層疊陶瓷電容器制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供層疊陶瓷電容器，即使側(cè)留邊部的寬度方向的尺寸較小也能謀求側(cè)留邊部的強(qiáng)度的提升，可靠性得以提升。本發(fā)明專利技術(shù)所涉及的層疊陶瓷電容器(10)由層疊體(12)和分別形成于層疊體(12)的兩端面的第1以及第2外部電極(40、42)構(gòu)成。其特征在于，若在從層疊方向觀察層疊體(12)的截面將不存在第1內(nèi)部電極(22)和第2內(nèi)部電極(24)的區(qū)域設(shè)為側(cè)留邊部(32、34)，則側(cè)留邊部(32、34)具有多個(gè)側(cè)留邊層，相比于最靠內(nèi)部電極側(cè)的側(cè)留邊層，內(nèi)部電極側(cè)的側(cè)留邊層以外的側(cè)留邊層的Si的含有量更多。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及層疊陶瓷電容器。
技術(shù)介紹
近年來，謀求大電容且小型的層疊陶瓷電容器。這樣的層疊陶瓷電容器例如具有層疊體，將印刷了內(nèi)部電極的內(nèi)層用電介質(zhì)層和內(nèi)部電極交替層疊，進(jìn)而在其上表面和下表面層疊外層用陶瓷層，形成為長方體狀。并且具有形成于該層疊體的兩端面的外部電極。在這樣的層疊陶瓷電容器中，為了防止在層疊體的側(cè)面內(nèi)部電極與外部電極連接，在側(cè)面上形成被稱作側(cè)留邊(sidemargin)部的電介質(zhì)層。在專利文獻(xiàn)1中公開了具有所述那樣的側(cè)留邊部的層疊陶瓷電容器的制造方法。在專利文獻(xiàn)1所述的層疊陶瓷電容器的制造方法中，首先層疊在表面形成成為內(nèi)部電極的導(dǎo)電膜的陶瓷生片。接下來形成母層疊體，每當(dāng)將該母層疊體切斷，就進(jìn)行切斷，使得導(dǎo)電膜在未形成外部電極的側(cè)面露出。其結(jié)果，得到層疊體芯片。然后，對(duì)在切斷的層疊體芯片的兩側(cè)露出的內(nèi)部電極涂敷成為側(cè)留邊部的陶瓷漿料。由此，由于能跨層疊體芯片的全寬形成內(nèi)部電極，因此能提高靜電容的獲取效率并減少靜電容的偏差。專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：JP特開昭61-248413號(hào)公報(bào)但是，專利文獻(xiàn)1的層疊陶瓷電容器若以例如以更小的層疊陶瓷電容器的尺寸來得到更大的靜電容為目的，而減小側(cè)留邊部的厚度、即沿著層疊體的寬度方向的尺寸，則不能得到側(cè)留邊部的充分的強(qiáng)度。由此，專利文獻(xiàn)1的層疊陶瓷電容器存在不能得到充分的抗折強(qiáng)度的問題。進(jìn)而，在側(cè)留邊部容易出現(xiàn)龜裂或缺損，水分會(huì)從該龜裂或缺損侵入。由此，存在專利文獻(xiàn)1的層疊陶瓷電容器的絕緣性降低的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的主要目的在于，提供一種即使側(cè)留邊部的寬度方向的尺寸較小也能實(shí)現(xiàn)側(cè)留邊部的強(qiáng)度的提升、可靠性得到提升的層疊陶瓷電容器。本專利技術(shù)所涉及的層疊陶瓷電容器具備：包含層疊的多個(gè)電介質(zhì)層和多個(gè)內(nèi)部電極的層疊體、和與內(nèi)部電極電連接的外部電極，所述層疊陶瓷電容器的特征在于，層疊體形成為長方體狀，包含在層疊方向上相對(duì)的第1主面以及第2主面、在與層疊方向正交的寬度方向上相對(duì)的第1側(cè)面以及第2側(cè)面、和在與層疊方向以及寬度方向正交的長度方向上相對(duì)的第1端面以及第2端面，多個(gè)內(nèi)部電極包含：在第1端面露出的第1內(nèi)部電極、和在第2端面露出使得隔著電介質(zhì)層與第1內(nèi)部電極對(duì)置的第2內(nèi)部電極，多個(gè)外部電極包含：形成為覆蓋第1端面且與第1內(nèi)部電極電連接的第1外部電極；和形成為覆蓋第2端面且與第2內(nèi)部電極連接的第2外部電極，若在從層疊方向觀察層疊體的截面中將不存在第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極的區(qū)域設(shè)為側(cè)留邊部，則側(cè)留邊部具有多個(gè)側(cè)留邊層，相比于最靠內(nèi)部電極側(cè)的側(cè)留邊層，內(nèi)部電極側(cè)的側(cè)留邊層以外的側(cè)留邊層的Si的含有量更多。此外，在本專利技術(shù)所涉及的層疊陶瓷電容器中，優(yōu)選在層疊體中，第1側(cè)面以及第2側(cè)面中的第1內(nèi)部電極以及第2內(nèi)部電極的露出面比第1內(nèi)部電極以及第2內(nèi)部電極的中央部更多地包含Si。進(jìn)而，在本專利技術(shù)所涉及的層疊陶瓷電容器中，優(yōu)選側(cè)留邊部的Si的mol數(shù)/Ti的mol數(shù)為1.0以上且7.0以下。此外進(jìn)一步地，在本專利技術(shù)所涉及的層疊陶瓷電容器中，優(yōu)選側(cè)留邊部的沿著寬度方向的尺寸為5μm以上且40μm以下。在本專利技術(shù)所涉及的層疊陶瓷電容器中，若從層疊方向觀察層疊體并將不存在第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極的區(qū)域設(shè)為側(cè)留邊部，則側(cè)留邊部具有多個(gè)側(cè)留邊層，相比于最靠內(nèi)部電極側(cè)的側(cè)留邊層，內(nèi)部電極側(cè)的側(cè)留邊層以外的側(cè)留邊層的Si的含有量更多，因此能提高側(cè)留邊部的強(qiáng)度。由此，能提升層疊陶瓷電容器的抗折強(qiáng)度。進(jìn)而，在側(cè)留邊部難以出現(xiàn)龜裂或缺損，能防止水分的浸入。由此，能確保層疊陶瓷電容器的絕緣性。其結(jié)果，能得到充分有可靠性的層疊陶瓷電容器。專利技術(shù)效果根據(jù)本專利技術(shù)，能夠提供一種即使側(cè)留邊部的寬度方向的尺寸較小也能實(shí)現(xiàn)側(cè)留邊部的強(qiáng)度的提升、可靠性得以提升的層疊陶瓷電容器。本專利技術(shù)的上述目的、其他目的、特征以及優(yōu)點(diǎn)，通過參考附圖而進(jìn)行的以下的具體實(shí)施方式的說明而更加明確。附圖說明圖1是實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的外觀立體圖。圖2是表示實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的圖1的A-A截面圖。圖3是表示實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的圖1的B-B截面圖。圖4是表示實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的圖3的C部放大圖。圖5是表示通過WDX來拍攝實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器所具備的側(cè)留邊部的Si的偏析部分的圖。圖6是表示通過WDS來拍攝實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器所具備的側(cè)留邊部表面附近的Mg的偏析部分的圖。圖7是表示通過WDS來拍攝實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器所具備的側(cè)留邊部表面附近的Ni的偏析部分的圖。圖8是表示通過WDS來拍攝實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器所具備的側(cè)留邊部表面附近的Si的偏析部分的圖。圖9是用于說明本專利技術(shù)所涉及的層疊陶瓷電容器的制造方法的圖，圖9(a)是表示形成了導(dǎo)電膜的陶瓷生片的概略圖，圖9(b)是表示將形成了導(dǎo)電膜的陶瓷生片層疊的樣子的示意圖。圖10是表示本專利技術(shù)所涉及的層疊陶瓷電容器的制造方法中得到的層疊體芯片的外觀的一個(gè)例子的立體圖。圖11是表示側(cè)留邊部表面附近的孔隙面積率與側(cè)留邊部表面的維氏硬度的關(guān)系的圖。符號(hào)說明10層疊陶瓷電容器12層疊體13第1端面14第2端面15第1側(cè)面16第2側(cè)面17第1主面18第2主面20內(nèi)層用陶瓷層22第1內(nèi)部電極22a、24a偏析部22b最靠近第1主面的第1內(nèi)部電極24第2內(nèi)部電極24b最靠近第2主面的第2內(nèi)部電極26內(nèi)層部28、30外層部32、34側(cè)留邊部32a、34a外側(cè)層32b、34b內(nèi)側(cè)層40第1外部電極42第2外部電極40a、42a基底電極層40b、42b下層鍍層40c、42c上層鍍層46、48外層用陶瓷層50a、50b陶瓷生片52a、52b導(dǎo)電膜60層疊體芯片具體實(shí)施方式1.層疊陶瓷電容器參考圖1～4來說明本專利技術(shù)所涉及的層疊陶瓷電容器的一實(shí)施例。圖1是表示實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的外觀立體圖。圖2是表示實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的圖1的A-A截面圖。圖3是表示實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的圖1的B-B截面圖。圖4是表示實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的圖3的C部放大圖。如圖1所示，本實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器10概略地由層疊體12、和分別形成在層疊體12的兩端面的第1以及第2外部電極40、42構(gòu)成。本專利技術(shù)所涉及的層疊陶瓷電容器10的大小若記載為“長度(L)方向的尺寸×寬度(W)方向的尺寸×層疊(T)方向的尺寸”，則通常假定為例如“1.6mm×0.8mm×0.8mm”、“1.0mm×0.5mm×0.5mm”、“0.6mm×0.3mm×0.3mm”、“0.4mm×0.2mm×0.2mm”、“0.2mm×0.1mm×0.1mm”這樣的大小。如圖1所示，層疊體12形成為大致長方體狀。該層疊體12具有：沿著寬度(W)方向以及層疊(T)方向而延伸的第1端面13以及第2端面14、沿著長度(L)方向以及層疊(T)方向而延伸的第1側(cè)面15以及第2側(cè)面16、和沿著長度(L)方向以及寬度(W)方向而延伸的第1主面17以及第2主面18。第1端面13以及第2端面14相互對(duì)置，第1側(cè)面15以及第2側(cè)面16相互對(duì)置，并且第1主面17以及第2主面18相互對(duì)置。此外，第1側(cè)面15以及第2側(cè)面16與第1端面13以及第2端面14正交，第1主面17以及第2主面18與第1端面13以及第1側(cè)面15正交。另外，層疊體12只要具有大致長方體的形狀本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種層疊陶瓷電容器，具備：包含層疊的多個(gè)電介質(zhì)層和多個(gè)內(nèi)部電極的層疊體、和與所述內(nèi)部電極電連接的多個(gè)外部電極，所述層疊陶瓷電容器的特征在于，所述層疊體形成為長方體狀，包含在層疊方向上相對(duì)的第1主面以及第2主面、在與層疊方向正交的寬度方向上相對(duì)的第1側(cè)面以及第2側(cè)面、和在與層疊方向以及寬度方向正交的長度方向上相對(duì)的第1端面以及第2端面，所述多個(gè)內(nèi)部電極包含：在所述第1端面露出的第1內(nèi)部電極；和在所述第2端面露出使得隔著電介質(zhì)層與所述第1內(nèi)部電極對(duì)置的第2內(nèi)部電極，所述多個(gè)外部電極包含：形成為覆蓋所述第1端面且與所述第1內(nèi)部電極電連接的第1外部電極；和形成為覆蓋所述第2端面且與所述第2內(nèi)部電極連接的第2外部電極，若在從層疊方向觀察所述層疊體的截面將不存在所述第1內(nèi)部電極和所述第2內(nèi)部電極的區(qū)域設(shè)為側(cè)留邊部，則所述側(cè)留邊部具有多個(gè)側(cè)留邊層，相比于最靠內(nèi)部電極側(cè)的側(cè)留邊層，所述內(nèi)部電極側(cè)的側(cè)留邊層以外的側(cè)留邊層的Si的含有量更多。

【技術(shù)特征摘要】
2015.07.17 JP 2015-1429751.一種層疊陶瓷電容器，具備：包含層疊的多個(gè)電介質(zhì)層和多個(gè)內(nèi)部電極的層疊體、和與所述內(nèi)部電極電連接的多個(gè)外部電極，所述層疊陶瓷電容器的特征在于，所述層疊體形成為長方體狀，包含在層疊方向上相對(duì)的第1主面以及第2主面、在與層疊方向正交的寬度方向上相對(duì)的第1側(cè)面以及第2側(cè)面、和在與層疊方向以及寬度方向正交的長度方向上相對(duì)的第1端面以及第2端面，所述多個(gè)內(nèi)部電極包含：在所述第1端面露出的第1內(nèi)部電極；和在所述第2端面露出使得隔著電介質(zhì)層與所述第1內(nèi)部電極對(duì)置的第2內(nèi)部電極，所述多個(gè)外部電極包含：形成為覆蓋所述第1端面且與所述第1內(nèi)部電極電連接的第1外部電極；和形成為覆蓋所述第2端面且與所述第2內(nèi)部電...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：田中秀明，福永大樹，森山晃司，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：株式會(huì)社村田制作所，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP