低壓化學氣相沉淀腔的導氣支撐管制造技術
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體
，特別涉及晶圓的化學氣相沉淀腔。
技術介紹
低壓化學氣相沉淀是指將沉淀腔中抽成低壓狀態，將反應氣體置入沉淀腔中，反應氣體擴散至沉淀腔中的晶圓表面，在晶圓表面附近的反應區發生反應形成薄膜。現有的低壓化學沉淀腔的結構設計不合理，反應氣體不能均勻的擴散至晶圓表面，導致形成的薄膜厚度不均勻。
技術實現思路
針對現有技術存在的上述問題，申請人進行研究及改進，提供一種低壓化學氣相沉淀腔的導氣支撐管，其提高反應氣體的擴散均勻性，提高薄膜的成型均勻度。為了解決上述問題，本專利技術采用如下方案：一種低壓化學氣相沉淀腔的導氣支撐管，包括一豎直置于腔體中的導氣支撐管，所述導氣支撐管的管壁上間隔設有多個導氣孔，所述導氣孔處套設有轉套，所述轉套上安裝有橫置的導氣管，所述導氣管的管壁上均布有出氣孔，上下相鄰的轉套之間的導氣支撐管上安裝有夾持晶圓的夾頭。本專利技術的技術效果在于：本專利技術中，將導氣結構及用于支撐晶圓的支撐結構結合一起，簡化腔體內部結構，并且合理設置的導氣管，大大提高反應氣體與晶圓的接觸均勻度。附圖說明圖1為本專利技術的結構示意圖。圖2為本專利技術中導氣支撐管的結構圖。圖3為本專利技術中導氣支撐管的局部結構圖。圖中：1、腔體；2、導氣支撐管；3、轉套；4、導氣管；5、出氣孔；6、晶圓；7、夾頭。具體實施方式下面結合附圖對本專利技術的具體實施方式作進一步說明。如圖1、圖2及圖3所示，本實施例的低壓化學氣相沉淀腔的導氣支撐管，包括一豎直置于腔體1中的導氣支撐管2，導氣支撐管2的管壁上間隔設有多個導氣孔，導氣孔處套設有轉套3，轉套3上安裝有橫置的導氣...
【技術保護點】
一種低壓化學氣相沉淀腔的導氣支撐管，其特征在于：包括一豎直置于腔體(1)中的導氣支撐管(2)，所述導氣支撐管(2)的管壁上間隔設有多個導氣孔，所述導氣孔處套設有轉套(3)，所述轉套(3)上安裝有橫置的導氣管(4)，所述導氣管(4)的管壁上均布有出氣孔(5)，上下相鄰的轉套(3)之間的導氣支撐管(2)上安裝有夾持晶圓(6)的夾頭(7)。
【技術特征摘要】
1.一種低壓化學氣相沉淀腔的導氣支撐管，其特征在于：包括一豎直置于腔體(1)中的導氣支撐管(2)，所述導氣支撐管(2)的管壁上間隔設有多個導氣孔，所述導氣孔處套設有轉套(...
【專利技術屬性】
技術研發人員：呂耀安，
申請(專利權)人：無錫宏納科技有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇;32
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