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    一種高隔離三同軸漏泄同軸電纜制造技術

    技術編號:14450568 閱讀:176 留言:0更新日期:2017-01-18 11:55
    本發明專利技術提供了一種高隔離三同軸漏泄同軸電纜,其使得電纜的隔離性能好,且同時增強原主輻射信號,使得漏纜間同行布線距離可大幅度縮短,從而在空間有限區域內布置漏纜使得該區域滿足信號覆蓋的要求。其包括自中心向外環面依次設置的內導體、內絕緣層、內層外導體、外絕緣層和護套,其特征在于:內層外導體設置有空隙缺口,空隙缺口所形成的空隙弧度α為0~0.5π,空隙弧度α隨著最優使用頻率的升高而減小,對應于空隙缺口的外環位置布置有外層外導體,所述外層外導體為一段圓弧金屬,外層外導體、內層外導體、內導體三者所對應的中心軸重合,所述外層外導體位于所述內層外導體的外側布置,所述外層外導體的圓弧弧度β大于空隙弧度α。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及電纜結構的
    ,具體為一種高隔離三同軸漏泄同軸電纜。
    技術介紹
    在無線通信領域關于無線信號覆蓋中,在隧道、電梯、礦井等呈帶狀的狹長分布的區域內,以及在金屬建筑等全屏蔽或半屏蔽區域內,覆蓋區域由于地理環境和電磁環境的限制,必然會存在著信號弱區、盲區,對于這些使用正常方式無法滿足信號覆蓋要求的區域,使用漏纜和天線進行信號覆蓋是有必要的,其中在密閉狹長空間里使用漏纜是最佳的選擇。但是由于現今無線通信系統種類繁多,在很多區域進行無線覆蓋由于布線區域空間有限,而漏泄同軸電纜對于布線有特殊的間距要求,必然會涉及到由于密集布線,導致電磁環境惡劣而影響到漏泄同軸電纜的傳輸效果,引起信號間的相互干擾或者信號串擾而降低通信質量的問題。同時,在漏泄同軸電纜密集使用的城市軌道交通系統中,隨著LTE在城市軌道交通中的推廣,采用的MIMO技術對于隔離度有很高的要求,常規漏纜很難達到?,F有的漏泄同軸電纜的結構,其包括自中心向外環面依次設置的內導體、絕緣層、外導體和護套層,所述外導體設有根據實際需求設置的槽孔,這樣的漏泄同軸電纜需要的間距要求大,在空間有限的區域內無法滿足信號覆蓋的要求。
    技術實現思路
    針對上述問題,本專利技術提供了一種高隔離三同軸漏泄同軸電纜,其使得電纜的隔離性能好,且同時增強原主輻射信號,使得漏纜間同行布線距離可大幅度縮短,從而在空間有限區域內布置漏纜使得該區域滿足信號覆蓋的要求。同時,所提供的漏泄同軸電纜具有寬頻均勻輻射的特性,最寬使用頻率范圍5MHz~3000MHz,這為多系統共用漏纜提供了便利,解決多系統合路共用一根漏纜時所面臨的多頻點多系統接入的擴頻問題、高低頻單邊覆蓋距離差異的問題、多信號同行的干擾、串擾問題和密集布線帶來的信號的惡化問題。一種高隔離三同軸漏泄同軸電纜,其技術方案是這樣的:其包括自中心向外環面依次設置的內導體、內絕緣層、內層外導體、外絕緣層和護套,其特征在于:所述內層外導體設置有空隙缺口,所述空隙缺口所形成的空隙弧度α為0~0.5π,空隙弧度α隨著最優使用頻率的升高而減小,對應于所述空隙缺口的外環位置布置有外層外導體,所述外層外導體為一段圓弧金屬,所述外層外導體、所述內層外導體、內導體三者所對應的中心軸重合,所述外層外導體位于所述內層外導體的外側布置,所述外層外導體的圓弧弧度β大于空隙弧度α,所述外層外導體完全覆蓋住所述內層外導體的圓心向空隙缺口的兩端點的外側延伸的面域部分,所述外層外導體與內層外導體的存在間距d,所述內層外導體上開有槽孔,開槽孔的位置按周期節距P重復。其進一步特征在于:開槽孔位置不局限在其空隙缺口的正對面,具體根據實際使用環境和隔離度要求的高低選擇;用于低頻傳輸信號時,所述內層外導體可開槽孔也可不開槽孔,若不開槽孔信號由空隙缺口向外泄漏;所述外層外導體與內層外導體的間距式中c為真空中光速、取3.0×108m/s,ε為外層絕緣相對等效介電常數,其按照特定的使用頻段確定,使用頻段包括帶寬和頻率,需滿足使用中心頻率或最大使用頻率f對應波長λ鏡像反射要求,即在四分之一波長以內;所述外層外導體與內層外導體的間距d還與電磁信號輻射方式有關,其受內層絕緣介電常數、內層外導體設計以及頻率特性共同影響,具體間距d由設計仿真和實驗測試最終確定;所述外層外導體的圓弧弧度β取值范圍為0.5π~1.5π,所述內導體的材質為銅包鋁、鍍銀銅、光滑銅管或皺紋銅管中的一種;所述內層絕緣通過低損均勻介質物理發泡聚乙烯填充,要求其發泡度在保證合適強度情況下盡可能加大,以保證絕緣有較低的介電常數,電磁信號傳輸具有較高的速率比和較低的損耗;所述內層外導體具體為通過帶有厚度的薄銅帶或鋁帶縱包,所述空隙缺口的位置根據實際需要變換;所述外層絕緣的相對介電常數和絕緣厚度調整應滿足對應波長鏡像反射要求;所述護套起保護作用,所述護套的厚度和材料選擇由具體工作環境和性能要求決定。采用本專利技術后,信號在漏泄同軸電纜中傳輸,由內層外導體的槽孔輻射的同時由內層外導體的空隙缺口處向外輻射,經過外層外導體后向輻射方向反射,信號由輻射和耦合產生,此結構漏纜產生的電磁波是槽孔輻射和空隙缺口漏泄的電磁能量的矢量合,所以使用頻率由內層外導體的槽孔結構和空隙缺口的位置和弧度共同決定,其孔槽設置可按寬頻漏纜700MHz~3000MHz頻率設計,低于700MHz的低頻信號由內層外導體的空隙缺口向外泄露,所以3000MHz以下全頻可用,存在最優使用頻段,且由于內層外導體和外層外導體的雙層屏蔽作用,能有效隔離來自外導體背面的電磁干擾,兩層金屬隔離,增大了漏纜間的隔離度,同時外層外導體能將漏纜槽孔背面耦合產生的信號反射到主輻射方向上,增強原輻射信號;綜上,其使得電纜的隔離性能好,且同時增強原主輻射信號,使得漏纜間同行布線距離可大幅度縮短,從而在空間有限區域內布置漏纜使得該區域滿足信號覆蓋的要求。同時,所提供的漏泄同軸電纜具有寬頻均勻輻射的特性,最寬使用頻率范圍5MHz~3000MHz,這為多系統共用漏纜提供了便利,解決多系統合路共用一根漏纜時所面臨的多頻點多系統接入的擴頻問題、高低頻單邊覆蓋距離差異的問題、多信號同行的干擾、串擾問題和密集布線帶來的信號的惡化問題。附圖說明圖1為本專利技術的具體實施例一主視圖結構示意圖;圖2為圖1的剖視圖結構示意圖;圖3為本專利技術的具體實施例二主視圖結構示意圖;圖4為圖3的剖視圖結構示意圖;圖中序號所對應的名稱如下:內導體1、內絕緣層2、內層外導體3、外絕緣層4、護套5、空隙缺口6、外層外導體7、槽孔8。具體實施方式一種高隔離三同軸漏泄同軸電纜,見圖1~圖4,其包括自中心向外環面依次設置的內導體1、內絕緣層2、內層外導體3、外絕緣層4和護套5,內層外導體3設置有空隙缺口6,空隙缺口6所形成的空隙弧度α為0~0.5π,空隙弧度α隨著最優使用頻率的升高而減小,對應于空隙缺口6的外環位置布置有外層外導體7,外層外導體7為一段圓弧金屬,外層外導體7、內層外導體3、內導體1三者所對應的中心軸重合,外層外導體7位于內層外導體3的外側布置,外層外導體7的圓弧弧度β大于空隙弧度α,外層外導體7完全覆蓋住內層外導體3的圓心向空隙缺口的兩端點的外側延伸的面域部分,外層外導體7與內層外導體3的存在間距d,外層外導體7與內層外導體3的間距式中c為真空中光速、取3.0×108m/s,ε為外層絕緣相對等效介電常數,其按照特定的使用頻段確定,使用頻段包括帶寬和頻率,需滿足使用中心頻率或最大使用頻率f對應波長λ鏡像反射要求,即在四分之一波長以內;外層外導體7與內層外導體3的間距d還與電磁信號輻射方式有關,其受內層絕緣介電常數、內層外導體3設計以及頻率特性共同影響,具體間距d由設計仿真和實驗測試最終確定;外層外導體7的圓弧弧度β取值范圍為0.5π~1.5π,外層外導體7寬度選擇由內層外導體閉合度、外層絕緣尺寸、使用波長和漏纜隔離度要求共同決定;內導體1的材質為銅包鋁、鍍銀銅、光滑銅管或皺紋銅管中的一種;內層絕緣2通過低損均勻介質物理發泡聚乙烯填充,要求其發泡度在保證合適強度情況下盡可能加大,以保證絕緣有較低的介電常數,電磁信號傳輸具有較高的速率比和較低的損耗;內層外導體3具體為通過帶有厚度的薄銅帶或鋁帶縱包,空隙缺口6的位置根據實際需要變本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種高隔離三同軸漏泄同軸電纜,其包括自中心向外環面依次設置的內導體、內絕緣層、內層外導體、外絕緣層和護套,其特征在于:所述內層外導體設置有空隙缺口,所述空隙缺口所形成的空隙弧度α為0~0.5π,空隙弧度α隨著最優使用頻率的升高而減小,對應于所述空隙缺口的外環位置布置有外層外導體,所述外層外導體為一段圓弧金屬,所述外層外導體、所述內層外導體、內導體三者所對應的中心軸重合,所述外層外導體位于所述內層外導體的外側布置,所述外層外導體的圓弧弧度β大于空隙弧度α,所述外層外導體完全覆蓋住所述內層外導體的圓心向空隙缺口的兩端點的外側延伸的面域部分,所述外層外導體與內層外導體的存在間距d,所述內層外導體上開有槽孔,開槽孔的位置按周期節距P重復。

    【技術特征摘要】
    1.一種高隔離三同軸漏泄同軸電纜,其包括自中心向外環面依次設置的內導體、內絕緣層、內層外導體、外絕緣層和護套,其特征在于:所述內層外導體設置有空隙缺口,所述空隙缺口所形成的空隙弧度α為0~0.5π,空隙弧度α隨著最優使用頻率的升高而減小,對應于所述空隙缺口的外環位置布置有外層外導體,所述外層外導體為一段圓弧金屬,所述外層外導體、所述內層外導體、內導體三者所對應的中心軸重合,所述外層外導體位于所述內層外導體的外側布置,所述外層外導體的圓弧弧度β大于空隙弧度α,所述外層外導體完全覆蓋住所述內層外導體的圓心向空隙缺口的兩端點的外側延伸的面域部分,所述外層外導體與內層外導體的存在間距d,所述內層外導體上開有槽孔,開槽孔的位置按周期節距P重復。2.如權利要求1所述的一種高隔離三同軸漏泄同軸電纜,其特征在于:開槽孔位置不局限在其空隙缺口的正對面,具體根據實際使用環境和隔離度要求的高低選擇。3.如權利要求1所述的一種高隔離三同軸漏泄同軸電纜,其特征在于:用于低頻傳輸信號時,所述內層外導體可不開槽孔,信號由空隙缺口向外泄漏。4.如權利要求1至3中任一權利要求所述的一種高隔離三同軸漏泄同軸電纜,其特征在于:所述外層外導體與內層外導體的間距式中c為真空中...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:楊志行,李申月,潘高彥
    申請(專利權)人:江蘇亨鑫科技有限公司
    類型:發明
    國別省市:江蘇;32

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