本實用新型專利技術公開了一種超高亮度白光LED芯片，涉及LED產品領域，包括LED發光本體、襯底和表面熒光體層，所述LED發光本體包括從上至下依次層疊設置的第二電極、N型層、發光層、P型層和第一電極，所述襯底設于LED發光本體下部，所述表面熒光體層設于LED發光本體上部，所述LED發光本體和襯底之間還設有金屬反射層，所述襯底下部設有導電層，該種超高亮度白光LED芯片將表面熒光體層直接設置在發光本體上，LED發光色溫較為一致，生產效率較高，值得推廣。
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及LED產品領域，具體涉及一種超高亮度白光LED芯片。
技術介紹
在現有技術中，采用在具有激發紫外光的發光元件上涂覆硅膠與熒光粉的混合體獲得白光，采用此方法實現白光LED，由于熒光粉的沉降速度不一致使得熒光層的濃度不均勻，導致光線通過熒光層時，顏色和亮度會出現很大的偏差，整體亮度也會受到很大影響，且容易出現光斑。
技術實現思路
本技術的目的在于提供一種超高亮度白光LED芯片，以解決現有技術中導致的上述多項缺陷。一種超高亮度白光LED芯片，包括LED發光本體、襯底和表面熒光體層，所述LED發光本體包括從上至下依次層疊設置的第二電極、N型層、發光層、P型層和第一電極，所述襯底設于LED發光本體下部，所述表面熒光體層設于LED發光本體上部，所述LED發光本體和襯底之間還設有金屬反射層，所述襯底下部設有導電層。優選的，所述發光層為激發紫外光的多量子阱有源層。優選的，所述襯底由藍寶石制成，所述N型層和P形層為氮化物半導體材料。優選的，所述表面熒光體層在所述第二電極處具有開口。優選的，所述第二電極的側面的還設有側面熒光體層，所述表面熒光體層和側面熒光體層的厚度均為10μm-80μm。本技術的有益效果：該種超高亮度白光LED芯片，通過該種結構設計，在發光本體上形成表面熒光體層，所述表面熒光體層為固體狀材質，代替現有技術中硅膠與熒光粉的混合體，覆蓋于所述發光元件上，使熒光粉的濃度均勻，顏色均勻性好，進而提高同批次產品的色溫的均勻性，形成色溫一致的白光LED芯片，同時表面熒光體層直接設置發光元件上，使得在芯片級發出白光，大大提高了白光的生產效率，同樣使得LED的亮度大幅度增加，所述發光層為激發紫外光的多量子阱有源層，通過發光層激發紫外光，經過N型層和P型層，透過表面熒光體層產生白光，所述襯底為材質較好的藍寶石，所述N型層和P形層為氮化物半導體材料，所選材料可以很好地處理由發光層產生的紫外光，提高產生白光的濃度和顏色的均勻性，所述表面熒光體層在所述第二電極上具有開口，這種結構可以方便設置于表面熒光體層下部的第二電極的電性引出，有利于后期操作，所述第二電極的側面的還設有側面熒光體層，所述表面熒光體層和側面熒光體層的厚度為10μm-80μm，發光層在側面發光時，為了防止光線溢出形成光斑，同樣需要在側面設置熒光層，整個LED芯片的表面熒光體層也需要保證厚度。附圖說明圖1為本技術所述的一種超高亮度白光LED芯片的結構示意圖。圖2為本技術所述的一種超高亮度白光LED芯片的LED發光本體部分的結構示意圖。其中：1—第一電極，2—P型層，3—發光層，4—N型層，5—第二電極，6—表面熒光體層，7—金屬反射層，8—襯底，9—導電層，10—側面熒光體層。具體實施方式為使本技術實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體實施方式，進一步闡述本技術。如圖1和圖2所示，一種超高亮度白光LED芯片，包括LED發光本體、襯底8和表面熒光體層6，所述LED發光本體包括從上至下依次層疊設置的第二電極5、N型層4、發光層3、P型層2和第一電極1，所述襯底8設于LED發光本體下部，所述表面熒光體層6設于LED發光本體上部，所述LED發光本體和襯底8之間還設有金屬反射層7，所述襯底下部設有導電層9。該種超高亮度白光LED芯片，通過該種結構設計，在發光本體上形成表面熒光體層6，所述表面熒光體層6為固體狀材質，代替現有技術中硅膠與熒光粉的混合體，覆蓋于所述發光元件上，使熒光粉的濃度均勻，顏色均勻性好，進而提高同批次產品的色溫的均勻性，形成色溫一致的白光LED芯片，同時表面熒光體層6直接設置發光元件上，使得在芯片級發出白光，大大提高了白光的生產效率，同樣使得LED的亮度大幅度增加。在本實施例中，所述發光層3為激發紫外光的多量子阱有源層，通過發光層3激發紫外光，經過N型層4和P型層2，透過表面熒光體層6產生白光，所述襯底8所述由藍寶石制成，所述N型層4和P形層2為氮化物半導體材料，所選材料可以很好地處理由發光層3產生的紫外光，提高產生白光的濃度和顏色的均勻性，所述表面熒光體層6在所述第二電極5處具有開口，這種結構可以方便設置于表面熒光體層6下部的第二電極5的電性引出，有利于后期操作，所述第二電極5的側面的還設有側面熒光體層10，所述表面熒光體層和側面熒光體層10的厚度均為10μm-80μm，發光層3在側面發光時，為了防止光線溢出形成光斑，同樣需要在側面設置熒光層，整個LED芯片的表面熒光體層6也需要保證厚度。基于上述，本技術通過該種結構設計，在發光本體上形成表面熒光體層，代替現有技術中硅膠與熒光粉的混合體，覆蓋于所述發光元件上，使熒光粉的濃度均勻，顏色均勻性好，形成色溫一致的白光LED芯片，同時表面熒光體層直接設置發光元件上，使得在芯片級發出白光，大大提高了白光的生產效率，值得推廣。由技術常識可知，本技術可以通過其它的不脫離其精神實質或必要特征的實施方案來實現。因此，上述公開的實施方案，就各方面而言，都只是舉例說明，并不是僅有的。所有在本技術范圍內或在等同于本技術的范圍內的改變均被本技術包含。本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種超高亮度白光LED芯片，其特征在于，包括LED發光本體、襯底和表面熒光體層，所述LED發光本體包括從上至下依次層疊設置的第二電極、N型層、發光層、P型層和第一電極，所述襯底設于LED發光本體下部，所述表面熒光體層設于LED發光本體上部，所述LED發光本體和襯底之間還設有金屬反射層，所述襯底下部設有導電層。
【技術特征摘要】
1.一種超高亮度白光LED芯片，其特征在于，包括LED發光本
體、襯底和表面熒光體層，所述LED發光本體包括從上至下依次層疊
設置的第二電極、N型層、發光層、P型層和第一電極，所述襯底設
于LED發光本體下部，所述表面熒光體層設于LED發光本體上部，所
述LED發光本體和襯底之間還設有金屬反射層，所述襯底下部設有導
電層。
2.根據權利要求1所述的一種超高亮度白光LED芯片，其特征
在于：所述發光層為激發紫外光的多量子阱有...
【專利技術屬性】
技術研發人員：方文發，楊全松，廣旭，
申請(專利權)人：安徽科發信息科技有限公司，
類型：新型
國別省市：安徽;34
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