【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及硅材料加工
，具體涉及一種用于硅片清洗的酸性超聲波清洗劑。
技術介紹
硅材料，是重要的半導體材料，化學元素符號Si，電子工業上使用的硅應具有高純度和優良的電學和機械等性能，硅是產量最大、應用最廣的半導體材料，它的產量和用量標志著一個國家的電子工業水平，單晶硅在太陽能電池中的應用，高純的單晶硅是重要的半導體材料。在光伏技術和微小型半導體逆變器技術飛速發展的今天，利用硅單晶所生產的太陽能電池可以直接把太陽能轉化為光能，實現了邁向綠色能源革命的開始。硅片是硅材料存在的一種物理形式，在正常的應用中，硅片，是制作集成電路的重要材料，通過對硅片進行光刻、離子注入等手段，可以制成各種半導體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運算能力，科學技術的發展不斷推動著半導體的發展，自動化和計算機等技術發展，使硅片這種高技術產品的造價已降到十分低廉的程度，然而硅片在加工時，不同的工藝節點都會使得硅片加工出現瑕疵。硅片一般都是通過相應的硅碇進行切片而成，由于在切割時，應用大量的切削液，潤滑液等化學試劑，因此硅片在切割后，在其本身會存留有大量的化學污漬，此類污漬附著在加工成型后的硅片表面，會影響硅片本身性能，因此必須進行相應的清洗，硅片清洗相對于普通材料清洗不同，如果清洗不當，很容易將硅片表面劃傷或者磕傷，因此超聲波清洗時相對較為溫和的清洗方法，但是現有的技術中，利用超聲波技術進行清洗的清洗劑一般都是普通的清洗試劑，這種試劑在進行使用時，清洗的效果并不明顯，并且清洗后也會有部分附著在硅片表面，還會對硅片造成損傷，造成二次污染等技術問題。
技術實現思路
：本專利技術所要解決...
【技術保護點】
一種用于硅片清洗的酸性超聲波清洗劑，其特征在于，由以下重量份的原料制成：丙醇80?86份、苯酚15?25份、羧甲基纖維素鈉2?4份、椰油酸6?8份、膠體粒子15?25份、烷基磺酸鈉2?4份、焦磷酸鉀6?8份、滑石粉15?25份、醋酸20?30份、檸檬酸6?8份、葡糖酸洗必太3?5份、葡庚糖酸鈉2?4份、去離子水850?860份。
【技術特征摘要】
1.一種用于硅片清洗的酸性超聲波清洗劑，其特征在于，由以下重量份的原料制成：丙醇80-86份、苯酚15-25份、羧甲基纖維素鈉2-4份、椰油酸6-8份、膠體粒子15-25份、烷基磺酸鈉2-4份、焦磷酸鉀6-8份、滑石粉15-25份、醋酸20-30份、檸檬酸6-8份、葡糖酸洗必太3-5份、葡庚糖酸鈉2-4份、去離子水850-860份。2.根據權利要求1所述的一種用于硅片清洗的酸性超聲波清洗劑，其特征在于，各原料的優選分量為：丙醇83份、苯酚20份、羧甲基纖維素鈉3份、椰油酸7份、膠體粒子20份、烷基磺酸鈉3份、焦磷酸鉀7份、滑石粉20份、醋酸25份、檸檬酸7份、葡糖酸洗必太4份、葡庚糖酸鈉3份、去離子水855份。3.根據權利...
【專利技術屬性】
技術研發人員：呂鳳崗，程林，曹來福，戴珍旭，胡正田，
申請(專利權)人：安徽正田能源科技有限公司，
類型：發明
國別省市：安徽;34
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