一種快速檢測NAND Flash內存的方法技術

本發明專利技術提供一種快速檢測NAND?Flash內存的方法，所述方法包括步驟：擦除NAND?Flash內存的一個存儲單元塊；在所述存儲單元塊的一存儲單元頁中寫入測試數據；讀取寫入的所述測試數據；根據所述存儲單元頁中原始寫入的測試數據和讀取的測試數據判斷數據線是否正常；若不正常，判定NAND?Flash內存異常；否則，判定NAND?Flash內存正常。本發明專利技術提出的快速檢測NAND?Flash內存的方法，避免了傳統測試NAND?Flash內存時，遍歷整個NAND?Flash內存存儲空間進行檢測，可以有效的減少測試時間，提高測試效率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及電子
，尤其涉及一種快速檢測NANDFlash內存的方法。
技術介紹
NANDFlash內存是現在市場上主要的非易失閃存技術之一。Inter公司在1988年首先開發出NORFlash技術，徹底改變了原先有EPROM和EEPROM一統天下的局面。1989年東芝公司發表了NANDFlash內存結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NANDFlash內存的結構能提高極高的單元密度，可以達到高存儲密度，可以做到Gbit級別，并且寫入和擦除的速度也很快，同時也具有成本上的優勢。在轉產過程中進行測試時，如果遍歷整個NANDFlash內存存儲空間進行檢測，則需要花費大量時間。另外，在檢測時，NANDFlash內存器件的寫入操作只能在空的或已經擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。傳統的NANDFlash內存檢測的方法是擦除NANDFlash內存全部空間內容，花費了大量的時間。因此，提供一種能夠快速檢測NANDFlash內存的方法，成為目前亟待解決的問題。
技術實現思路
鑒于上述問題，本申請記載了一種快速檢測NANDFlash內存的方法，所述方法包括步驟：擦除NANDFlash內存的一個存儲單元塊；在所述存儲單元塊的一存儲單元頁中寫入測試數據；讀取寫入的所述測試數據；根據所述存儲單元頁中原始寫入的測試數據和讀取的測試數據判斷數據線是否正常；若不正常，判定NANDFlash內存異常；否則，判定NANDFlash內存正常。較佳的，在所述存儲單元頁的基地址0偏移處寫入所述測試數據。較佳的，讀取寫入的所述測試數據時，依次讀取從所述基地址處開始的地址空間。較佳的，根據所述存儲單元塊中原始寫入的測試數據和讀取的測試數據判斷所述數據線是否正常的過程包括步驟：將原始寫入的測試數據和讀取的測試數據進行異或，判斷結果是否為0；若結果為0，判定所述數據線正常；否則，判定所述數據線異常。較佳的，當所述數據線正常時，判定地址線及相應的控制信號線正常。較佳的，寫入的所述測試數據為交替的0xaa和0x55。上述技術方案具有如下優點或有益效果：本專利技術提出的快速檢測NANDFlash內存的方法，避免了傳統測試NANDFlash內存時，遍歷整個NANDFlash內存存儲空間進行檢測，可以有效的減少測試時間，提高測試效率。附圖說明參考所附附圖，以更加充分的描述本專利技術的實施例。然而，所附附圖僅用于說明和闡述，并不構成對本專利技術范圍的限制。圖1為本專利技術一種快速檢測NANDFlash內存的方法的流程示意圖一；圖2為本專利技術一種快速檢測NANDFlash內存的方法的流程示意圖二。具體實施方式下面結合附圖和具體實施例對本專利技術一種快速檢測NANDFlash內存的方法進行詳細說明。如圖1所示，一種快速檢測NANDFlash內存的方法，包括步驟：擦除NANDFlash內存的一個存儲單元塊，并在該存儲單元塊的存儲單元頁中寫入測試數據；讀回寫入的所述測試數據；根據原始寫入的測試數據和讀回的測試數據判斷數據線或地址線是否正常；若不正常，判定NANDFlash內存異常；否則，判定NANDFlash內存正常。對于NANDFlash內存，其存儲空間由若干存儲單元塊組成，每一個存儲單元塊又由若干存儲單元頁構成。在實際應用中，存儲單元塊是最小的擦除單元，但是存儲單元頁是最小的寫入單元。以三星公司的一款型號為K9F4G08U0D-SCB0的NANDFlash內存為例，該NANDFlash內存的容量為4Gbit，一片K9F4G08U0D-SCB0由4096個存儲單元塊組成，一個塊包括64個存儲單元頁，每個存儲單元頁包括(2K+64)Byte。在對內存進行檢測時，任何NANDFlash內存的寫入操作之前，都必須先進行擦除操作。由于存儲單元塊是最小的擦除單元，因此在本實施例中，首先擦除內存的任意一個存儲單元塊，然后再向該存儲單元塊的某存儲單元頁中寫入測試數據。最后，讀回該測試數據。在測試數據線或地址線是否正常時，需要對比原始寫入的測試數據和讀回的測試數據。若兩者相同，則證明數據線正常，同時可以說明地址線以及相關的控制信號線也是正常的。其中，如圖2所示，在所述存儲單元頁的基地址0偏移處寫入所述測試數據，且讀取寫入的所述測試數據時，依次讀取從所述基地址處開始的地址空間。根據所述存儲單元塊中原始寫入的測試數據和讀取的測試數據判斷所述數據線是否正常的過程包括步驟：將原始寫入的測試數據和讀取的測試數據進行異或，判斷結果是否為0；若結果為0，判定所述數據線正常；否則，判定所述數據線異常。具體來說，寫入的測試數據的構造可以如下所示：Test_Data＝{0xaa，0x55，0xaa，0x55，0xaa，0x55，0xaa，0x55本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種快速檢測NAND?Flash內存的方法，其特征在于，所述方法包括步驟：擦除NAND?Flash內存的一個存儲單元塊；在所述存儲單元塊的一存儲單元頁中寫入測試數據；讀取寫入的所述測試數據；根據所述存儲單元頁中原始寫入的測試數據和讀取的測試數據判斷數據線是否正常；若不正常，判定NAND?Flash內存異常；否則，判定NAND?Flash內存正常。

【技術特征摘要】
1.一種快速檢測NANDFlash內存的方法，其特征在于，所述
方法包括步驟：
擦除NANDFlash內存的一個存儲單元塊；
在所述存儲單元塊的一存儲單元頁中寫入測試數據；
讀取寫入的所述測試數據；
根據所述存儲單元頁中原始寫入的測試數據和讀取的測試數據
判斷數據線是否正常；
若不正常，判定NANDFlash內存異常；否則，判定NANDFlash
內存正常。
2.根據權利要求1所述的快速檢測NANDFlash內存的方法，
其特征在于，在所述存儲單元頁的基地址0偏移處寫入所述測試數
據。
3.根據權利要求2所述的快速檢測NANDFlash內存的方法，
其特征在于，讀取寫入的所述測試數據時，依次讀取從...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王振，
申請(專利權)人：上海斐訊數據通信技術有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31