DRAM的初始化方法及裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術適用于計算機技術領域，提供了DRAM的初始化方法及裝置，包括：將DRAM的地址空間劃分為N個塊，所述N為大于1的整數；根據所述劃分的結果，對所述DRAM進行壞塊掃描，將掃描結果記錄在預設的數據表中；根據所述數據表的記錄對所述DRAM進行地址重映射，包括：將地址連續的非壞塊組合成塊區域，并獲取所述塊區域的首地址及容量大小；根據所述劃分的結果，修改操作系統內核的配置文件，以對內核接收參數的空間進行擴大；將所述塊區域的首地址及容量大小傳遞到內核，以完成所述DRAM的初始化。本發明專利技術對DRAM的地址空間進行重新映射，使得操作系統能夠在存在壞塊的DRAM上也得到正常運行，有效地提高了存儲資源利用率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術屬于計算機
，尤其涉及一種動態隨機存取存儲器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)的初始化方法及裝置。
技術介紹
移動操作系統啟動時，在其引導裝載(bootloader)的預裝載(preloader)階段，會根據配置文件來初始化內存的容量大小，并將初始化好的地址空間通過傳參方式傳給小內核(LittleKernel，LK)使用，即，將DRAM的物理首地址、容量大小等信息存放在DRAM的指定區域，等待小內核讀取并使用。由于是根據配置文件來對DRAM的整個地址空間進行初始化，因此，DRAM不允許存在壞塊，若DRAM的存儲陣列中存在壞塊，會影響移動操作系統的正常運行，這樣一來，對于存在少量壞塊的DRAM，就無法被使用，在經過廠商的封裝測試之后，只能被當作廢棄品處理，造成了資源浪費。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術實施例提供了DRAM的初始化方法及裝置，旨在解決現有技術中存在少量壞塊的DRAM會導致移動操作系統無法正常運行的問題。第一方面，提供了一種動態隨機存取存儲器DRAM的初始化方法，包括：將DRAM的地址空間劃分為N個塊，所述N為大于1的整數；根據所述劃分的結果，對所述DRAM進行壞塊掃描，將掃描結果記錄在預設的數據表中；根據所述數據表的記錄對所述DRAM進行地址重映射，包括：將地址連續的非壞塊組合成塊區域，并獲取所述塊區域的首地址及容量大小；根據所述劃分的結果，修改操作系統內核的配置文件，以對內核接收參數的空間進行擴大；將所述塊區域的首地址及容量大小傳遞到內核，以完成所述DRAM的初始化。第二方面，提供了一種動態隨機存取存儲器DRAM的初始化裝置，包括：劃分單元，用于將DRAM的地址空間劃分為N個塊，所述N為大于1的整數；掃描單元，用于根據所述劃分的結果，對所述DRAM進行壞塊掃描，將掃描結果記錄在預設的數據表中；映射單元，用于根據所述數據表的記錄對所述DRAM進行地址重映射，包括：將地址連續的非壞塊組合成塊區域，并獲取所述塊區域的首地址及容量大小；修改單元，用于根據所述劃分的結果，修改操作系統內核的配置文件，以對內核接收參數的空間進行擴大；初始化單元，用于將所述塊區域的首地址及容量大小傳遞到內核，以完成所述DRAM的初始化。本專利技術實施例對DRAM的地址空間進行重新映射，提取出DRAM中不存在壞塊的地址空間，并通過修改操作系統的配置文件，使得操作系統能夠在存在壞塊的DRAM上也得到正常運行，有效地提高了存儲資源利用率。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本專利技術實施例提供的DRAM的初始化方法的實現流程圖；圖2是本專利技術實施例提供的DRAM的初始化方法壞塊掃描的實現流程圖；圖3是本專利技術實施例提供的DRAM的初始化方法掃描結果記錄的實現流程圖；圖4是本專利技術另一實施例提供的DRAM的初始化方法的實現流程圖；圖5是本專利技術另一實施例提供的DRAM的初始化方法的實現流程圖；圖6是本專利技術實施例提供的DRAM的初始化裝置的結構框圖。具體實施方式以下描述中，為了說明而不是為了限定，提出了諸如特定系統結構、技術之類的具體細節，以便透切理解本專利技術實施例。然而，本領域的技術人員應當清楚，在沒有這些具體細節的其它實施例中也可以實現本專利技術。在其它情況中，省略對眾所周知的系統、裝置、電路以及方法的詳細說明，以免不必要的細節妨礙本專利技術的描述。圖1示出了本專利技術實施例提供的DRAM的初始化方法的實現流程，在本發明實施例中，DRAM的初始化，指的是操作系統在啟動過程中，根據配置文件來初始化DRAM的分塊情況、容量大小等相關參數，以使得在初始化完成之后，操作系統能夠在DRAM上正常運行。其中，所述操作系統包括但不限于移動終端所采用的移動操作系統，例如android系統等。該方案的實現流程詳述如下：在S101中，將DRAM的地址空間劃分為N個塊，所述N為大于1的整數。以android系統為例，在終端設備開機，android系統bootloader的preloader階段，完成DRAM在該階段的初始化后，先將DRAM的整個地址空間劃分為N個塊，最終劃分出來的塊數由塊的大小決定，例如，每個塊的容量為1M，則512M的DRAM可以劃分出512個塊。在S102中，根據所述劃分的結果，對所述DRAM進行壞塊掃描，將掃描結果記錄在預設的數據表中。對DRAM進行壞塊掃描，其目的是為了區分并記錄DRAM存儲空間中的壞塊區域和非壞塊區域。具體的掃描過程如圖2所示：在S201中，通過預設算法對所述N個塊中的每個塊分別進行測試。在S202中，若測試出某個塊存在至少一個錯誤，則將該塊記錄為壞塊，否則將該塊記錄為非壞塊。例如，利用0x55555555、0xAAAAAAAA或者隨機數對DRAM進行全盤讀寫，又例如，利用marchX這樣一種有效測試DRAM故障的算法對每個塊分別進行測試，只要某個塊的測試結果中存在至少一個錯誤，就將該塊記錄為壞塊，若某個塊通過預設算法測試之后沒有發現錯誤，則該塊就被判定為非壞塊。具體的掃描結果記錄過程可以如圖3所示：在S301中，通過二值法對所述N個塊中的每個塊進行標記。通過“0－1”二值來對壞塊和非壞塊進行標記，例如，將壞塊標記為1，非壞塊標記為0；或者，將壞塊標記為0，非壞塊標記為1，通過二值法來對掃描結果進行標記，能夠直觀便捷地區分出DRAM中的壞塊和非壞塊。在S302中，在所述預設的數據表中寫入每個塊對應的地址及標記。在預設的數據表中寫入DRAM中每個塊在DRAM中的地址及對應的標記，由此就可以完成對DRAM壞塊情況的記錄。此外，在預設的數據表中，顯然也可以僅寫入DRAM中的壞塊對應的地址及標記，那么沒有寫入DRAM中的地址空間顯然就是非壞塊所處的地址空間；或者僅寫入DRAM中的非壞塊對應的地址及標記，那么沒有寫入DRAM中的地址空間顯然就是壞塊所處的地址空間。在S103中，根據所述數據表的記錄對所述DRAM進行地址重映射，包括：將地址連續的非壞塊組合成塊區域，并獲取所述塊區域的首地址及容量大小。以android系統為例，在其b本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種動態隨機存取存儲器DRAM的初始化方法，其特征在于，包括：將DRAM的地址空間劃分為N個塊，所述N為大于1的整數；根據所述劃分的結果，對所述DRAM進行壞塊掃描，將掃描結果記錄在預設的數據表中；根據所述數據表的記錄對所述DRAM進行地址重映射，包括：將地址連續的非壞塊組合成塊區域，并獲取所述塊區域的首地址及容量大小；根據所述劃分的結果，修改操作系統內核的配置文件，以對內核接收參數的空間進行擴大；將所述塊區域的首地址及容量大小傳遞到內核，以完成操作系統對所述DRAM的初始化。

【技術特征摘要】
1.一種動態隨機存取存儲器DRAM的初始化方法，其特征在于，包括：
將DRAM的地址空間劃分為N個塊，所述N為大于1的整數；
根據所述劃分的結果，對所述DRAM進行壞塊掃描，將掃描結果記錄在預
設的數據表中；
根據所述數據表的記錄對所述DRAM進行地址重映射，包括：將地址連續
的非壞塊組合成塊區域，并獲取所述塊區域的首地址及容量大小；
根據所述劃分的結果，修改操作系統內核的配置文件，以對內核接收參數
的空間進行擴大；
將所述塊區域的首地址及容量大小傳遞到內核，以完成操作系統對所述
DRAM的初始化。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述將掃描結果記錄在預設
的數據表中之后，所述根據所述數據表的記錄對所述DRAM進行地址重映射之
前，所述方法還包括：
將所述數據表存儲至非易失性存儲器中。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述將DRAM的地址空間
劃分為N個塊之前，所述方法還包括：
接收調整指令，根據所述調整指令調整所述N的取值。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述劃分的結果，對
所述DRAM進行壞塊掃描包括：
通過預設算法對所述N個塊中的每個塊分別進行測試；
若測試出某個塊存在至少一個錯誤，則將該塊記錄為壞塊，否則將該塊記
錄為非壞塊。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述將掃描結果記錄在預設的
數據表中包括：
通過二值法對所述N個塊中的每個塊進行標記；
在所述預設的數據表中...

【專利技術屬性】
技術研發人員：盧浩，戴清海，李志雄，鄧恩華，吳方，
申請(專利權)人：深圳市江波龍電子有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44