OLED器件制作方法及OLED器件技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種OLED器件及其制作方法；該制作方法包括以下步驟：在硬性基板上形成第一柔性基層；在所述第一柔性基層上形成一散熱層；在所述散熱層上形成第二柔性基層；在所述第二柔性基層上形成OLED器件層；將硬性基板與所述第一柔性基層分離，以形成OLED器件。本發(fā)明專利技術(shù)將散熱層制作在兩層柔性基層之間，提高了面板的導(dǎo)熱性能，同時降低了在將硬性基板與第一柔性基層分離時激光能量對OLED器件的損傷。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種OLED器件及其制作方法。
技術(shù)介紹
隨著科技的發(fā)展以及人們對產(chǎn)品要求的提高，在追求高分辨率的同時，也在追求輕、薄、窄邊框，除此之外對顯示裝置的要求不再僅局限于平面顯示，希望有曲面和更立體的顯示效果，因此柔性顯示技術(shù)順應(yīng)而生。現(xiàn)有技術(shù)中，應(yīng)用比較廣泛的柔性顯示器制作工藝，是在硬性基板上制作一層具有阻水氧性能的柔性基板層，然后在柔性基板上制作TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶體管)電路和OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有機(jī)發(fā)光二極管)，然后采用薄膜封裝技術(shù)進(jìn)行封裝。待顯示器產(chǎn)品制作完成之后將柔性顯示器從硬性基板上取下。而在將柔性顯示器從硬性基板上取下時產(chǎn)生較大熱量，而散熱效果不佳，對柔性基板和TFT電路損壞程度較大，導(dǎo)致產(chǎn)品不良率增加。因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，急需改進(jìn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種改進(jìn)的OLED器件及其制作方法。為解決上述問題，本專利技術(shù)提供的技術(shù)方案如下：本專利技術(shù)提供一種OLED器件的制作方法，包括以下步驟：在硬性基板上形成第一柔性基層；在所述第一柔性基層上形成一散熱層；在所述散熱層上形成第二柔性基層；在所述第二柔性基層上形成OLED器件層；將硬性基板與所述第一柔性基層分離，以形成OLED器件。在本專利技術(shù)所述的OLED器件的制作方法中，所述在所述第二柔性基層上形成OLED器件層的步驟，具體包括：在所述第二柔性基層上形成TFT層；在所述TFT層上形成OLED發(fā)光層；在所述OLED發(fā)光層上形成封裝層。在本專利技術(shù)所述的OLED器件的制作方法中，所述散熱層為石墨烯層。在本專利技術(shù)所述的OLED器件的制作方法中，所述在所述第一柔性基層上形成一散熱層的步驟包括：依次在所述第一柔性基層貼附多層石墨烯膜，或者在所述第一柔性基層沉積多層石墨烯。在本專利技術(shù)所述的OLED器件的制作方法中，所述石墨烯層的厚度為5～25μm。在本專利技術(shù)所述的OLED器件的制作方法中，所述將硬性基板與所述第一柔性基層分離的步驟，具體包括：采用激光鐳射技術(shù)將硬性基板與所述第一柔性基層分離。在本專利技術(shù)所述的OLED器件的制作方法中，所述在硬性基板上形成第一柔性基層的步驟包括：采用噴涂或者涂布的方式在硬性基板上形成第一柔性基層。本專利技術(shù)提供一種OLED器件，包括：第一柔性基層；散熱層，其設(shè)置于所述第一柔性基層上；第二柔性基層，其設(shè)置于所述散熱層上；OLED器件層，其設(shè)置于所述第二柔性基層上。在本專利技術(shù)所述的OLED器件中，所述散熱層為石墨烯層。在本專利技術(shù)所述的OLED器件中，所述石墨烯層包括依次貼附在第一柔性基層上的多層石墨烯膜。相較于現(xiàn)有的OLED器件及其制作方法，本專利技術(shù)通過在硬性基板上形成第一柔性基層；在所述第一柔性基層上形成一散熱層；在所述散熱層上形成第二柔性基層；在所述第二柔性基層上形成OLED器件層；將硬性基板與所述第一柔性基層分離，以形成OLED器件。本專利技術(shù)將散熱層制作在兩層柔性基層之間，提高了面板的導(dǎo)熱性能，同時降低了在將硬性基板與第一柔性基層分離時激光能量對OLED器件的損傷。附圖說明圖1為本專利技術(shù)的OLED器件的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本專利技術(shù)的OLED器件的優(yōu)選實(shí)施例的另一結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本專利技術(shù)的OLED器件的優(yōu)選實(shí)施例中OLED層細(xì)節(jié)結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本專利技術(shù)OLED器件的優(yōu)選實(shí)施例中OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本專利技術(shù)的OLED器件制作方法的優(yōu)選實(shí)施例的流程示意圖。圖6為本專利技術(shù)的OLED器件制作方法的選實(shí)施例的場景示意圖。具體實(shí)施方式以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本專利技術(shù)可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本專利技術(shù)所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本專利技術(shù)，而非用以限制本專利技術(shù)。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的模塊是以相同標(biāo)號表示。請參照圖1，該OLED器件包括第一柔性基層10、散熱層20、第二柔性基層30以及OLED器件層40。其中，第一柔性基層10為PI(PolyimideFilm，聚酰亞胺纖維)層，該第一柔性基層10可以通過噴涂或涂布的方式在硬性基板100上形成。比如，可以采用噴槍或碟式霧化器，在硬性基板100上噴涂霧化的聚酰亞胺纖維得到，或者可以在硬性基板上涂布糊狀的聚酰亞胺纖維得到。其中，該硬性基板可以為透明的硬性基板，比如，該硬性基板100可以是玻璃、石英等。該第一柔性基層10的厚度可以處于10～50μm之間。散熱層20設(shè)置于該第一柔性基層10上，其可以由較強(qiáng)導(dǎo)熱散熱性能的材料制備而成，如石墨片、金屬箔片等。優(yōu)選地，該散熱層20可以為石墨烯層。其中，該石墨烯層具體可以由依次貼附在第一柔性基層上的多層石墨烯膜構(gòu)成。石墨烯是目前最薄卻也是最堅(jiān)硬的納米材料，它幾乎是完全透明的，導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)5300W/m·K，高于碳納米管和金剛石，因此具有高導(dǎo)熱散熱性能。在具體實(shí)施過程中，該石墨烯層的厚度優(yōu)選為5～25μm之間，也即該散熱層20大概可以由14900～74600層石墨烯膜構(gòu)成，或者可以在該第一柔性基層10上均勻地沉積5～25μm厚度的石墨烯，以得到該散熱層20。第二柔性基層30為PI層，其設(shè)置于散熱層20上。該第二柔性基層30可以通過噴涂或涂布的方式得到。比如，該第二柔性基層30可以采用噴槍或碟式霧化器，在散熱層20上噴涂霧化的聚酰亞胺纖維得到，或者可以在該散熱層20上涂布糊狀的聚酰亞胺纖維得到。其中，該第而柔性基層20的厚度可以處于10～50μm之間。OLED器件層40，其設(shè)置于第二柔性基層30上。請參照圖2，該OLED器件層40包括TFT層41、OLED發(fā)光層42以及封裝層43。其中，TFT層41為OLED器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)中的薄膜晶體管陣列，設(shè)置于第二柔性基層30上。TFT結(jié)構(gòu)部分的制備工藝以化學(xué)氣相沉積(CVD)、濺射沉積(Sputter)工藝、黃光、刻蝕等為主。OLED發(fā)光層42為OLED器件的發(fā)光部分，其設(shè)置于TFT層41上。OLED可分為小分子和高分子兩種主要類型，其結(jié)構(gòu)并不相同。無論是小分子OLED還是高分子OLED，在薄而透明的具有導(dǎo)電性能的氧化銦錫(ITO膜)陰極與金屬陽極之間都有一個有機(jī)發(fā)光材料層。小分子OLED的發(fā)光層為層狀結(jié)構(gòu)，即由空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層三層組成，而高分子OLED的有機(jī)發(fā)光層為單層結(jié)構(gòu)。以小分子OLED為例，電子和空穴分別先注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，然后再注入到發(fā)光層，在發(fā)光層中電子和空穴相遇而復(fù)合，由于能帶的躍遷而發(fā)出可見光。具體地，請參考圖3，其包括依次形成于TFT層41上的空穴注入層421、空穴傳輸層422、電子阻擋層423、發(fā)光層424、空穴阻擋層425、電子傳輸層426和電子注入層427。其發(fā)光機(jī)理為：電子注入通過電子注入層(EIL)427、電子傳輸層(ETL)426、空穴阻擋層425到達(dá)RGB三色的發(fā)光區(qū)域(即發(fā)光層424)，在RGB三色的發(fā)光區(qū)域和空穴進(jìn)行復(fù)合發(fā)光；空穴通過空穴注入層(HIL)421、空穴傳輸層(HTL)422、電子阻擋層423到達(dá)RGB三色的發(fā)光區(qū)域，在RGB三色的發(fā)光區(qū)域和電子進(jìn)行復(fù)合發(fā)光。封裝層43為薄膜晶體管陣列，其設(shè)置于OLED發(fā)本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種OLED器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：在硬性基板上形成第一柔性基層；在所述第一柔性基層上形成一散熱層；在所述散熱層上形成第二柔性基層；在所述第二柔性基層上形成OLED器件層；將硬性基板與所述第一柔性基層分離，以形成OLED器件。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種OLED器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：在硬性基板上形成第一柔性基層；在所述第一柔性基層上形成一散熱層；在所述散熱層上形成第二柔性基層；在所述第二柔性基層上形成OLED器件層；將硬性基板與所述第一柔性基層分離，以形成OLED器件。2.如權(quán)利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第二柔性基層上形成OLED器件層的步驟包括：在所述第二柔性基層上形成TFT層；在所述TFT層上形成OLED發(fā)光層；在所述OLED發(fā)光層上形成封裝層。3.如權(quán)利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述散熱層為石墨烯層。4.如權(quán)利要求3所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一柔性基層上形成一散熱層的步驟包括：依次在所述第一柔性基層貼附多層石墨烯膜，或者在所述第一柔性基層沉積多層石墨烯。5.如權(quán)利要求3所...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡妞，
申請(專利權(quán))人：武漢華星光電技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：湖北;42