包括半導體存儲裝置的存儲系統及其操作方法制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種存儲系統的操作方法，存儲系統包括第一半頁和第二半頁，操作方法包括從主數據獲取第一部分數據和第二部分數據；利用第一部分數據對所選擇的頁的第一半頁執行第一程序操作；以及利用第二部分數據對所選擇的頁的第二半頁執行第二程序操作。第一部分數據和第二部分數據可分別被編程在第一半頁和第二半頁中的相同的第一列區域中。

【技術實現步驟摘要】
相關申請的交叉引用本申請要求2015年7月23日提交的申請號為10-2015-0104594的韓國專利申請的優先權，其公開全文通過引用并入本文。
各種實施例總體涉及一種電子裝置，且更具體地，涉及一種半導體存儲裝置、包括該半導體存儲裝置的存儲系統及該存儲系統的操作方法。
技術介紹
半導體存儲裝置是由諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(Inp)的半導體材料制成的儲存裝置。半導體存儲裝置通常被分類為易失性存儲裝置和非易失性存儲裝置。當斷電時，易失性存儲裝置丟失儲存的數據。易失性存儲裝置的示例包括靜態RAM(SRAM)、動態RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。無論裝置的電源是打開還是關閉，非易失性存儲裝置保留儲存的數據。非易失性存儲裝置的示例包括只讀存儲器(ROM)、掩膜ROM(MROM)、可編程ROM(PROM)、可擦可編程ROM(EPROM)、電可擦可編程ROM(EEPROM)、閃速存儲器、相變隨機訪問存儲器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)和鐵電RAM(FRAM)。閃速存儲裝置被分類為NOR-型和NAND-型。
技術實現思路
本專利技術的各種實施例涉及半導體存儲裝置、包括半導體存儲裝置的存儲系統及存儲系統的操作方法。本專利技術的裝置、系統和方法展示提高的可靠性。根據本專利技術的一個實施例，提供一種存儲系統的操作方法。存儲系統可包括多個頁，每個頁包括第一半頁和第二半頁。方法可包括從主數據獲取第一部分數據和第二部分數據；利用第一部分數據對所選擇的頁的第一半頁執行第一程序操作；以及利用第二部分數據對所選擇的頁的第二半頁執行第二程序操作。第一部分數據和第二部分數據可分別被編程在第一半頁和第二半頁中的相同的第一列區域中。第一虛擬數據可在第一程序操作期間被編程在第一半頁中的第二列區域中。第二虛擬數據可在第二程序操作期間被編程在第二半頁中的第二列區域中。第一虛擬數據和第二虛擬數據中的每個可具有預定的數據模式。第一程序操作和第二程序操作可響應于單個程序命令被同時地執行。第一程序操作和第二程序操作可響應于不同程序命令被順序地執行。第一列區域可被設置在第一半頁和第二半頁中的每個的大體中間的位置。主數據的大小可小于整頁的大小。第一部分數據和第二部分數據可具有大體相同的大小。第一半頁和第二半頁可以彼此交替的模式設置。根據另一個實施例，提供一種存儲系統，存儲系統包括半導體存儲裝置，半導體存儲裝置包括多個頁。多個頁中的每個可包括第一半頁和第二半頁。裝置可包括控制器，控制器適用于：從主數據獲取第一部分數據和第二部分數據；利用第一部分數據對所選擇的頁的第一半頁執行第一程序操作；以及利用第二部分數據對所選擇的頁的第二半頁執行第二程序操作。控制器可分別將第一部分數據和第二部分數據編程在第一半頁和第二半頁中的相同的第一列區域中。控制器可在第一程序操作期間將第一虛擬數據編程在第一半頁中的第二列區域中。控制器可在第二程序操作期間將第二虛擬數據編程在第二半頁中的第二列區域中。第一虛擬數據和第二虛擬數據中的每個可具有預定的數據模式。控制器可響應于單個程序命令同時執行第一程序操作和第二程序操作。控制器可響應于不同程序命令順序地執行第一程序操作和第二程序操作。第一列區域可以相對于第一半頁和第二半頁中的每個的大體中間的布置來設置。主數據可具有小于整頁的大小的大小。第一部分數據和第二部分數據可具有大體相同的大小。第一半頁和第二半頁可以彼此交替的模式設置。根據一個實施例，每個都包括第一半頁和第二半頁的多個頁的控制方法可包括提供待被部分地儲存在所選擇的頁中的主數據；利用主數據對所選擇的頁的第一半頁和第二半頁中的相同的第一列區域執行主程序操作；以及在主程序操作期間利用虛擬數據對選擇的頁的第一半頁和第二半頁中的相同的第二列區域執行虛擬程序操作。主數據可包括第一部分數據和第二部分數據。虛擬數據可包括第一虛擬數據和第二虛擬數據。主程序操作的執行可包括：利用第一部分數據對第一半頁中的第一列區域執行第一主程序操作；以及利用第二部分數據對第二半頁中的第一列區域執行第二主程序操作。虛擬程序操作的執行可包括：在第一主程序操作期間利用第一虛擬數據對第一半頁中的第二列區域執行第一虛擬程序操作；以及在第二主程序操作期間利用第二虛擬數據對第二半頁中的第二列區域執行第二虛擬程序操作。附圖說明圖1是說明根據本專利技術的一個實施例的存儲系統的框圖；圖2是說明根據本專利技術的一個實施例的半導體存儲裝置的框圖；圖3是說明根據本專利技術的一個實施例的被應用在如圖2所示的半導體存儲裝置的存儲單元陣列中的存儲塊的框圖；圖4是說明根據本專利技術的一個實施例的包括偶數頁和奇數頁的存儲塊的框圖；圖5是說明根據本專利技術的一個實施例的被包括在如圖2所示的半導體存儲裝置的存儲單元陣列中的存儲塊的電路圖；圖6是說明根據本專利技術的一個實施例的可被包括在如圖2所示的半導體存儲裝置的存儲單元陣列中的存儲塊的另一個示例的電路圖；圖7是說明根據本專利技術的一個實施例的可被應用在如圖2所示的半導體裝置的存儲單元陣列中的存儲塊的另一個示例的電路圖；圖8是說明根據本專利技術的一個實施例的存儲系統的操作方法的流程圖；圖9是根據本專利技術的一個實施例的主數據、第一部分數據和第二部分數據的簡化說明；圖10是根據本專利技術的一個實施例的第一列區域和第二列區域的簡化說明；圖11是根據本專利技術的一個實施例的數據被編程至其的偶數頁和奇數頁的區域的簡化說明；圖12是示出根據本專利技術的一個實施例的列地址與偶數位線和奇數位線之間的關系的表格；圖13是根據本專利技術的一個實施例的數據被編程至其的偶數頁的區域和奇數頁的區域的示例的簡化說明；圖14是根據本專利技術的一個實施例的數據被編程至其的偶數頁和奇數頁的區域的另一個示例的簡化說明；圖15是根據本專利技術的一個實施例的數據被編程至其的偶數頁的區域和奇數頁的區域的另一個示例的簡化說明；圖16是說明根據本專利技術的一個實施例的圖8的步驟S120的示例的流程圖；圖17是根據本專利技術的一個實施例的第一半頁數據和第二半頁數據的程序操作的說明；圖18是說明根據本專利技術的一個實施例的圖8的步驟S120的另一個示例的流程圖；圖19是根據本專利技術的一個實施例的響應于具體程序命令的第一部分數據和第二部分數據的程序操作的說明；圖20是說明根據本專利技術的一個實施例的存儲系統的一個應用示例的框圖；以及圖21是說明根據本專利技術的一個實施例的包括如圖20所示的存儲系統的計算系統的框圖。具體實施方式在下文中，將參照附圖描述本專利技術的各種實施例。附圖和實施例被提供以允許本領域的普通技術人員理解本專利技術。然而，本專利技術可以不同的形式來實施且不應被解釋為限于提出的實施例。而是，這些實施例被提供使得本公開將是徹底且完整的。此外，如在此使用的“連接/聯接”表示一個組件被“直接地電地”聯接至另一個組件或通過另一個組件被“間接地電地”聯接。現在參照圖1，提供了根據本專利技術的一個實施例的存儲系統1000。存儲系統1000可包括半導體存儲裝置100和控制器200。半導體存儲裝置100可在控制器200的監控下操作。半導體存儲裝置100可包括存儲單元陣列110和用于驅動存儲單元陣列110的外圍電路120。存儲單元陣列110可包括多個非易失性存儲單元。外圍本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種存儲系統的操作方法，所述存儲系統包括多個頁，每個頁包括第一半頁和第二半頁，所述操作方法包括：從主數據獲取第一部分數據和第二部分數據；利用所述第一部分數據對所選擇的頁的所述第一半頁執行第一程序操作；以及利用所述第二部分數據對所選擇的頁的所述第二半頁執行第二程序操作；其中，所述第一部分數據和所述第二部分數據分別被編程在所述第一半頁和所述第二半頁中的相同的第一列區域中。

【技術特征摘要】
2015.07.23 KR 10-2015-01045941.一種存儲系統的操作方法，所述存儲系統包括多個頁，每個頁包括第一半頁和第二半頁，所述操作方法包括：從主數據獲取第一部分數據和第二部分數據；利用所述第一部分數據對所選擇的頁的所述第一半頁執行第一程序操作；以及利用所述第二部分數據對所選擇的頁的所述第二半頁執行第二程序操作；其中，所述第一部分數據和所述第二部分數據分別被編程在所述第一半頁和所述第二半頁中的相同的第一列區域中。2.根據權利要求1所述的操作方法，其中，第一虛擬數據在所述第一程序操作期間被編程在所述第一半頁中的第二列區域中；以及其中，第二虛擬數據在所述第二程序操作期間被編程在所述第二半頁中的第二列區域中。3.根據權利要求1所述的操作方法，其中，所述第一虛擬數據和所述第二虛擬數據中的每個均具有預定的數據模式。4.根據權利要求1所述的操作方法，其中，所述第一程序操作和所述第二程序操作響應于單個程序命令被同時地執行。5.根據權利要求2所述的操作方法，其中，所述第一程序操作和所述第二程序操作響應于不同程序命令被順序地執行。6.根據權利要求1所述的操作方法，其中，所述第一列區域被設置在所述第一半頁和所述第二半頁中的每個的大體中間的位置。7.根據權利要求1所述的操作方法，其中，所述主數據的大小小于整頁的大小。8.根據權利要求1所述的操作方法，其中，所述第一部分數據和所述第二部分數據具有大體相同的大小。9.根據權利要求1所述的操作方法，其中，所述第一半頁和所述第二半頁彼此交替地設置。10.一種存儲系統，其包括：半導體存儲裝置，其包括多個頁，每個頁包括第一半頁和第二半頁；以及控制器，其適用于：從主數據獲取第一部分數據和第二部分數據；利用所述第一部分數據對所選擇的頁的所述第一半頁執行第一程序操作；以及利用所述第二部分數據對所選擇的頁的所述第二半頁執行第二程序操作，其中，所述控制器分別將所述第一部分數據和所述第二部分數據編程在所述第一半頁和所述第二半頁中的相同的第一列區域中。11.根據權利要求10所述的存儲系統，...

【專利技術屬性】
技術研發人員：金臺勛，
申請(專利權)人：愛思開海力士有限公司，
類型：發明
國別省市：韓國;KR