一種功率器件制造技術(shù)

本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)了一種功率器件,涉及半導(dǎo)體電子元器件制造技術(shù)領(lǐng)域，包括框架和位于框架下方的引線腳；所述框架上設(shè)置有載片區(qū)，載片區(qū)上設(shè)置有芯片；所述框架外設(shè)置有塑封體，且框架的表面上設(shè)置有加固齒；所述引線腳為4個(gè)，且分別為輸入腳、控制腳、參照腳和輸出腳；所述輸入腳與框架連接，且控制腳、參照腳和輸出腳分別通過(guò)引線與芯片連接。本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)在原有3只引線腳的基礎(chǔ)上增加一個(gè)參照腳進(jìn)行參照或備用，當(dāng)輸入腳、控制腳等因有電壓相互影響時(shí)，可靈活用參照腳予以區(qū)隔，同時(shí)可以通過(guò)參照腳對(duì)電壓、電流的取值進(jìn)行參照設(shè)置，增加了器件的功能特性。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體電子元器件制造
，具體而言，涉及一種功率器件。
技術(shù)介紹
信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展為電子元器件行業(yè)帶來(lái)機(jī)遇。人們開(kāi)始越來(lái)越關(guān)注小元器件的發(fā)展，新型電子元器件體現(xiàn)了當(dāng)代和今后電子元器件向高頻化、高精度、高功率、多功能、組件化、復(fù)合化、模塊化和智能化等的發(fā)展趨勢(shì)。同時(shí)，產(chǎn)品的安全性和綠色化也是影響其發(fā)展前途和市場(chǎng)的重要因素。為適應(yīng)電子整機(jī)普及和規(guī)模生產(chǎn)、電子元器件的生產(chǎn)規(guī)模將以年產(chǎn)百億計(jì)。現(xiàn)有的功率器件常規(guī)都是3只管腳，通常由控制、輸入、輸出等組成，輸入腳通常電壓較高，控制腳和輸出腳通常都是低電壓操控，當(dāng)輸入腳為較高電壓時(shí)，容易導(dǎo)致輸入腳和控制腳等腳打火，打火會(huì)導(dǎo)致管腳功能相互影響導(dǎo)致同時(shí)若由于電路設(shè)計(jì)需要，需要以器件管腳作為電壓或電流參照等也不能實(shí)現(xiàn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于提供一種功率器件，以解決上述問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)本技術(shù)目的，采用的技術(shù)方案為：一種功率器件，包括框架和位于框架下方的引線腳；所述框架上設(shè)置有載片區(qū)，載片區(qū)上設(shè)置有芯片；所述框架外設(shè)置有塑封體，且框架的表面上設(shè)置有加固齒；所述引線腳為4個(gè)，且分別為輸入腳、控制腳、參照腳和輸出腳；所述輸入腳與框架連接，且控制腳、參照腳和輸出腳分別通過(guò)引線與芯片連接。進(jìn)一步的，所述輸入腳與控制腳之間的間隙大于控制腳與參照腳之間的間隙，且控制腳與參照腳之間的間隙等于參照腳與輸出腳之間的間隙。進(jìn)一步的，所述框架的上方設(shè)置有散熱片，且散熱片與框架的銜接處設(shè)置有結(jié)合孔。進(jìn)一步的，所述結(jié)合孔為長(zhǎng)腰孔。進(jìn)一步的，所述加固齒為V型齒。進(jìn)一步的，所述塑封體與框架精密配合。進(jìn)一步的，所述載片區(qū)通過(guò)精壓成型，且芯片與引線均為焊裝。本技術(shù)的有益效果是，1.通過(guò)在原有3只引線腳的基礎(chǔ)上增加一個(gè)參照腳進(jìn)行備用，可以通過(guò)參照腳對(duì)電壓的取值進(jìn)行參照，同時(shí)根據(jù)電路或器件功能需要，可以將參照腳賦予新的功能，或者將參照腳作為空置，起到隔離輸入和控制腳之間的作用，避免電壓或電流之間的相互干擾。2.將輸入腳和控制腳間隔距離設(shè)置的較大，能避免輸入腳與控制腳的電壓干擾，控制腳與參照腳之間的間距等于參照腳與輸出腳之間的間距，可以減少器件體積。3.通過(guò)在框架與散熱片的銜接處設(shè)置有結(jié)合孔，使框架在進(jìn)行塑封時(shí)讓塑封料在包封過(guò)程中貫穿此孔，增強(qiáng)器件塑封體和框架的結(jié)合強(qiáng)度。4.過(guò)在框架的外表面上設(shè)置加固齒，使器件塑封體與框架上的加固齒完全配合，增強(qiáng)了框架與塑封體的結(jié)合強(qiáng)度，和氣密性，避免器件在加工或使用過(guò)程中受液體或濕氣影響，提高了抗潮濕等級(jí)。附圖說(shuō)明圖1是本技術(shù)提供的功率器件的主視圖；圖2是本技術(shù)提供的功率器件的左視圖；附圖中標(biāo)記及相應(yīng)的零部件名稱(chēng)：1、框架，2、引線腳，21、輸入腳，22、控制腳，23、參照腳，24、輸出腳，3、載片區(qū)，4、芯片，5、引線，6、散熱片，7、結(jié)合孔，8、塑封體，9、加固齒。具體實(shí)施方式下面通過(guò)具體的實(shí)施例子并結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。圖1、圖2所示出了本技術(shù)提供的一種功率器件，包括框架1和位于框架1下方的引線腳2，引線腳2為空管腳，直接聯(lián)絡(luò)PCB上的焊錫，促進(jìn)器件散熱。所述框架1上設(shè)置有載片區(qū)3，載片區(qū)3上設(shè)置有芯片4，芯片4通過(guò)焊料焊裝在載片區(qū)3上。所述引線腳2為4個(gè)，且分別為輸入腳21、控制腳22、參照腳23和輸出腳24，輸入腳21為高電壓腳，控制腳22、參照腳23和輸出腳24均為低電壓腳。所述輸入腳21與框架1連接，且控制腳22、參照腳23和輸出腳24分別通過(guò)引線5與芯片4連接，引線5的兩端均通過(guò)焊料焊接安裝。所述輸入腳21與控制腳22之間的間隙大于控制腳22與參照腳23之間的間隙，且控制腳22與參照腳23之間的間隙等于參照腳23與輸出腳24之間的間隙，不僅能避免輸入腳21與控制腳22的電壓干擾，同時(shí)可以減少器件體積。所述框架1的上方設(shè)置有散熱片6，且散熱片6與框架1的銜接處設(shè)置有結(jié)合孔7，使框架1在進(jìn)行塑封時(shí)讓塑封料在包封過(guò)程中貫穿結(jié)合孔7，增強(qiáng)器件塑封體8和框架1的結(jié)合強(qiáng)度。且結(jié)合孔7為長(zhǎng)腰孔，還可以為矩形孔、圓形孔、三角行孔和梯形孔等。所述框架1外設(shè)置有塑封體8，塑封體8將框架1進(jìn)行封存，且塑封體8同時(shí)能對(duì)引線腳2的上部進(jìn)行保護(hù)?？蚣?的表面上設(shè)置有加固齒9，加固齒9為V型齒，目的是增強(qiáng)樹(shù)脂和載片結(jié)合強(qiáng)度；且加固齒9還可以為U型齒、梯形齒等，且加固齒9為并排設(shè)置，加固齒9有規(guī)律的排布在框架1的表面上。所述塑封體8與框架1精密配合，增強(qiáng)了器件與塑封體8的結(jié)合強(qiáng)度和氣密性，避免器件在加工或使用過(guò)程中受液體或濕氣影響，提高器件的抗潮濕等級(jí)。所述載片區(qū)3通過(guò)精壓成型，確保了載片區(qū)3的平整度，且載片區(qū)3容納芯片4的尺寸為6×5mm，提高了器件的可靠性，且芯片4與引線5均為焊裝，使芯片4與引線5的安裝更加穩(wěn)固。以上所述僅為本技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本技術(shù)，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本技術(shù)可以有各種更改和變化。凡在本技術(shù)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本技術(shù)的保護(hù)范圍之內(nèi)。本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種功率器件，其特征在于，包括框架和位于框架下方的引線腳；所述框架上設(shè)置有載片區(qū)，載片區(qū)上設(shè)置有芯片；所述框架外設(shè)置有塑封體，塑封體與框架精密配合，且框架的表面上設(shè)置有加固齒；所述引線腳為4個(gè)，且分別為輸入腳、控制腳、參照腳和輸出腳；所述輸入腳與框架連接，且控制腳、參照腳和輸出腳分別通過(guò)引線與芯片連接；所述載片區(qū)通過(guò)精壓成型，且芯片與引線均為焊裝。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種功率器件，其特征在于，包括框架和位于框架下方的引線腳；所述框架上設(shè)置有載片區(qū)，載片區(qū)上設(shè)置有芯片；所述框架外設(shè)置有塑封體，塑封體與框架精密配合，且框架的表面上設(shè)置有加固齒；所述引線腳為4個(gè)，且分別為輸入腳、控制腳、參照腳和輸出腳；所述輸入腳與框架連接，且控制腳、參照腳和輸出腳分別通過(guò)引線與芯片連接；所述載片區(qū)通過(guò)精壓成型，且芯片與引線均為焊裝。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李科，蔡少峰，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：四川立泰電子有限公司，
類(lèi)型：新型
國(guó)別省市：四川;51