本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種計(jì)時(shí)裝置及計(jì)時(shí)方法，該計(jì)時(shí)裝置包含一存儲(chǔ)器裝置以及一處理器。存儲(chǔ)器裝置包含一第一電性參數(shù)。處理器用以感測存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的一初始值，以及感測存儲(chǔ)器裝置經(jīng)過一第一時(shí)間的第一電性參數(shù)的一第一值。處理器更用以根據(jù)存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的初始值及存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的第一值計(jì)算第一時(shí)間。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)是有關(guān)于一種計(jì)時(shí)裝置及一種計(jì)時(shí)方法。
技術(shù)介紹
對(duì)于電子電路來說，通常會(huì)需要計(jì)算一特定事件的經(jīng)過時(shí)間。一種測量經(jīng)過時(shí)間的典型的方法是使用一計(jì)時(shí)電路去計(jì)算經(jīng)過的時(shí)間。然而，這種方法需要提供電力到計(jì)時(shí)電路以持續(xù)計(jì)算時(shí)間。而只要計(jì)時(shí)電路被中斷或經(jīng)歷一電源損失事件(powerlossevent)，所追蹤的經(jīng)過時(shí)間就會(huì)遺失。避免電源損失事件造成的問題的進(jìn)一步的做法是加上一電池或一電容以持續(xù)追蹤時(shí)間。然而，當(dāng)電池有錯(cuò)誤或者電力用完時(shí)，此系統(tǒng)仍會(huì)面對(duì)相似的問題，特別是在電源損失周期超過一段長時(shí)間的時(shí)候。因此，有必要提供一種新的方法以在不需要提供電源的情況下得到經(jīng)過時(shí)間。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，提供一種計(jì)時(shí)裝置。計(jì)時(shí)裝置包含一存儲(chǔ)器裝置以及一處理器。存儲(chǔ)器裝置包含一第一電性參數(shù)。處理器用以感測存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的一初始值，以及感測存儲(chǔ)器裝置經(jīng)過一第一時(shí)間的第一電性參數(shù)的一第一值。處理器更用以根據(jù)存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的初始值及存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的第一值計(jì)算第一時(shí)間。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，提供一種使用一存儲(chǔ)器裝置的計(jì)時(shí)方法。此計(jì)時(shí)方法包含以下步驟：感測存儲(chǔ)器裝置的一第一電性參數(shù)的一初始值，并感測存儲(chǔ)器裝置經(jīng)過一第一時(shí)間的第一電性參數(shù)的一第一值。此計(jì)時(shí)方法更包含根據(jù)存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的初始值及存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的第一值計(jì)算第一時(shí)間。以下所附的圖式，構(gòu)成了本說明書的一部份，用以配合下文的描述以說明揭露的實(shí)施例，為了解釋揭露的實(shí)施例。附圖說明圖1繪示依據(jù)本專利技術(shù)第一實(shí)施例的計(jì)時(shí)裝置的示意圖。圖2繪示依據(jù)本專利技術(shù)第一實(shí)施例的相變化存儲(chǔ)器的電阻值隨時(shí)間漂移的示意圖。圖3繪示一例的鍺銻碲相變化存儲(chǔ)器的電阻值在一復(fù)位操作后隨時(shí)間漂移的實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖。圖4繪示依據(jù)本專利技術(shù)另一實(shí)施例的兩種組成的相變化存儲(chǔ)器的電阻值隨時(shí)間漂移的示意圖。圖5繪示依據(jù)本專利技術(shù)又一實(shí)施例的多個(gè)相變化存儲(chǔ)器的電阻值隨時(shí)間漂移的示意圖。圖6繪示依據(jù)本專利技術(shù)另一實(shí)施例的具有不同漂移系數(shù)的多個(gè)相變化存儲(chǔ)器的電阻值隨時(shí)間漂移的示意圖。圖7繪示依據(jù)本專利技術(shù)第二實(shí)施例的計(jì)時(shí)裝置的示意圖。圖8繪示依據(jù)本專利技術(shù)第二實(shí)施例的浮柵存儲(chǔ)器的閾值電壓隨時(shí)間漂移的示意圖。圖9繪示依據(jù)本專利技術(shù)使用第一實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的一計(jì)時(shí)方法的一流程圖。圖10繪示依據(jù)本專利技術(shù)使用第一實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的另一計(jì)時(shí)方法的流程圖。圖11繪示依據(jù)本專利技術(shù)使用第一實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的又一計(jì)時(shí)方法的流程圖?！痉?hào)說明】10：計(jì)時(shí)裝置100：存儲(chǔ)器裝置110：上部電極120：底部電極130：相變化材料140：相變化區(qū)域150：處理器R0、R1、Rmax：電阻值t0、t1、tx：時(shí)間Rth、Rth1、Rth2：臨界值A(chǔ)1、A2：漂移模式B1、B2、B3：存儲(chǔ)器裝置700：浮柵存儲(chǔ)器Vt、Vt0：閾值電壓710：控制柵極720：多晶硅間電介質(zhì)730：浮動(dòng)?xùn)艠O740：隧穿氧化層750：漏極760：源極770：基底S111：感測存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的一初始值S120：感測存儲(chǔ)器裝置經(jīng)過一第一時(shí)間的第一電性參數(shù)的一第一值S130：根據(jù)存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的初始值及存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的第一值計(jì)算第一時(shí)間S140：判斷存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的第一值是否大于一第一臨界值S150：復(fù)位存儲(chǔ)器裝置的第一參數(shù)的到初始值S160：感測存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的初始值以及第二電性參數(shù)的初始值S170：感測存儲(chǔ)器裝置經(jīng)過第一時(shí)間的第一電性參數(shù)的第一值以及經(jīng)過第一時(shí)間的第二電性參數(shù)的第一值S180：根據(jù)存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的初始值、存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的第一值、存儲(chǔ)器裝置的第二電性參數(shù)的初始值及存儲(chǔ)器裝置的第二電性參數(shù)的第一值計(jì)算第一時(shí)間S190：感測存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的初始值以及第二存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的初始值S200：感測存儲(chǔ)器裝置經(jīng)過第一時(shí)間的第一電性參數(shù)的第一值以及第二存儲(chǔ)器裝置經(jīng)過第一時(shí)間的第一電性參數(shù)的第一值S210：根據(jù)存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的初始值、存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的第一值、第二存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的初始值及第二存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的第一值計(jì)算第一時(shí)間S220：判斷存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的第一值是否大于一第一臨界值S230：根據(jù)第二存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的初始值及第二存儲(chǔ)器裝置的第一電性參數(shù)的第一值計(jì)算第一時(shí)間具體實(shí)施方式在本專利技術(shù)中，提供一種計(jì)時(shí)裝置及一種計(jì)時(shí)方法以避免電源損失事件造成的經(jīng)過時(shí)間的消失。在本文中提供多個(gè)實(shí)施例，并參照所附圖式以描述相關(guān)結(jié)構(gòu)及流程。然而，本專利技術(shù)并不以此為限。相同的參考符號(hào)將使用來表示附圖中相同或相似的部分。請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2。圖1繪示依據(jù)本專利技術(shù)第一實(shí)施例的計(jì)時(shí)裝置10的示意圖。計(jì)時(shí)裝置10包含一存儲(chǔ)器裝置100以及一處理器150。在第一實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置100為一相變化存儲(chǔ)器。且此項(xiàng)變化存儲(chǔ)器有一第一電性參數(shù)，例如為一電阻。圖2繪示依據(jù)本專利技術(shù)第一實(shí)施例的相變化存儲(chǔ)器的電阻值隨時(shí)間漂移(drift)的示意圖。處理器150感測存儲(chǔ)器裝置100的初始電阻值R0。并在一第一時(shí)間t1后，處理器150感測存儲(chǔ)器裝置100的第一電阻值R1。之后處理器150根據(jù)存儲(chǔ)器裝置100的初始電阻值R0以及存儲(chǔ)器裝置100的第一電阻值R1計(jì)算第一時(shí)間t1。詳細(xì)地說，相變化存儲(chǔ)器為一具有兩端點(diǎn)的裝置，并通過控制相變化材料的微結(jié)構(gòu)：非結(jié)晶的高阻抗?fàn)顟B(tài)(HRS)以及結(jié)晶的低阻抗?fàn)顟B(tài)(LRS)以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D1，存儲(chǔ)器裝置100包含一上部電極110、一底部電極120、一相變化材料130以及一相變化區(qū)域140。而相變化存儲(chǔ)器的電阻漂移跟隨一可預(yù)測的模式。舉例來說，電阻會(huì)先漂移上升(即一結(jié)構(gòu)松弛(structuralrelaxation)階段)，之后在相變化存儲(chǔ)器的復(fù)位(RESET)狀態(tài)的一段時(shí)間過后再下降(即一再結(jié)晶階段)。在一編程脈沖之后，例如一復(fù)位(RESET)脈沖，相變化存儲(chǔ)器的電阻在沒有電源供應(yīng)的情況下會(huì)漂移一段時(shí)間。這種相變化存儲(chǔ)器的電阻的漂移通常跟隨著一可預(yù)測的模型，例如電阻R＝R0+A*log(t)，其中R0為時(shí)間點(diǎn)t0的電阻值，A為漂移系數(shù)，而t為經(jīng)過時(shí)間。圖3繪示一例的鍺銻碲相變化存儲(chǔ)器的電阻值在一復(fù)位操作后隨時(shí)間漂移的實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖。因此，可根據(jù)初始電阻值R0及經(jīng)過一段時(shí)間的電阻值R由上述公式計(jì)算經(jīng)過時(shí)間。并且，計(jì)時(shí)裝置可隨時(shí)被復(fù)位。舉例來說，計(jì)算裝置可通過施加一復(fù)位操作到相變化存儲(chǔ)器而被復(fù)位，在此狀況下電阻值的漂移會(huì)回到R，因此計(jì)時(shí)裝置可重新計(jì)時(shí)。然而，由于相變化存儲(chǔ)器的電阻在一段時(shí)間后，例如tx之后會(huì)下降，此時(shí)我們無法得知測量到的電阻值是對(duì)應(yīng)到tx之前或是tx之后的時(shí)間。因此，在一些實(shí)施例中，處理器150判斷存儲(chǔ)器裝置100的電阻值是否大于一第一臨界值Rth，此第一臨界值例如為最大的電阻值Rmax的90％。并且當(dāng)存儲(chǔ)器裝置100的電阻值大于一第一臨界值Rth時(shí)，處理器150復(fù)位存儲(chǔ)器裝置100的電阻值回到初始值R0。在一些實(shí)施例中，可以調(diào)整漂移系數(shù)A。圖4繪示依據(jù)本專利技術(shù)另一實(shí)施例的兩種組成的相變化存儲(chǔ)器的電阻值隨時(shí)間漂移的示意圖。舉例來說，可根據(jù)鍺∶銻∶碲的組成比例、摻雜的相變化材料、相變本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種計(jì)時(shí)裝置，包含：一存儲(chǔ)器裝置，包含一第一電性參數(shù)；以及一處理器，用以：感測該存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的一初始值；感測該存儲(chǔ)器裝置經(jīng)過一第一時(shí)間的該第一電性參數(shù)的一第一值；以及根據(jù)該存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的該初始值及該存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的該第一值計(jì)算該第一時(shí)間。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種計(jì)時(shí)裝置，包含：一存儲(chǔ)器裝置，包含一第一電性參數(shù)；以及一處理器，用以：感測該存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的一初始值；感測該存儲(chǔ)器裝置經(jīng)過一第一時(shí)間的該第一電性參數(shù)的一第一值；以及根據(jù)該存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的該初始值及該存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的該第一值計(jì)算該第一時(shí)間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)時(shí)裝置，其中該處理器更用以：判斷該存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的該第一值是否大于一第一臨界值；以及當(dāng)該存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的該第一值大于一第一臨界值時(shí)復(fù)位該存儲(chǔ)器裝置的該第一參數(shù)為該初始值。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)時(shí)裝置，其中該處理器更用以：感測該存儲(chǔ)器裝置的一第二電性參數(shù)的一初始值；感測該存儲(chǔ)器裝置經(jīng)過該第一時(shí)間的該第二電性參數(shù)的一第一值；以及根據(jù)該存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的該初始值、該存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的該第一值、該存儲(chǔ)器裝置的該第二電性參數(shù)的該初始值及該存儲(chǔ)器裝置的該第二電性參數(shù)的該第一值計(jì)算該第一時(shí)間。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)時(shí)裝置，更包含：一第二存儲(chǔ)器裝置，包含該第一電性參數(shù)；其中該處理器更用以：感測該第二存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的一初始值；感測該第二存儲(chǔ)器裝置經(jīng)過該第一時(shí)間的該第一電性參數(shù)的一第一值；以及根據(jù)該存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的該初始值、該存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的該第一值、該第二存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的該
\t初始值及該第二存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的該第一值計(jì)算該第一時(shí)間。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)時(shí)裝置，更包含：一第二存儲(chǔ)器裝置，包含該第一電性參數(shù)；其中該處理器更用以：感測該第二存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的一初始值；判斷該存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的該第一值是否大于一第一臨界值；當(dāng)該存儲(chǔ)器裝置的該第一電性參數(shù)的該第一值大于一第一臨界值時(shí)，感測該第二存儲(chǔ)器裝置經(jīng)過該第一時(shí)間的該第一電性參數(shù)的一第一值，并根據(jù)該第二存...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李明修，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：旺宏電子股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：中國臺(tái)灣;71
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