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    基于NiO空穴傳輸層的甲胺鉛碘基太陽(yáng)能電池制備方法技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):14567016 閱讀:124 留言:0更新日期:2017-02-06 00:34
    本發(fā)明專利技術(shù)公開(kāi)了一種基于NiO空穴傳輸層的甲胺鉛碘基太陽(yáng)能電池制備方法,包括:將Li2O加入NiO粉末中,并用研缽充分研磨,將兩者均勻混合;將混合粉末加入壓片磨具中并加壓得到靶材胚體;將胚體放入馬弗爐,在空氣中于1000攝氏度燒結(jié)4小時(shí),自然冷卻至室溫后得到NiO靶材;將NiO靶材和清洗后的導(dǎo)電玻璃襯底固定在真空沉積腔內(nèi),抽真空至10-4帕;通入氬氣和氧氣的混合氣體;用248nm的氣體激光器轟擊NiO靶材,使NiO氣化并沉積在導(dǎo)電玻璃襯底上;將沉積了NiO導(dǎo)電層的襯底轉(zhuǎn)移到手套箱中,并在其上生長(zhǎng)甲胺鉛碘基光吸收層和n型電子傳輸層;將以上樣品表面用掩膜版覆蓋,轉(zhuǎn)移到熱蒸發(fā)設(shè)備中蒸發(fā)金屬電極。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)屬于新型太陽(yáng)能電池制作
    ,具體涉及一種可用于甲胺鉛碘基太陽(yáng)能電池的NiO空穴傳輸層的制備方法。
    技術(shù)介紹
    鈣鈦礦型甲胺鉛碘(CH3NH3PbI3,MAPbI3)太陽(yáng)能電池因具有光電轉(zhuǎn)化效率高、制備簡(jiǎn)單、成本低廉等優(yōu)點(diǎn),吸引了眾多科研工作者的關(guān)注。五年內(nèi),其實(shí)驗(yàn)室光電轉(zhuǎn)化效率已由3.8%提高到19.3%,列《Science》評(píng)選的2013年十大科學(xué)突破第七位。盡管該類電池的相關(guān)研究進(jìn)展很快,但仍然存在諸多問(wèn)題,其中空穴傳輸層的成本和穩(wěn)定性問(wèn)題最為突出。目前甲胺鉛碘基新型太陽(yáng)能電池所廣泛采用的空穴傳輸材料是有機(jī)空穴導(dǎo)電層,比如Spiro-OMeTAD。高純Spiro-OMeTAD的價(jià)格是鉑和金的10倍以上!盡管隨著鈣鈦礦型太陽(yáng)能電池的興起,這種有機(jī)半導(dǎo)體材料不斷增大的需求會(huì)降低材料的制備成本,但由于材料制備方法和光伏器件對(duì)材料純度要求的限制,材料的價(jià)格也不會(huì)降低太多。此外,有機(jī)半導(dǎo)體的長(zhǎng)期穩(wěn)定性差,在光照條件下尤為突出,顯然不利于大面積工業(yè)化生產(chǎn)和應(yīng)用。因此,用廉價(jià)的高遷移率無(wú)機(jī)半導(dǎo)體(以NiO為代表)代替有機(jī)半導(dǎo)體材料作空穴傳輸層制備低成本、長(zhǎng)期穩(wěn)定的高效率全無(wú)機(jī)鈣鈦礦型MAPbI3基太陽(yáng)能電池是一項(xiàng)充滿挑戰(zhàn)的工作。NiO作為空穴傳輸層,需要具有優(yōu)良的空穴傳輸性能,而空穴傳輸性能的好壞由摻雜劑的濃度直接決定。在目前的NiO薄膜的制備方法中,最為常用的是溶膠凝膠法和磁控濺射法,這兩種方法制備的薄膜往往存在薄膜結(jié)晶質(zhì)量較差或摻雜濃度低且難以控制等問(wèn)題。因此,需要提供一種新型的太陽(yáng)能電池的制備方法來(lái)提高太陽(yáng)能電池整體的利用效率。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本專利技術(shù)的目的是提供一種基于NiO空穴傳輸層的甲胺鉛碘基太陽(yáng)能電池制備方法,用此方法制備的薄膜晶體質(zhì)量高、載流子濃度達(dá)到1020以上;用此方法制備的NiO薄膜做成的鈣鈦礦型甲胺鉛碘基薄膜太陽(yáng)能電池的效率可以達(dá)到10%。一種基于NiO空穴傳輸層的甲胺鉛碘基太陽(yáng)能電池制備方法,所述甲胺鉛碘基太陽(yáng)能電池制備方法的制作包括以下步驟:S1,將Li2O加入NiO粉末中,并用研缽充分研磨,將兩者均勻混合;將混合粉末加入壓片磨具中并加壓得到靶材胚體;將胚體放入馬弗爐,在空氣中于1000攝氏度燒結(jié)4小時(shí),自然冷卻至室溫后得到NiO靶材;S2,將NiO靶材和清洗后的導(dǎo)電玻璃襯底固定在真空沉積腔內(nèi),抽真空至10-4帕;通入氬氣和氧氣的混合氣體;用248nm的氣體激光器轟擊NiO靶材,使NiO氣化并沉積在導(dǎo)電玻璃襯底上;S3,將沉積了NiO導(dǎo)電層的襯底轉(zhuǎn)移到手套箱中,并在其上生長(zhǎng)甲胺鉛碘基光吸收層和n型電子傳輸層;將以上樣品表面用掩膜版覆蓋,轉(zhuǎn)移到熱蒸發(fā)設(shè)備中蒸發(fā)金屬電極。優(yōu)選地,所述步驟S1具體為:稱取0.149克Li2O粉末和7.47克NiO粉末,放入瑪瑙研缽中充分混合并研磨20分鐘,使兩者均勻混合,將研磨好的混合粉末倒入壓片磨具中,放到壓片機(jī)加5MPa壓力并保持10分鐘后取出靶材胚體,將靶材胚體放入馬弗爐中,以每分鐘5攝氏度的速率加熱到1000攝氏度并保溫4小時(shí)進(jìn)行燒結(jié),然后自然冷到室溫,得到NiO的靶材。優(yōu)選地,所述步驟S2具體為:將NiO靶材和清洗后的導(dǎo)電玻璃襯底固定在真空沉積腔內(nèi),用機(jī)械泵和分子泵抽真空至10-4帕后通入氬氣和氧氣的混合氣體,使腔內(nèi)壓力保持在10mTorr。用248nm的KrF氣體脈沖激光器轟擊NiO靶材1000個(gè)脈沖,使NiO氣化并沉積在導(dǎo)電玻璃襯底上,其中氧氣的含量從0%到100%,襯底溫度從室溫到400度可調(diào)。優(yōu)選地,所述步驟S3具體為:將在沉積腔中取出的襯底轉(zhuǎn)移到手套箱中,用一步或兩步液相法生長(zhǎng)甲胺鉛碘基光吸收層,光吸收層的成分可以調(diào)節(jié)并改變太陽(yáng)能電池的光譜響應(yīng)范圍;在手套箱中旋涂n型電子傳輸層,例如PCBM或用PLD法生長(zhǎng)AZO電子傳輸層;最后,在生長(zhǎng)完n型層的樣品表面覆蓋掩模板,并轉(zhuǎn)移到熱蒸發(fā)沉積腔中沉積80nm金或者銀薄膜;金屬薄膜沉積完畢后去除掩模板,最終得到薄膜太陽(yáng)能電池。本專利技術(shù)的技術(shù)方案具有以下有益效果:本專利技術(shù)提供一種基于NiO空穴傳輸層的甲胺鉛碘基太陽(yáng)能電池制備方法,通過(guò)控制脈沖激光沉積的沉積參數(shù),可以實(shí)現(xiàn)p型NiO薄膜電學(xué)和光學(xué)性能的調(diào)節(jié),取代現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)空穴傳輸層,降低了電池的制備成本,提高電池的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。用此方法制備的薄膜晶體質(zhì)量高、載流子濃度達(dá)到1020以上,用此方法制備的NiO薄膜做成的鈣鈦礦型甲胺鉛碘基薄膜太陽(yáng)能電池的效率可以達(dá)到10%。附圖說(shuō)明下面通過(guò)附圖和實(shí)施例,對(duì)本專利技術(shù)的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。圖1是本專利技術(shù)基于NiO空穴傳輸層的甲胺鉛碘基太陽(yáng)能電池制備方法的流程框圖。具體實(shí)施方式為了清楚了解本專利技術(shù)的技術(shù)方案,將在下面的描述中提出其詳細(xì)的結(jié)構(gòu)。顯然,本專利技術(shù)實(shí)施例的具體施行并不足限于本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本專利技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)描述如下,除詳細(xì)描述的這些實(shí)施例外,還可以具有其他實(shí)施方式。下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本專利技術(shù)做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本實(shí)施例提供一種采用脈沖激光沉積法制備的NiO薄膜作為p型導(dǎo)電層組裝的甲胺鉛碘基新型薄膜太陽(yáng)能電池,其中NiO薄膜取代傳統(tǒng)有機(jī)導(dǎo)電層,可降低制備成本、提高電池的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。所述NiO薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能可以通過(guò)脈沖激光沉積的各個(gè)沉積參數(shù)進(jìn)行調(diào)控,有利于采用多種措施改善電池的性能。(1)首先將透明導(dǎo)電襯底置于飽和NaOH的乙醇溶液中超聲15分鐘,用去離子水漂洗后,再用去離子水超聲15分鐘,用壓縮氣體吹干備用。稱取0.149克氧化鋰粉末和7.47克氧化鎳粉末,加入瑪瑙研缽中充分混合,并研磨20分鐘,使兩者混合均勻。將研磨好的混合粉末倒入壓片磨具中,放到壓片機(jī)加5MPa壓力并保持10分鐘后取出靶材胚體。將靶材胚體放入馬弗爐中,以每分鐘5攝氏度的速率加熱到1000攝氏度并保溫4小時(shí),然后自然冷卻到室溫,得到NiO的靶材。(2)將NiO靶材和清洗后的導(dǎo)電玻璃襯底固定在真空沉積腔內(nèi),用機(jī)械泵和分子泵抽真空至10-4帕后通入氬氣和氧氣的混合氣體,使腔內(nèi)壓力保持在10mTorr。用248nm的KrF氣體脈沖激光器轟擊NiO靶材1000個(gè)脈沖,使NiO氣化并沉積在導(dǎo)電玻璃襯底上。其中氧氣的含量從0%到100%,襯底溫度從室溫到400度可調(diào)。(3)將在沉積腔中取出的襯底轉(zhuǎn)移到手套箱中,用一步或兩步液相法生長(zhǎng)甲胺鉛碘基光吸收層,光吸收層的成分可以調(diào)節(jié)并改變太陽(yáng)能電池的光譜響應(yīng)范圍;在手套箱中旋涂n型電子傳輸層,例如PCBM或用PLD法生長(zhǎng)AZO電子傳輸層。最后,在生長(zhǎng)完n型層的樣品表面覆蓋掩模板,并轉(zhuǎn)移到熱蒸發(fā)沉積腔中沉積80nm金或者銀薄膜。金屬薄膜沉積完畢后去除掩模板,最終得到薄膜太陽(yáng)能電池。本專利技術(shù)提供一種基于NiO空穴傳輸層的甲胺鉛碘基太陽(yáng)能電池制備方法,通過(guò)控制脈沖激光沉積的沉積參數(shù),可以實(shí)現(xiàn)p型NiO薄膜電學(xué)和光學(xué)性能的調(diào)節(jié),取代現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)空穴傳輸層,降低了電池的制備成本,提高電池的長(zhǎng)期穩(wěn)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    基于NiO空穴傳輸層的甲胺鉛碘基太陽(yáng)能電池制備方法,其特征在于,所述甲胺鉛碘基太陽(yáng)能電池制備方法的制作包括以下步驟:S1,將Li2O加入NiO粉末中,并用研缽充分研磨,將兩者均勻混合;將混合粉末加入壓片磨具中并加壓得到靶材胚體;將胚體放入馬弗爐,在空氣中于1000攝氏度燒結(jié)4小時(shí),自然冷卻至室溫后得到NiO靶材;S2,將NiO靶材和清洗后的導(dǎo)電玻璃襯底固定在真空沉積腔內(nèi),抽真空至10?4帕;通入氬氣和氧氣的混合氣體;用248nm的氣體激光器轟擊NiO靶材,使NiO氣化并沉積在導(dǎo)電玻璃襯底上;S3,將沉積了NiO導(dǎo)電層的襯底轉(zhuǎn)移到手套箱中,并在其上生長(zhǎng)甲胺鉛碘基光吸收層和n型電子傳輸層;將以上樣品表面用掩膜版覆蓋,轉(zhuǎn)移到熱蒸發(fā)設(shè)備中蒸發(fā)金屬電極。

    【技術(shù)特征摘要】
    1.基于NiO空穴傳輸層的甲胺鉛碘基太陽(yáng)能電池制備方法,其特征在于,所述甲胺鉛碘基太陽(yáng)能電池制備方法的制作包括以下步驟:
    S1,將Li2O加入NiO粉末中,并用研缽充分研磨,將兩者均勻混合;將混合粉末加入壓片磨具中并加壓得到靶材胚體;將胚體放入馬弗爐,在空氣中于1000攝氏度燒結(jié)4小時(shí),自然冷卻至室溫后得到NiO靶材;
    S2,將NiO靶材和清洗后的導(dǎo)電玻璃襯底固定在真空沉積腔內(nèi),抽真空至10-4帕;通入氬氣和氧氣的混合氣體;用248nm的氣體激光器轟擊NiO靶材,使NiO氣化并沉積在導(dǎo)電玻璃襯底上;
    S3,將沉積了NiO導(dǎo)電層的襯底轉(zhuǎn)移到手套箱中,并在其上生長(zhǎng)甲胺鉛碘基光吸收層和n型電子傳輸層;將以上樣品表面用掩膜版覆蓋,轉(zhuǎn)移到熱蒸發(fā)設(shè)備中蒸發(fā)金屬電極。
    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于NiO空穴傳輸層的甲胺鉛碘基太陽(yáng)能電池制備方法,其特征在于,所述步驟S1具體為:
    稱取0.149克Li2O粉末和7.47克NiO粉末,放入瑪瑙研缽中充分混合并研磨20分鐘,使兩者均勻混合,將研磨好的混合粉末倒入壓片磨具中,放到壓片機(jī)加5MPa壓力并保持10分鐘后取出靶材胚體,將靶材胚體放入馬弗爐中,以每分...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:鞏海波,黃濤張永興張永杰,向朝玉
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:新疆中興能源有限公司
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:新疆;65

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