The invention relates to a double cavity type plasma microwave resonant cavity, including waveguide device with resonant cavity shell and a connected, which comprises a resonant cavity shell two before and after symmetrical and parallel to the axis of the side in the middle of two phase parallel resonant cavity along the central vertical line installed a waveguide device, front end the waveguide device with two points of the power meter is connected with the two resonant cavity shell, with two points of the microwave power meter power source divided into two, respectively in two parallel resonant cavity. The resonant cavity of microwave power device in the waveguide feed two coaxial One divides into two., which not only can effectively improve the power fed into the resonant cavity, but also can reduce the microwave leakage; the invention has the advantages of simple structure, reasonable arrangement, two parallel resonant cavity is installed in a deposition lathe, can make the deposition lathe equipment use efficiency was improved.
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種用于PCVD光纖預制棒加工機床的雙腔型等離子體微波諧振腔,是對現有等離子體微波諧振腔的改進。
技術介紹
PCVD即等離子化學氣相沉積法是光纖預制棒加工的主要工藝之一,等離子體微波諧振腔是PCVD沉積加工機床的核心部分?,F有的等離子體微波諧振腔主要由諧振腔殼體和與其相聯的波導裝置組成,一臺沉積車床通常只配置一個微波諧振腔體,這種單一諧振腔體的結構所存在的主要問題是饋入和輸出功率受限,只能加工一根預制棒襯管,從而使得PCVD沉積車床的加工效率難以大幅提高并出現以下的問題:1、由于沉積速率較低,且只能對襯管單根加工,使得PCVD加工效率低,增加了光纖加工的成本,難以滿足大批量生產光纖的需求;2、在沉積加工時,當沉積速率較高時往往出現制備的預制棒沿軸向參數不均勻,主要表現在熔縮以后芯棒內徑和折射率沿棒長方向波動。這將影響光纖預制棒的加工質量和精度;3、為了提高PCVD沉積速率,需要增大微波源功率,增加諧振腔饋入功率,對于現有單一諧振腔體結構這將會導致微波泄漏急劇惡化,不利于等離子化學氣相沉積車床操作人員的安全。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題在于針對上述現有技術存在的不足提供一種雙腔型等離子體微波諧振腔,它不僅能提高沉積車床的加工效率,而且能夠有效增加微波饋入功率,降低微波泄漏。本專利技術為解決上述提出的問題所采用的技術方案為:包括有諧振腔殼體和與其相聯的波導裝置,其特征在于設置有兩個前后對稱且軸線相平行的諧振腔殼體,在兩個相平行諧振腔殼體的中間一側沿垂直中線安設一個波導裝置,波導裝置的前 ...
【技術保護點】
一種雙腔型等離子體微波諧振腔,包括有諧振腔殼體和與其相聯的波導裝置,其特征在于設置有兩個前后對稱且軸線相平行的諧振腔殼體,在兩個相平行諧振腔殼體的中間一側沿垂直中線安設一個波導裝置,波導裝置的前端通過二分功率計與兩個諧振腔殼體相聯接,通過二分功率計將微波源功率等分成兩,分別饋入兩個相平行的諧振腔殼體。
【技術特征摘要】
1.一種雙腔型等離子體微波諧振腔,包括有諧振腔殼體和與其相聯的波導裝置,其特征在于設置有兩個前后對稱且軸線相平行的諧振腔殼體,在兩個相平行諧振腔殼體的中間一側沿垂直中線安設一個波導裝置,波導裝置的前端通過二分功率計與兩個諧振腔殼體相聯接,通過二分功率計將微波源功率等分成兩,分別饋入兩個相平行的諧振腔殼體。
2.按權利要求1所述的雙腔型等離子體微波諧振腔,其特征在于所述的兩個相平行諧振腔殼體平行間隔設置,兩個相平行諧振腔殼體外壁最小間距為2~20mm。
3.按權利要求1或2所述的雙腔型等離子體微波諧振腔,其特征在于所述的二分功率計呈丫叉形,丫叉形角度為0~130°。
4.按權利要求1或2所述的雙腔型等離子體微波諧振腔,其特征在于所述的諧振腔殼體為圓柱型諧振腔殼體,兩圓柱型諧振腔殼體的形狀相對稱,兩圓柱型諧振腔殼體的間距為80mm~200mm。
5.按權利要求1或2所述的雙腔型等離子體微波諧振腔,其特征在于所述的諧振腔殼體為圓環型諧振腔殼體,每...
【專利技術屬性】
技術研發人員:胡肖,朱繼紅,李鵬,龍勝亞,王瑞春,
申請(專利權)人:長飛光纖光纜股份有限公司,
類型:發明
國別省市:湖北;42
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。