【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及用于在化工方法中使用的能夠產(chǎn)生冷等離子體的裝置，具體來說，涉及用于產(chǎn)生化學(xué)物質(zhì)、尤其是例如硝酸及硫酸等酸的裝置。本專利技術(shù)還涉及包含所述冷等離子體產(chǎn)生器裝置的反應(yīng)器及設(shè)備且涉及基于其的對應(yīng)化學(xué)方法。
技術(shù)介紹
使用冷等離子體產(chǎn)生化學(xué)物質(zhì)具有相對于傳統(tǒng)方法的不同優(yōu)點(diǎn)。具體來說，在根據(jù)以下反應(yīng)生產(chǎn)硝酸的情況下：2N2+5O2+2H2O→4HNO3不需要使用催化劑，也不需要在高溫下工作且尤其不使用原料氨，而是僅使用具有簡單的環(huán)境空氣或富含氧氣的空氣的各種技術(shù)，例如分子篩或低溫分離或其它。已知的冷等離子體產(chǎn)生器主要由高壓或頻率發(fā)電機(jī)供給的兩個電極構(gòu)成，使得在相同電極之間產(chǎn)生電場。所述場繼而電離并激發(fā)所述電極之間存在的氣體分子或原子，通常是空氣，因此產(chǎn)生等離子氣體。然而，本領(lǐng)域中已知的等離子體產(chǎn)生器及它們安裝在其中的反應(yīng)器具有一些重要限制。此些限制主要是關(guān)于用于產(chǎn)生等離子體的系統(tǒng)的效率，等離子體歸因于其固有性質(zhì)而出現(xiàn)在電極之間的非常受約束的區(qū)中。剛剛所說明的方面必然包含冷等離子體技術(shù)在化學(xué)合成過程中的使用。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
由本專利技術(shù)提出并解決的技術(shù)難題于是提供用于產(chǎn)生冷等離子體的裝置及用于產(chǎn)生化學(xué)物質(zhì)的相關(guān)方法或過程，從而能夠避免上文參考所提及的已知技術(shù)的缺點(diǎn)。本專利技術(shù)還提供并入所述產(chǎn)生器裝置的反應(yīng)堆及化學(xué)設(shè)備。解決上述技術(shù)難題如獨(dú)立權(quán)利要求1中所述。本專利技術(shù)的優(yōu)選特征是從屬...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種用于通過冷等離子體在反應(yīng)器設(shè)備(211，...，214)中產(chǎn)生化學(xué)物質(zhì)的化學(xué)方法，所述化學(xué)物質(zhì)尤其是酸、硝酸、硫酸、硝酸銨、硫酸銨、硝酸鈣、NO、NO2、NOx、NxOx或氧化VOC中的任一者，其中所述冷等離子體在所述反應(yīng)器設(shè)備(211，...，214)的產(chǎn)生器裝置(111、112、113)中產(chǎn)生，所述產(chǎn)生器裝置包括彼此相對設(shè)置的第一電極(51)及第二電極(522)以便在它們之間界定等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)，所述第一電極(51)和/或第二電極(522)由電源(15、16)供給，使得在它們之間的所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)處建立電勢中的差異，其中使氣體越過所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)以便獲得等離子氣體，其中所述第二電極(522)是液態(tài)電極，其中所述第一電極(51)是可旋轉(zhuǎn)的且優(yōu)選以大約每分鐘2800轉(zhuǎn)的最大旋轉(zhuǎn)速度驅(qū)動。
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2013.04.10 IT RM2013A000212;2013.04.10 IT RM2013A01.一種用于通過冷等離子體在反應(yīng)器設(shè)備(211，...，214)中產(chǎn)生化學(xué)物質(zhì)的化學(xué)
方法，所述化學(xué)物質(zhì)尤其是酸、硝酸、硫酸、硝酸銨、硫酸銨、硝酸鈣、NO、NO2、NOx、
NxOx或氧化VOC中的任一者，
其中所述冷等離子體在所述反應(yīng)器設(shè)備(211，...，214)的產(chǎn)生器裝置(111、112、
113)中產(chǎn)生，所述產(chǎn)生器裝置包括彼此相對設(shè)置的第一電極(51)及第二電極(522)
以便在它們之間界定等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)，
所述第一電極(51)和/或第二電極(522)由電源(15、16)供給，使得在它們之
間的所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)處建立電勢中的差異，
其中使氣體越過所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)以便獲得等離子氣體，
其中所述第二電極(522)是液態(tài)電極，
其中所述第一電極(51)是可旋轉(zhuǎn)的且優(yōu)選以大約每分鐘2800轉(zhuǎn)的最大旋轉(zhuǎn)速度
驅(qū)動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)方法，其中已越過所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)的所述
等離子氣體再循環(huán)到所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)中。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中所述等離子氣體的再循環(huán)部分相對于
離開產(chǎn)生器裝置的等離子氣體或離開反應(yīng)器設(shè)備并進(jìn)入方法的其他步驟的酸處于1:10直
到10:1的范圍內(nèi)的比率。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中所述產(chǎn)生器裝置
(111、112、113)沿著所述大體上水平的第一電極(51)的縱向軸線(L)設(shè)置。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中所述至少一個產(chǎn)生器裝置(111、112、
113)經(jīng)設(shè)置以使得所述第一電極(51)的縱向軸線(L)大體上平行于所述液態(tài)電極(522)
的自由表面(18)。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其條件是主體(52)封圍
所述第一電極(51)且其至少部分浸沒在所述液態(tài)電極(522)中。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中所述液態(tài)電極(522)
用于冷卻進(jìn)入所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)的所述氣體，優(yōu)選產(chǎn)生進(jìn)入所述等離子體產(chǎn)生
區(qū)(521)的蒸氣。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中所述第一電極(51)
與第二電極(522)之間的距離是通過控制所述液態(tài)電極(522)的液面高度來調(diào)整。
9.一種用于通過冷等離子體在反應(yīng)器設(shè)備(201、202)中產(chǎn)生化學(xué)物質(zhì)的化學(xué)方法，
所述化學(xué)物質(zhì)尤其是酸、硝酸、硫酸、硝酸銨、硫酸銨、硝酸鈣、NO、NO2、NOx、NxOx
\t或氧化VOC中的任一者，
其中所述冷等離子體在所述反應(yīng)器設(shè)備(201、202)的產(chǎn)生器裝置(101、102)中
產(chǎn)生，所述產(chǎn)生器裝置包括外部電極(2)及內(nèi)部電極(1)，所述電極布置成一個電極
圍繞著另一個電極以便在它們之間界定等離子體產(chǎn)生區(qū)(121)，
所述內(nèi)部電極(1)和/或外部電極(2)由電源(15、16)供給，使得在它們之間
的所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(121)處建立電勢中的差異，
其中所述內(nèi)部電極(1)及外部電極(2)彼此相對地旋轉(zhuǎn)，
其中使氣體越過所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(121)以便獲得等離子氣體，
其中已越過所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(121)的所述等離子氣體的一部分再循環(huán)到所述
等離子體產(chǎn)生區(qū)(121)中，
其中所述外部電極(2)具有等離子氣體的額外出口端口(10)，所述出口端口(10)
相對于等離子氣體流動設(shè)置在至少一個出口再循環(huán)端口(5)的下游。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的化學(xué)方法，其中所述內(nèi)部電極(1)可旋轉(zhuǎn)且使所述外部電
極(2)固定。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的化學(xué)方法，其中所述外部電極(2)和內(nèi)部電極(1)
兩者可旋轉(zhuǎn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9到11中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中所述外部電極(2)
和內(nèi)部電極(1)經(jīng)設(shè)置以使得相應(yīng)的縱軸(L)大體上平行或重合，所述軸的方向優(yōu)選
還對應(yīng)于相對旋轉(zhuǎn)的軸(A)的方向是共同的。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中所述外部電極(2)和內(nèi)部電極(1)同
軸地設(shè)置。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的化學(xué)方法，其中所述外部電極(2)和內(nèi)部電極(1)偏心
地設(shè)置。
15.根據(jù)權(quán)利要求9到14中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中所述產(chǎn)生器裝置
(101、102)沿著大體上垂直的所述內(nèi)部電極(1)的縱向軸線(L)設(shè)置。
16.根據(jù)權(quán)利要求9到15中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中以大約每分鐘2800
轉(zhuǎn)的最大旋轉(zhuǎn)速度驅(qū)動所述產(chǎn)生器裝置(101、102)的所述電極(1、2)中的一者。
17.根據(jù)權(quán)利要求9到16中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中所述等離子氣體
的再循環(huán)部分相對于離開產(chǎn)生器裝置的等離子氣體或離開反應(yīng)器設(shè)備并進(jìn)入方法的其他
步驟的酸處于1:10直到10:1的范圍內(nèi)的比率。
18.根據(jù)權(quán)利要求9到17中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中所述產(chǎn)生器裝置
(101、102)的所述內(nèi)部電極(1)及外部電極(2)中的一者至少部分浸沒在導(dǎo)電液體中。
19.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中所述至少一個產(chǎn)生器裝置(101、102)
經(jīng)設(shè)置以使得所述內(nèi)部電極(1)的縱向軸線(L)大體上垂直于所述導(dǎo)電液體的自由表
面(18)。
20.根據(jù)權(quán)利要求9到19中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中導(dǎo)電液體用于冷
卻進(jìn)入所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(121)的所述氣體，優(yōu)選產(chǎn)生進(jìn)入所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(121)
的蒸氣。
21.根據(jù)權(quán)利要求9到20中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其包括在所述反應(yīng)器
設(shè)備中產(chǎn)生的所述酸及氣體/蒸氣的冷凝步驟。
22.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其進(jìn)一步包括在所述冷凝步驟下游的液體-氣
體分離步驟。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的化學(xué)方法，其進(jìn)一步包括在所述冷凝步驟下游的至少一
個冷卻步驟，優(yōu)選是霧冷卻步驟。
24.根據(jù)權(quán)利要求21或23所述的化學(xué)方法，其包括適于增加酸產(chǎn)量的額外反應(yīng)步
驟，其中所述額外反應(yīng)步驟在所述冷凝步驟的下游且優(yōu)選在所述至少一個冷卻步驟的下
游。
25.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中所述額外反應(yīng)步驟增加冷凝酸與氣體/蒸
氣之間的接觸表面，優(yōu)選通過使用霧化或噴霧構(gòu)件而實(shí)現(xiàn)。
26.根據(jù)權(quán)利要求24或25所述的化學(xué)方法，其中所述額外反應(yīng)步驟提供冷凝酸的再
循環(huán)。
27.根據(jù)權(quán)利要求21到23中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其進(jìn)一步包括來自所
述產(chǎn)生器裝置(111、112、113)的所述額外反應(yīng)步驟的氣體/蒸氣的再循環(huán)步驟。
28.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中所述酸是H2SO4且
其中所述過程包括用于產(chǎn)生硫煙的步驟，所述步驟是輸入的氣體越過所述產(chǎn)生器裝置
(111；112，113)的所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)。
29.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其包括在所述硫煙進(jìn)入所述等離子體產(chǎn)生區(qū)
(521)中之前對所述硫煙的至少一個冷卻步驟。
30.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的化學(xué)方法，其中所述酸是硝酸，且其
中越過所述產(chǎn)生器裝置(111、112、113)的所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)的所述輸入氣體
是空氣。
31.一種冷等離子體的產(chǎn)生器裝置(111、112、113)，
其適合用于過程中，尤其適合用于產(chǎn)生酸、硝酸、硫酸、硝酸銨、硫酸銨、硝酸
鈣、NO、NO2、NOx、NxOx或氧化VOC中的任一者，
所述裝置(111、112、113)包括第一電極(51)及第二電極(52、522)，所述電
極經(jīng)設(shè)置以便在它們之間界定等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)，
所述第一電極(51)和/或第二電極(52、522)連接或可連接到電源(515、516)，
使得在使用中在所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)處建立電勢中的差異，
所述裝置(111、112、113)具有用于越過所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)的氣體的入
口端口(58、55)及用于已越過所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)的所述等離子氣體的至少
一再循環(huán)端口(55、58)，
所述裝置(111、112、113)經(jīng)配置以使得所述第二電極(52、522)是液態(tài)電極，
其中所述第一電極(51)可旋轉(zhuǎn)。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其包括主體(52)，所述第一電極(51)
至少部分接納在所述主體(52)內(nèi)。
33.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中在所述主體(52)上獲得所述
入口端口(58、55)和/或所述至少一個再循環(huán)出口端口(55、58)。
34.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述入口端口(58、55)或所
述至少一個再循環(huán)出口端口(55、58)布置在所述主體(52)的一端處、優(yōu)選布置在基底
處。
35.根據(jù)權(quán)利要求33或34所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述至少一個再循環(huán)出口
端口(55、58)及所述入口端口(58、55)布置在所述主體(52)的側(cè)壁或裙座處。
36.根據(jù)權(quán)利要求33到35中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述至
少一個再循環(huán)出口端口(55、58)界定出口區(qū)域，所述的出口區(qū)域大體上等于或大于所述
主體(52)的橫截面區(qū)域。
37.根據(jù)權(quán)利要求31到36中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述主
體(52)具有多個所述等離子氣體的再循環(huán)出口端口(55)，所述端口(55)優(yōu)選布置在
所述主體(52)的側(cè)壁或裙座處。
38.根據(jù)權(quán)利要求31到37中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述主
體(52)及所述第一電極(51)經(jīng)設(shè)置以使得相應(yīng)的縱軸(L)大體上平行或重合，其中
所述軸的方向優(yōu)選還對應(yīng)于所述第一電極(51)的旋轉(zhuǎn)軸(A)的方向。
39.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述主體(52)和所述第一電
\t極(51)同軸地設(shè)置。
40.根據(jù)權(quán)利要求38所述的產(chǎn)生器裝置(113)，其中所述主體(52)和所述第一電極
(51)偏心地設(shè)置。
41.根據(jù)權(quán)利要求32到40中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述主
體(52)和/或所述第一電極(51)具有大體上圓柱形幾何形狀。
42.根據(jù)權(quán)利要求32到41中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述主
體(52)的所述橫截面區(qū)域比所述第一電極(51)的橫截面大大約25到100倍。
43.根據(jù)權(quán)利要求32到42中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述主
體(52)和所述第一電極(51)兩者具有大體上圓形橫截面，且其中所述主體(52)的直
徑比所述第一電極(51)的直徑大大約5到10倍。
44.根據(jù)權(quán)利要求32到43中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述主
體(52)具有優(yōu)選設(shè)置在其側(cè)壁或裙座處的至少一個液體入口端口(555)，所述設(shè)置使得
所述液體入口端口(555)允許所述主體(52)部分浸沒到所述液態(tài)電極(522)中。
45.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述至少一個液體入口端口
(555)和所述至少一個再循環(huán)出口端口(55、58)設(shè)置在所述主體(52)的大體上彼此正
交的相應(yīng)部分處。
46.根據(jù)權(quán)利要求31到45中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述第
一電極(51)是軸桿形狀。
47.根據(jù)權(quán)利要求31到46中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述第
一電極(51)固定到可旋轉(zhuǎn)軸桿(501)上，所述可旋轉(zhuǎn)軸桿優(yōu)選接納在所述主體(52)
內(nèi)。
48.根據(jù)權(quán)利要求31到47中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述第
一電極(51)的設(shè)置大體上平行于所述液態(tài)電極(522)的自由表面(518)。
49.根據(jù)權(quán)利要求31到48中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其包括適于
通過所述等離子體產(chǎn)生區(qū)(521)汲取氣體的進(jìn)氣構(gòu)件(54)。
50.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述進(jìn)氣構(gòu)件(54)包括轉(zhuǎn)子
或葉輪，所述轉(zhuǎn)子或葉輪優(yōu)選連接、更優(yōu)選固定到所述第一可旋轉(zhuǎn)電極(51)，其中所述
轉(zhuǎn)子或葉輪優(yōu)選至少部分由塑料材料制成。
51.根據(jù)從屬于權(quán)利要求2時(shí)的權(quán)利要求39到50所述的產(chǎn)生器裝置(112)，其中所
述進(jìn)氣構(gòu)件包括設(shè)置在所述主體(52)外部的轉(zhuǎn)子或葉輪(64)，優(yōu)選是離心轉(zhuǎn)子或葉輪。
52.根據(jù)從屬于權(quán)利要求2時(shí)的權(quán)利要求40或41所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所
\t述進(jìn)氣構(gòu)件包括轉(zhuǎn)子或葉輪(54)，所述轉(zhuǎn)子或葉輪的直徑具有在所述主體(52)的內(nèi)徑
的大約70％到95％、更優(yōu)選大約60％到90％的范圍內(nèi)。
53.根據(jù)權(quán)利要求31到52中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其包括關(guān)聯(lián)
到所述第一電極(51)的滑動電接觸構(gòu)件(558)。
54.根據(jù)權(quán)利要求31到53中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其包括用于
觸發(fā)所述第一電極(51)與第二電極(52、522)之間的放電的觸發(fā)構(gòu)件(53)。
55.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111)，其中所述觸發(fā)構(gòu)件(53)與所述第
一電極(51)連接、優(yōu)選連接方式為固定。
56.根據(jù)權(quán)利要求45或46所述的產(chǎn)生器裝置(101)，其中所述觸發(fā)構(gòu)件(53)是基
于尖端效應(yīng)。
57.根據(jù)權(quán)利要求45到47中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(101)，其中所述觸
發(fā)構(gòu)件(53)大體上是梳狀的。
58.一種產(chǎn)生器組合件，其包括：
根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器裝置(111、112、113)，及
連接或可連接到所述產(chǎn)生器裝置(111、112、113)的所述第一電極(51)和/或第
二電極(52、522)的高頻或高壓發(fā)電機(jī)。
59.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的產(chǎn)生器組合件，其進(jìn)一步包括電動機(jī)，所述電動機(jī)適于
優(yōu)選以大約每分鐘2800轉(zhuǎn)的最大速度旋轉(zhuǎn)驅(qū)動所述產(chǎn)生器裝置(111、112、113)的所述
電極(51、52、522)中的一者。
60.一種反應(yīng)器設(shè)備(211；...；214)，其適合用于方法中，尤其適合用于產(chǎn)生酸、硝
酸、硫酸、硝酸銨、硫酸銨、硝酸鈣、NO、NO2、NOx、NxOx或氧化VOC，
所述設(shè)備(211；...；214)包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的至少一
個產(chǎn)生器裝置(111、112、113)或產(chǎn)生器組合件，且其中所述裝置(211；...，214)
具有至少一個出口端口(510)，所述至少一個出口端口(510)用于輸出在所述反應(yīng)器
設(shè)備中通過涉及所述至少一個產(chǎn)生器裝置(111；112、113)中產(chǎn)生的所述等離子氣體
的反應(yīng)而獲得的氣體/蒸氣。
61.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的反應(yīng)器設(shè)備(211)，所述設(shè)備(211)具有槽區(qū)(580)，
所述槽區(qū)(580)適于容納所述至少一個產(chǎn)生器裝置(111、112、113)的所述液態(tài)電極
(522)。
62.根據(jù)權(quán)利要求60或61所述的反應(yīng)器設(shè)備(211)，其包括外部殼體(511)，所述
至少一個產(chǎn)生器裝置(111、112、113)至少部分設(shè)置在所述殼體(511)內(nèi)部。
63.根據(jù)權(quán)利要求61及62所述的反應(yīng)器設(shè)備(211)，其中所述殼體(511)界定所述
槽區(qū)(580)。
64.根據(jù)權(quán)利要求62或63所述的反應(yīng)器設(shè)備(211)，其中所述殼體(511)具有導(dǎo)電
液體入口(513)及氣體入口(512)，所述導(dǎo)電液體入口(513)及氣體入口(512)優(yōu)選
彼此鄰近設(shè)置。
65.根據(jù)權(quán)利要求60到64中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的反應(yīng)器設(shè)備(211)，其中所述殼
體(511)具有優(yōu)選布置在其頂部處的氣體/蒸氣出口(510)。
66.根據(jù)權(quán)利要求60到65中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的反應(yīng)器設(shè)備(211)，其包括用于
控制和/或調(diào)整所述液態(tài)電極(522)的液面高度的構(gòu)件(518)。
67.根據(jù)權(quán)利要求60到66中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的反應(yīng)器設(shè)備(211)，其包括所述
的多個產(chǎn)生器裝置(111；112；113)和/或產(chǎn)生器組合件，所述的多個產(chǎn)生器裝置(111；
112；113)和/或產(chǎn)生器組合件是根據(jù)權(quán)利要求58到59中任一項(xiàng)權(quán)利要求所描述的多個
產(chǎn)生器裝置(111；112；113)和/或產(chǎn)生器組合件。
68.根據(jù)權(quán)利要求60到67中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的反應(yīng)器設(shè)備(211)，其中所述至
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：奧爾多·曼戈，
申請(專利權(quán))人：阿米利喀商業(yè)私人有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：印度;IN
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