空穴注入層以及空穴傳輸層制造技術

本發明專利技術涉及空穴注入層或空穴傳輸層。所述空穴注入層由有機電子用材料形成，所述有機電子用材料為至少含有離子化合物和具有空穴傳輸性單元的化合物的有機電子用材料，所述具有空穴傳輸性單元的化合物以下稱為空穴傳輸性化合物，其特征在于，所述離子化合物由抗衡陽離子和抗衡陰離子組成，所述抗衡陽離子為H+、碳陽離子、氮陽離子、氧陽離子和具有過渡金屬的陽離子中的任1種或2種以上。

Hole injection layer and hole transport layer

The invention relates to a hole injection layer or a hole transport layer. By using layer organic electronic material forming the hole injection material for organic electronics, the compound material for organic electronics has a hole transporting unit is at least containing ionic compounds and the compounds, the hole transporting unit is hereinafter referred to as the hole transporting compound, which is characterized in that the ionic compound the anti Hengyang ions and counter anions, the counter cation is H+, carbon, nitrogen, oxygen and cation cation cation and a transition metal cations in either 1 or more than 2.

【技術實現步驟摘要】
本申請是申請日為2010年9月30日，申請號為201080045523.8，專利技術名稱為《有機電子用材料、有機電子元件、有機電致發光元件以及使用其的顯示元件、照明裝置、顯示裝置》的中國專利申請的分案申請。
本專利技術涉及有機電子用材料以及使用該有機電子用材料的有機電子元件、有機電致發光元件(以下也表示為有機EL元件)、以及使用其的顯示元件、照明裝置、顯示裝置。
技術介紹
有機電子元件是使用有機物進行電氣性的動作的元件，期待可以發揮節省能源、低價格、柔軟性這樣的特點，并作為代替以往以硅為主體的無機半導體的技術而受到關注。有機電子元件中，有機EL元件作為例如白熾燈、充氣燈的替代品，作為大面積固態光源用途而受到關注。并且，還作為替代平板顯示器(FPD)領域中的液晶顯示器(LCD)的最有力的自發光顯示器而受到關注，正在進行產品化。有機EL元件根據使用的材料和制膜方法大致分為低分子型有機EL元件、高分子型有機EL元件2種。高分子型有機EL元件中，有機材料由高分子材料構成，與需要在真空體系中成膜的低分子型有機EL元件相比，能夠進行印刷、噴墨等簡易成膜，因此是今后的大屏幕有機EL顯示器中不可缺少的元件。低分子型有機EL元件、高分子型有機EL元件至今均進行了傾力研究，但發光效率低、元件壽命短仍是大問題。作為解決該問題的一個方法，對低分子型有機EL元件進行了多層化。圖1表示多層化的有機EL元件的一個例子。圖1中，將承擔發光的層記為發光層1，具有此外的層時，將鄰接陽極2的層記為空穴注入層3、鄰接陰極4的層記為電子注入層5。進而，發光層1和空穴注入層3之間存在不同的層時，記為空穴傳輸層6，進而，發光層1和電子注入層5之間存在不同的層時，記為電子傳輸層7。另外，圖1中，8是基板。低分子型有機EL元件由于通過蒸鍍法進行制膜，因此通過一邊順次變更所使用的化合物一邊進行蒸鍍，可以容易地實現多層化。另一方面，高分子型有機EL元件由于使用印刷、噴墨這樣的濕式工藝進行制膜，因此為了多層化，需要在將新的層制膜時已經制膜的層不發生變化那樣的方法。在高分子型有機EL元件中進行多層化是困難的，這是由于之前形成的下層在形成上層時溶解。為了應對該問題，進行了利用溶解度差異很大的化合物的研究。作為其典型的例子，可舉出包含以下2層結構的元件：用水分散液進行制膜的含有聚噻吩：聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)的空穴注入層、用甲苯等芳香族系有機溶劑進行制膜的發光層。此時，由于PEDOT：PSS層不溶解于甲苯，因此能夠制作2層結構。但是，難以除去水，導致有機電子元件的特性劣化。而且為了除去水，需要高溫、長時間的干燥，難以在樹脂基材上制作有機電子元件，或者在減壓條件等工藝中產生大的限制。另外，作為使用了有機溶劑的例子，公開了一種選擇對之前形成的下層不造成影響的溶劑的方法(參照專利文獻1)。但是，由于在這種方法中將可以使用的溶劑限定于不溶解下層的溶劑，存在材料的選擇范圍變小這樣的問題。而且，上層形成時會產生某種程度的下層的侵蝕。作為制作多層化結構的其他的方法，公開了一種使用交聯反應的方法。專利文獻2中，公開了一種通過紫外線照射使含有三苯胺的醚聚醚酮交聯、進行不溶化的方法。該方法中，為了充分進行不溶化，需要長時間的紫外線照射，存在產生三苯胺等的分解等問題。另外，專利文獻3、專利文獻4、非專利文獻1、非專利文獻2中，公開了利用氧雜環丁烷基的交聯的多層化。這些方法中，由于使用光引發劑，因此擔心光引起劣化。而且，存在如下問題：無法進行低溫下的充分的不溶化、需要低溫固化的樹脂基板的適用受限等問題，上層形成時上層與下層混合而導致有機EL特性降低等問題。進一步，此處使用的光引發劑是通常的碘鎓鹽、锍鹽，擔心對EL特性造成影響。另一方面，為了降低作為有機EL元件的課題的驅動電壓，進行了在空穴傳輸層、發光層中使用具有同樣結構的碘鎓鹽、锍鹽的研究。專利文獻5中，公開了一種離子化合物，但其為與前述的光引發劑同樣的結構，擔心對有機EL元件特性造成影響等。而且，沒有交聯、層疊等的記述。專利文獻6中，公開了含有高分子發光體和離子對的高分子發光體組合物。據此，雖然記載了通過具有特定結構的離子對從而可得到壽命更長的發光元件，但沒有關于電荷注入·傳輸的記述。而且，沒有交聯、層疊等的記述。另一方面，為了有機EL元件的高效率化，磷光有機EL元件的開發也在活躍地進行。磷光有機EL元件中，不僅能夠利用單重態的能量，還能夠利用三重態的能量，在原理上能夠將內部量子收獲率提高至100％。磷光有機EL元件中，通過在主體材料中摻雜作為發出磷光的摻雜劑的含有鉑、銥等重金屬的金屬絡合物系發光材料而取出磷光發光(參照非專利文獻3，非專利文獻4、非專利文獻5)。專利文獻7中，公開了一種將聚合性化合物聚合而進行多層化的磷光有機EL元件。其中，由于聚合引發劑包含于鄰接發光層的層中，因此推測由于聚合引發劑、其分解物與發光層的化合物反應，有機EL元件壽命變短。因此，提出了在鄰接發光層的層中不含聚合引發劑的結構。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2003－07763號公報專利文獻2：日本專利第3643433號公報專利文獻3：日本特開2004－199935號公報專利文獻4：日本特表2007－514298號公報專利文獻5：國際公開第05/08924號專利文獻6：日本特開2005－179634號公報專利文獻7：日本特開2008－227483號公報非專利文獻非專利文獻1：Macromol.RapidCommun.20,224-228(1999)非專利文獻2：Nature,421(2003)829-833非專利文獻3：M.A.Baldoetal，Nature,vol.395,p.151(1998)非專利文獻4：M.A.Baldoetal，AplliedPhysicsLetters,vol.75,p.4(1999)非專利文獻5：M.A.Baldoetal，Nature,vol.403,p.750(2000)
技術實現思路
專利技術要解決的課題但是，在形成鄰接發光層的層中不含聚合引發劑的結構的上述方案中，由于使含有聚合引發劑的層和發光層不鄰接，為了使下層中含有聚合引發劑，從而使上層的含有聚合性化合物的層固化，需要在上層形成時選擇不溶解下層的溶劑，可以使用的材料受限。而且存在上層形成時上層和下層混合，上層中混入聚合引發本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種空穴注入層，其由有機電子用材料形成，所述有機電子用材料為至少含有離子化合物和具有空穴傳輸性單元的化合物的有機電子用材料，所述具有空穴傳輸性單元的化合物以下稱為空穴傳輸性化合物，其特征在于，所述離子化合物由抗衡陽離子和抗衡陰離子組成，所述抗衡陽離子為H+、碳陽離子、氮陽離子、氧陽離子和具有過渡金屬的陽離子中的任1種或2種以上。

【技術特征摘要】
2009.10.01 JP 2009-229483;2010.01.14 JP 2010-005841.一種空穴注入層，其由有機電子用材料形成，所述有機電子用材料為
至少含有離子化合物和具有空穴傳輸性單元的化合物的有機電子用材料，所述
具有空穴傳輸性單元的化合物以下稱為空穴傳輸性化合物，其特征在于，所述
離子化合物由抗衡陽離子和抗衡陰離子組成，所述抗衡陽離子為H+、碳陽離
子、氮陽離子、氧陽離子和具有過渡金屬的陽離子中的任1種或2種以上。
2.一種空穴傳輸層，其由有機電子用材料形成，所述有機電子用材料為
至少含有離子化合物和具有空穴傳輸性單元的化合物的有機電子用材料，所述
具有空穴傳輸性單元的化合物以下稱為空穴傳輸性化合物，其特征在于，所述
離子化合物由抗衡陽離子和抗衡陰離子組成，所述抗衡陽離子為H+、碳陽離
子、氮陽離子、氧陽離子和具有過渡金屬的陽離子中的任1種或2種以上。
3.如權利要求1所述的空穴注入層或權利要求2所述的空穴傳輸層，其
特征在于，所述碳陽離子是叔碳陽離子。
4.如權利要求1所述的空穴注入層或權利要求2所述的空穴傳輸層，其
特征在于，所述氮陽離子是叔氮或季氮陽離子。
5.如權利要求1所述的空穴注入層或權利要求2所述的空穴傳輸層，其
特征在于，所述抗衡陰離子是氟磷酸離子類、氟化烷基氟磷酸離子類、硼酸離
子類和氟銻酸離子類中的任1種或2種以上。
6.如權利要求1所述的空穴注入層或權利要求2所述的空穴傳輸層，所
...

【專利技術屬性】
技術研發人員：舟生重昭，石塚健一，星陽介，
申請(專利權)人：日立化成工業株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP