點。將理解的是,前述一般性描述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的并且意在提供如權利要求所記載的本專利技術的進一步的說明。附記1.一種形成有機發(fā)光二極管OLED顯示裝置的方法,所述方法包括以下步驟:在柔性基板的顯示區(qū)域上形成多個像素區(qū),所述多個像素區(qū)中的每一個包括OLED;使用原子層沉積ALD或等離子體增強化學氣相沉積PECVD在所述多個像素區(qū)上形成第一無機層的至少一部分;形成第一有機層;以及使用PECVD形成第二無機層。附記2.根據(jù)附記1所述的方法,其中,使用ALD形成整個所述第一無機層。附記3.根據(jù)附記1所述的方法,其中,所述形成第一無機層的至少一部分的步驟包括以下步驟:使用ALD形成所述第一無機層的第一無機子層;以及使用PECVD形成所述第一無機層的第二無機子層。附記4.根據(jù)附記3所述的方法,其中,所述第二無機子層形成在所述第一無機子層上。附本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種形成有機發(fā)光二極管OLED顯示裝置的方法,所述方法包括以下步驟:在柔性基板的顯示區(qū)域上形成多個像素區(qū),所述多個像素區(qū)中的每一個包括OLED;使用原子層沉積ALD或等離子體增強化學氣相沉積PECVD在所述多個像素區(qū)上形成第一無機層的至少一部分;形成第一有機層;以及使用PECVD形成第二無機層。
【技術特征摘要】
2015.06.30 KR 10-2015-00928361.一種形成有機發(fā)光二極管OLED顯示裝置的方法,所述方法包括以下步驟:在柔性基板的顯示區(qū)域上形成多個像素區(qū),所述多個像素區(qū)中的每一個包括OLED;使用原子層沉積ALD或等離子體增強化學氣相沉積PECVD在所述多個像素區(qū)上形成第一無機層的至少一部分;形成第一有機層;以及使用PECVD形成第二無機層。2.一種有機發(fā)光二極管OLED顯示裝置,所述顯示裝置包括:柔性基板,所述柔性基板具有顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域;多個像素區(qū),所述多個像素區(qū)位于所述柔性基板的所述顯示區(qū)域上,所述多個像素區(qū)中的每一個包括:驅動晶體管;有機發(fā)光二極管,所述有機發(fā)光二極管包括第一電極、有機發(fā)光層和第二電極,所述第一電極連接到所述驅動晶體管的電極;堤岸層,所述堤岸層被放置在所述像素區(qū)和與該像素區(qū)相鄰的像素區(qū)之間的邊界中并且延伸跨...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員:李在暎,金智珉,金志燕,吳相訓,
申請(專利權)人:樂金顯示有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:韓國;KR
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