一種保護(hù)電路制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種保護(hù)電路，所述電路采用分立器件代替過壓保護(hù)芯片，能夠降低成本。本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種保護(hù)電路，所述電路包括：第一電阻，所述第一電阻的一端連接于輸入電壓，另一端連接于第二電阻和PNP三極管的基極；第二電阻，所述第二電阻的一端連接于所述第一電阻和所述PNP三極管的基極，另一端接地；PNP三極管，所述PNP三極管的發(fā)射極連接于所述輸入電壓，集電極連接于MOS管的柵極；MOS管，所述MOS管的漏極連接于所述輸入電壓，源極連接于輸出電壓。本發(fā)明專利技術(shù)實(shí)施例適用于電子產(chǎn)品充電過程中。

Protection circuit

The embodiment of the invention provides a protection circuit, which uses a discrete device instead of an overvoltage protection chip, thereby reducing the cost. The invention provides a protection circuit, the circuit comprises a first resistor, one end of the first resistor is connected to the input voltage, the other end is connected to the second PNP transistor and resistor base; second resistor, one end of the second resistor is connected to the first resistor and the base of the PNP triode and the other end is grounded; a PNP transistor, the PNP triode is connected to the input voltage, the collector is connected to the gate of MOS tube; the MOS tube, MOS tube drain connected to the input voltage source is connected to the output voltage. The embodiment of the invention is suitable for the charging process of electronic products.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及電路
，尤其涉及一種保護(hù)電路。
技術(shù)介紹
現(xiàn)在市場(chǎng)上的電子設(shè)備類型越來越豐富，人們對(duì)于電子設(shè)備也產(chǎn)生了很大的依賴性，所以一些電子設(shè)備的耗電速度變快，充電次數(shù)也隨之增加。在實(shí)際使用中，由于充電環(huán)境非常復(fù)雜，電子設(shè)備的充電回路可能產(chǎn)生過電壓、過電流等問題，造成電子設(shè)備的電源管理芯片損壞，甚至可能導(dǎo)致火災(zāi)的發(fā)生。因此，為解決上述問題，目前多采用OVP(overvoltageprotection，過壓保護(hù)芯片)串接在充電回路中來保護(hù)電子設(shè)備，但是OVP芯片價(jià)格較高，只在一些高端設(shè)備中配置，不適用其他低價(jià)設(shè)備，所以O(shè)VP芯片配置未能推廣到所有電子設(shè)備。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
有鑒于此，本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種保護(hù)電路，可以實(shí)現(xiàn)電路的過壓過流保護(hù)，同時(shí)又可以降低制造成本。本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種保護(hù)電路，所述保護(hù)電路包括：第一電阻，所述第一電阻的一端連接于輸入電壓，另一端連接于第二電阻和PNP三極管的基極；第二電阻，所述第二電阻的一端連接于所述第一電阻和所述PNP三極管的基極，另一端接地；PNP三極管，所述PNP三極管的發(fā)射極連接于所述輸入電壓，集電極連接于MOS管的柵極；MOS管，所述MOS管的漏極連接于所述輸入電壓，源極連接于輸出電壓。如上所述的方面和任一可能的實(shí)現(xiàn)方式，進(jìn)一步提供一種實(shí)現(xiàn)方式，所述保護(hù)電路還包括鉗位電路，所述鉗位電路的一端連接于所述輸入電壓，另一端接地。如上所述的方面和任一可能的實(shí)現(xiàn)方式，進(jìn)一步提供一種實(shí)現(xiàn)方式，所述PNP三極管的集電極通過第三電阻接地。如上所述的方面和任一可能的實(shí)現(xiàn)方式，進(jìn)一步提供一種實(shí)現(xiàn)方式，所述鉗位電路由二極管和電容并聯(lián)構(gòu)成。本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種保護(hù)電路，采用分立器件代替OVP芯片，利用三極管代替OVP芯片中的開關(guān)邏輯控制電路，降低成本，與現(xiàn)有技術(shù)采用集成的OVP芯片相比，本專利技術(shù)實(shí)施例提供的保護(hù)電路可以根據(jù)設(shè)備的實(shí)際成本來選擇合適的電子器件搭建保護(hù)電路，可以在實(shí)現(xiàn)過壓保護(hù)的同時(shí)又降低成本，實(shí)際應(yīng)用更加靈活?！靖綀D說明】為了更清楚地說明本專利技術(shù)實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中OVP過壓保護(hù)芯片的結(jié)構(gòu)組成圖；圖2是本專利技術(shù)實(shí)施例所提供的一種保護(hù)電路的接線圖；圖3是本專利技術(shù)實(shí)施例提供的另一種保護(hù)電路的接線圖；圖4是本專利技術(shù)實(shí)施例提供的另一種保護(hù)電路的接線圖?！揪唧w實(shí)施方式】為了更好的理解本專利技術(shù)的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本專利技術(shù)實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本專利技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦＠夹g(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本專利技術(shù)保護(hù)的范圍。在本專利技術(shù)實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)是僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限制本專利技術(shù)。在本專利技術(shù)實(shí)施例和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。應(yīng)當(dāng)理解，本文中使用的術(shù)語(yǔ)“和/或”僅僅是一種描述關(guān)聯(lián)對(duì)象的關(guān)聯(lián)關(guān)系，表示可以存在三種關(guān)系，例如，A和/或B，可以表示：?jiǎn)为?dú)存在A，同時(shí)存在A和B，單獨(dú)存在B這三種情況。另外，本文中字符“/”，一般表示前后關(guān)聯(lián)對(duì)象是一種“或”的關(guān)系。取決于語(yǔ)境，如在此所使用的詞語(yǔ)“如果”可以被解釋成為“在……時(shí)”或“當(dāng)……時(shí)”或“響應(yīng)于確定”或“響應(yīng)于檢測(cè)”。類似地，取決于語(yǔ)境，短語(yǔ)“如果確定”或“如果檢測(cè)(陳述的條件或事件)”可以被解釋成為“當(dāng)確定時(shí)”或“響應(yīng)于確定”或“當(dāng)檢測(cè)(陳述的條件或事件)時(shí)”或“響應(yīng)于檢測(cè)(陳述的條件或事件)”。現(xiàn)有技術(shù)采用OVP過壓保護(hù)芯片來保護(hù)充電電路，OVP過壓保護(hù)芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所述，電路的實(shí)現(xiàn)過程如下：電壓源輸出電壓先經(jīng)過鉗位電路將電壓波形的頂部或底部固定在某一電壓值上，從而得到相對(duì)穩(wěn)定的電壓。鉗位電路輸出的電壓經(jīng)過分壓電阻后進(jìn)入到誤差放大器與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，將比較差值結(jié)果送入到邏輯控制器，如果比較差值不在規(guī)定范圍內(nèi)，邏輯控制器控制開關(guān)MOS管Q1關(guān)閉，電壓源輸出電壓無法到達(dá)電子設(shè)備的電壓輸入端；若比較差值在規(guī)定的安全范圍內(nèi)，則邏輯開關(guān)控制器控制開關(guān)MOS管導(dǎo)通，電壓源輸出電壓能夠到達(dá)電子設(shè)備的電壓輸入端，給電子系統(tǒng)正常供電。本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種保護(hù)電路，適用于電子設(shè)備充電過程中，如圖2所述，該保護(hù)電路包括：第一電阻11，所述第一電阻11的一端連接于輸入電壓，另一端連接于第二電阻12和PNP三極管13的基極。所述第一電阻11為分壓電阻，在正常充電的情況下，電壓源輸出電壓經(jīng)果第一電阻11分壓后得到PNP三極管基極電勢(shì)VB，使得VB小于VE，三極管導(dǎo)通；在非正常充電情況下，比如出現(xiàn)浪涌等高頻高壓的電壓信號(hào)時(shí)，因?yàn)榈谝浑娮?1很小，所以第一電阻分壓很小，VB近似等于VE，三極管基極與發(fā)射極電壓差不足以使三極管PN結(jié)導(dǎo)通。第二電阻12，所述第二電阻12的一端連接于所述第一電阻11和所述PNP三極管13的基極，另一端接地。所述第二電阻12為限流電阻，第二電阻12要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于第一電阻11。PNP三極管13，所述PNP三極管13的發(fā)射極連接于所述輸入電壓，集電極連接于MOS管14的柵極。所述PNP三極管13在此保護(hù)電路中用作控制開關(guān)使用，利用所述PNP三極管13相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)中OVP芯片內(nèi)部的邏輯開關(guān)控制器，當(dāng)PNP三極管的發(fā)射極電壓VE大于基極電壓VB，三極管工作在飽和狀態(tài)，發(fā)射極與集電極導(dǎo)通，集電極有電動(dòng)勢(shì)，并且集電極電動(dòng)勢(shì)可以到達(dá)MOS管14的柵極，使得MOS管14導(dǎo)通；當(dāng)PNP三極管的發(fā)射極電壓VE小于等于基極電壓VB，三極管工作在截止?fàn)顟B(tài)，發(fā)射極與集電極不導(dǎo)通，集電極電動(dòng)勢(shì)為零，所以MOS管14的柵極電勢(shì)也零，MOS管14不能導(dǎo)通。MOS管14，所述MOS管14的漏極連接于所述輸入電壓，源極連接于輸出電壓。所述MOS管14與現(xiàn)有技術(shù)OVP芯片的內(nèi)部的開關(guān)MOS管Q1的作用一樣，都為控制電壓源輸出電壓與電子設(shè)備輸入端的通斷。當(dāng)MOS管14的柵極電壓高于源極電壓，并且給MOS管14的漏極與源極間加正確極性的電壓，MOS管14的漏極與源極導(dǎo)通，此時(shí)相當(dāng)于開光閉合；如果MOS管14的柵極電壓低于源極電壓，MOS管14的漏極與源極不導(dǎo)通，此時(shí)相當(dāng)于開關(guān)斷開，電路不能形成通路。進(jìn)一步，為了保證電路安全，本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，如圖3所述，該裝置包括：第三電阻15，所述第三電阻15的一端連接于所述PNP三極管13的集電極和所述MOS管14的柵極，另一端接地。所述第三電阻15串接到PNP三極管13的集電極，使得集電極通過第三電阻15接地，第三電阻15為接地電阻，起到接地保護(hù)的作用。進(jìn)一步，為了保證設(shè)備充電過程的安全性，本專利技術(shù)實(shí)施提供另一可能的實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)置，如圖4所示，所述裝置還包括：鉗位電路16，所述鉗位電路的一端連接于所述輸入電壓，另一端接地。所述鉗位電路由二極管161和電容162并聯(lián)構(gòu)成。所述二極管為穩(wěn)壓二極管161，穩(wěn)壓二級(jí)管161具有穩(wěn)壓的作用，可以將輸出電壓穩(wěn)定在某一電壓范圍內(nèi)，從而得到穩(wěn)定的輸出電壓。所述電容1本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種保護(hù)電路，其特征在于，包括：第一電阻，所述第一電阻的一端連接于輸入電壓，另一端連接于第二電阻和PNP三極管的基極；第二電阻，所述第二電阻的一端連接于所述第一電阻和所述PNP三極管的基極，另一端接地；PNP三極管，所述PNP三極管的發(fā)射極連接于所述輸入電壓，集電極連接于MOS管的柵極；MOS管，所述MOS管的漏極連接于所述輸入電壓，源極連接于輸出電壓。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種保護(hù)電路，其特征在于，包括：第一電阻，所述第一電阻的一端連接于輸入電壓，另一端連接于第二電阻和PNP三極管的基極；第二電阻，所述第二電阻的一端連接于所述第一電阻和所述PNP三極管的基極，另一端接地；PNP三極管，所述PNP三極管的發(fā)射極連接于所述輸入電壓，集電極連接于MOS管的柵極；MOS管，所述MOS管的漏...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：何震宇，戴大為，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳天瓏無線科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：廣東;44