【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及顯示領(lǐng)域，具體地，涉及發(fā)光裝置、形成發(fā)光裝置的方法以及顯示裝置。
技術(shù)介紹
近年來(lái)，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)發(fā)光裝置由于具有柔性得到快速的發(fā)展，為了獲得白光，一般OLED發(fā)光裝置包括多層結(jié)構(gòu)，如圖4所示，OLED發(fā)光裝置包括三個(gè)堆疊的OLED發(fā)光單元，在發(fā)光單元之間設(shè)置電荷產(chǎn)生層。然而，現(xiàn)有這種結(jié)構(gòu)的OLED發(fā)光裝置成本較高。進(jìn)一步，OLED發(fā)光裝置所出射的光飽和度有待進(jìn)一步提高。此外，OLED器件的壽命有待進(jìn)一步提高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
鑒于此，本專利技術(shù)的目的在于提供一種發(fā)光裝置和制備該發(fā)光裝置的方法，可以至少克服現(xiàn)有技術(shù)中的部分問(wèn)題或缺點(diǎn)。根據(jù)本專利技術(shù)一方面，提供一種發(fā)光裝置，包括至少一個(gè)OLED發(fā)光單元和至少一個(gè)量子點(diǎn)發(fā)光單元，其中該至少一種量子點(diǎn)發(fā)光單元和至少一個(gè)OLED發(fā)光單元以串聯(lián)的方式布置。根據(jù)本專利技術(shù)一方面，提供一種形成發(fā)光裝置的方法，包括：在基底上形成至少一個(gè)OLED發(fā)光單元；所述方法還包括：在基底上形成至少一種量子點(diǎn)發(fā)光單元；其中，該至少一種量子點(diǎn)發(fā)光單元和至少一個(gè)OLED發(fā)光單元串聯(lián)連接。根據(jù)本專利技術(shù)一方面，提供一種顯示裝置，包括前述的發(fā)光裝置。附圖說(shuō)明圖1示出根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置的示意圖；圖2示出根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置的示意圖，其中示出第二發(fā)光單元的具體結(jié)構(gòu)；圖3示出不同塊體材料的發(fā)光波長(zhǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種發(fā)光裝置，包括至少一個(gè)OLED發(fā)光單元和至少一個(gè)量子點(diǎn)發(fā)光單元，其中該至少一種量子點(diǎn)發(fā)光單元和至少一個(gè)OLED發(fā)光單元以串聯(lián)的方式布置。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光裝置，包括至少一個(gè)OLED發(fā)光單元和至少一個(gè)量子
點(diǎn)發(fā)光單元，
其中該至少一種量子點(diǎn)發(fā)光單元和至少一個(gè)OLED發(fā)光單元以串
聯(lián)的方式布置。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中量子點(diǎn)發(fā)光單元包括量子點(diǎn)
發(fā)光層，量子點(diǎn)發(fā)光層包括多個(gè)量子點(diǎn)的密排結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其中所述量子點(diǎn)發(fā)光層為將量子
點(diǎn)溶液涂覆至基板上固化之后形成。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其中所述量子點(diǎn)發(fā)光單元通過(guò)溶
液工藝形成，所述OLED發(fā)光單元通過(guò)溶液工藝或蒸鍍工藝形成。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其中通過(guò)溶液工藝形成量子點(diǎn)發(fā)
光單元和OLED發(fā)光單元中的相鄰兩層的溶液分別使用不同性質(zhì)互不相
溶的溶液。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其中通過(guò)溶液工藝形成量子點(diǎn)發(fā)
光單元和OLED發(fā)光單元中的相鄰兩層的溶液分別使用水性溶劑和油性
溶劑。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中使用水性溶劑的用于形成量
子點(diǎn)發(fā)光層的溶液包括如下親水基團(tuán)中的至少一種：-COOH、-OH、
-NH2、-SO3H、巰基乙酸。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中使用油性溶劑的用于形成量
子點(diǎn)發(fā)光層的溶液包括如下親油基團(tuán)中的至少一種：-R、-X、-C6H5、
TOP/TOPO、油酸、辛胺。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中在至少一個(gè)OLED發(fā)光單
元和至少一種量子點(diǎn)發(fā)光單元中的任意兩個(gè)發(fā)光單元之間設(shè)置電荷產(chǎn)生
層。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其中電荷產(chǎn)生層包括下列材料
中任一種構(gòu)成的層：金屬氧化物、Li或其鹽類、Mg或其鹽類、Cs2CO3、
CsN3、CsF，以及加入p-型/n-型摻雜劑的主體材料。
11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中至少一種量子點(diǎn)發(fā)光單元
包括紅光量子點(diǎn)發(fā)光單元、綠光量子點(diǎn)發(fā)光單元以及藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光單
元的任一種或多種。
12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中至少一種量子點(diǎn)發(fā)光單元
包括空穴注入層、量子點(diǎn)發(fā)光層以及電子注入層，空穴注入層和電子注
入層分別布置在量子點(diǎn)發(fā)光層的相反的側(cè)面。
13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置，其中至少一種量子點(diǎn)發(fā)光單元
還包括空穴傳輸層和電子傳輸層，空穴傳輸層設(shè)置在空穴注入層和量子
點(diǎn)發(fā)光層之間，電子傳輸層設(shè)置在電子注入層和量子點(diǎn)發(fā)光層之間。
14.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其中紅光量子點(diǎn)發(fā)光單元包括
紅光量子點(diǎn)發(fā)光層，紅光量子點(diǎn)發(fā)光層包括下列材料中至少一種的量子
點(diǎn)：PbSe/Te、PbS、InAs、CuInSe2、Cd3As2、Cd3P2、CdTe、AgInS2。
15.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其中綠光量子點(diǎn)發(fā)光單元包括
綠光量子點(diǎn)發(fā)光層，綠光量子點(diǎn)發(fā)光層包括下列材料中至少一種的量子
點(diǎn)：CdSe/CdZnSe合金、InP、CuInS2、AgInS2、CdTe、CdSe/Te合金。
16.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其中藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光單元包括
藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層，藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層包括下列材料中至少一種的量子
點(diǎn)：CdS和ZnSe。
17.如權(quán)利要求1或11所述的發(fā)光裝置，其中至少一個(gè)OLED發(fā)
光單元包括藍(lán)光OLED發(fā)光單元。
18.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，還包括第一電極和第二電極，
分別布置在發(fā)光裝置第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面用以實(shí)現(xiàn)發(fā)
光裝置與外部的電連接。
19.一種形成發(fā)光裝置的方法，包括：在基底上形成至少一個(gè)OLED
發(fā)光單元；
所述方法還包括：在基底上形成至少一種量子...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：孫杰，李延釗，李重君，徐曉光，陳卓，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：北京;11
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