一種陣列基板及其制作方法、顯示面板技術

本申請公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板。該陣列基板包括基板以及依序疊置在所述基板之上的多晶硅溝道層、柵絕緣層、柵極、第一間絕緣層、第二間絕緣層，以及設置在所述第二間絕緣層之上的源極和漏極；其中，所述第一間絕緣層遠離基板一側與所述柵極遠離基板一側處于同一平面，使得所述第二間絕緣層遠離基板一側為一平面，所述源極遠離基板一側為一平面，且所述漏極遠離基板一側也為一平面。通過上述方式，能夠減少寄生電容，保證電信號傳輸的穩定性。

【技術實現步驟摘要】

本申請涉及顯示
，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板。
技術介紹
目前，液晶顯示面板以低溫多晶硅技術(英文：LowTemperaturePoly-silicon，簡稱：LTPS)類型為主流。如圖1所示，LTPS液晶顯示面板需要在基板上疊置多晶硅(英文：poly)溝道層11、柵極12、用于將柵極12與源極13和漏極14絕緣的間絕緣層15，再在間絕緣層15上設置源極13和漏極14。由于多晶硅溝道層11和柵極12具有一定膜厚，導致間絕緣層所處的面為不平的，且現有間絕緣層的制膜通常采用化學氣相沉積(英文：ChemicalVaporDeposition，簡稱：CVD)制得一定厚度的膜，故導致間絕緣層頂層也為不平整，進而導致設置在間絕緣層上的源極和漏極均是不平的。而源極和漏極的該不平整結構會影響其電性，產生更多的寄生電容，導致影響電信號傳輸不穩，影響器件性能。
技術實現思路
本申請提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，能夠減少寄生電容，保證電信號傳輸的穩定性。本申請第一方面提供一種陣列基板，包括基板以及依序疊置在所述基板之上的多晶硅溝道層、柵絕緣層、柵極、第一間絕緣層、第二間絕緣層，以及設置在所述第二間絕緣層之上的源極和漏極；所述柵絕緣層將所述多晶硅溝道層和柵極絕緣，所述源極和所述漏極均通過所述第二間絕緣層、第一間絕緣層、柵絕緣層與所述多晶硅溝道層連接，進而與所述柵極形成薄膜晶體管；其中，所述第一間絕緣層遠離基板一側與所述柵極遠離基板一側處于同一平面，使得所述第二間絕緣層遠離基板一側為一平面，所述源極遠離基板一側為一平面，且所述漏極遠離基板一側也為一平面。其中，所述第一間絕緣側和所述第二間絕緣層的其中之一為氧化硅絕緣層，另一個為氮化硅絕緣層。其中，所述基板上還疊置有遮光層、第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一絕緣層和第二絕緣層均位于所述遮光層與所述多晶硅溝道層之間。其中，所述柵極、多晶硅溝道層均相對所述遮光層設置。其中，所述柵極由鉬層形成；所述源極和漏極均由鉬層、鋁層、鉬層疊置形成，或者所述源極和漏極均由鉬層、第一銅層、第二銅層、鉬層疊置形成。其中，所述源極和漏極上還疊置平坦層、第一ITO層、鈍化層及第二ITO層，其中，所述第二ITO層與所述源極或漏極電連接。本申請第二方面提供一種顯示面板，包括以上所述的陣列基板。本申請第三方面提供一種陣列基板的制作方法，包括：在基板上依序疊置多晶硅溝道層、柵絕緣層、柵極，其中，所述柵絕緣層將所述多晶硅溝道層和柵極絕緣；在所述柵極上設置第一間絕緣層，其中，所述第一間絕緣層遠離基板一側與所述柵極遠離基板一側處于同一平面；在所述第一間絕緣層上設置第二間絕緣層，其中，所述第二間絕緣層遠離基板一側為一平面；在所述第二間絕緣層上設置源極和漏極，其中，所述源極遠離基板一側為一平面，且所述漏極遠離基板一側也為一平面，所述源極和所述漏極均通過所述第二間絕緣層、第一間絕緣層、柵絕緣層與所述多晶硅溝道層連接，進而與所述柵極形成薄膜晶體管。其中，所述在所述柵極上設置第一間絕緣層，其中，所述第一間絕緣層遠離基板一側與所述柵極遠離基板一側處于同一平面的步驟包括：通過化學氣相沉積在所述柵極上形成第一間絕緣層，并通過曝光、顯影、蝕刻使得所述第一間絕緣層遠離基板一側與所述柵極遠離基板一側處于同一平面。其中，在所述在基板上依序疊置多晶硅溝道層、柵絕緣層、柵極的步驟之前，所述方法還包括：在基板上依序疊置遮光層、第一絕緣層和第二絕緣層，其中，所述第一絕緣層和第二絕緣層均位于所述遮光層與所述多晶硅溝道層之間；在所述第二間絕緣層上設置源極和漏極的步驟之前，所述方法還包括：在所述柵極和漏極上疊置平坦層、第一ITO層、鈍化層及第二ITO層，其中，所述第二ITO層與所述源極或漏極電連接。上述方案中，陣列基板設置在柵極與源極、漏極之間的間絕緣層包括兩層，且第一間絕緣層遠離基板一側與所述柵極遠離基板一側處于同一平面，使得所述第二間絕緣層遠離基板一側為一平面，進而使得源極和漏極形成在平面上，故所述源極遠離基板一側為一平面，且所述漏極遠離基板一側也為一平面，由于該陣列基板的源極和漏極均是平整結構，故可減少寄生電容，且避免表面不平使得電信號傳輸不穩，從而保證了電信號傳輸的穩定性。附圖說明圖1是現有顯示面板的結構示意圖；圖2是本申請陣列基板一實施方式的結構示意圖；圖3是本申請陣列基板的制成方法一實施方式的流程圖；圖4a是本申請陣列基板的制成方法另一實施例中對第一間絕緣層曝光時的結構示意圖；圖4b是本申請陣列基板的制成方法另一實施例中對第一間絕緣層進行顯影時的結構示意圖；圖4c是本申請陣列基板的制成方法另一實施例中對第一間絕緣層進行刻蝕時的結構示意圖。具體實施方式以下描述中，為了說明而不是為了限定，提出了諸如特定系統結構、接口、技術之類的具體細節，以便透徹理解本申請。然而，本領域的技術人員應當清楚，在沒有這些具體細節的其它實施方式中也可以實現本申請。在其它情況中，省略對眾所周知的裝置、電路以及方法的詳細說明，以免不必要的細節妨礙本申請的描述。請參閱圖2，圖2是本申請陣列基板一實施方式的結構示意圖。本實施方式中，陣列基板包括基板201以及依序疊置在所述基板201之上的多晶硅溝道層202、柵絕緣層203、柵極204、第一間絕緣層205、第二間絕緣層206，以及設置在所述第二間絕緣層206之上的源極207和漏極208。其中，第一間絕緣層205遠離基板一側a與柵極204遠離基板一側b處于同一平面，使得所述第二間絕緣層206遠離基板一側c為一平面，所述源極207遠離基板一側d為一平面，且所述漏極208遠離基板一側e也為一平面。具體地，該第一間絕緣層205和第二間絕緣層206的其中之一可為氧化硅(化學式：SiOx)絕緣層，另一個可為氮化硅(化學式：SiNx)絕緣層。例如，第一間絕緣層205由氧化硅形成，第二間絕緣層206由氮化硅形成；或者，第一間絕緣層205由氮化硅形成，第二間絕緣層206由氧化硅形成。本實施例中，柵絕緣層203將多晶硅溝道層202和柵極204絕緣。源極207和漏極208均通過第二間絕緣層206、第一間絕緣層205、柵絕緣層203與所述多晶硅溝道層202連接(即形成導電結構)，進而與柵極204形成薄膜晶體管(英文：Th本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種陣列基板，其特征在于，包括基板以及依序疊置在所述基板之上的多晶硅溝道層、柵絕緣層、柵極、第一間絕緣層、第二間絕緣層，以及設置在所述第二間絕緣層之上的源極和漏極；所述柵絕緣層將所述多晶硅溝道層和柵極絕緣，所述源極和所述漏極均通過所述第二間絕緣層、第一間絕緣層、柵絕緣層與所述多晶硅溝道層連接，進而與所述柵極形成薄膜晶體管；其中，所述第一間絕緣層遠離基板一側與所述柵極遠離基板一側處于同一平面，使得所述第二間絕緣層遠離基板一側為一平面，所述源極遠離基板一側為一平面，且所述漏極遠離基板一側也為一平面。

【技術特征摘要】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括基板以及依序疊置在所述基板
之上的多晶硅溝道層、柵絕緣層、柵極、第一間絕緣層、第二間絕緣層，
以及設置在所述第二間絕緣層之上的源極和漏極；
所述柵絕緣層將所述多晶硅溝道層和柵極絕緣，所述源極和所述漏
極均通過所述第二間絕緣層、第一間絕緣層、柵絕緣層與所述多晶硅溝
道層連接，進而與所述柵極形成薄膜晶體管；
其中，所述第一間絕緣層遠離基板一側與所述柵極遠離基板一側處
于同一平面，使得所述第二間絕緣層遠離基板一側為一平面，所述源極
遠離基板一側為一平面，且所述漏極遠離基板一側也為一平面。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一間絕緣
側和所述第二間絕緣層的其中之一為氧化硅絕緣層，另一個為氮化硅絕
緣層。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述基板上還疊
置有遮光層、第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一絕緣層和第二絕緣層
均位于所述遮光層與所述多晶硅溝道層之間。
4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極、多晶
硅溝道層均相對所述遮光層設置。
5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極由鉬層
形成；
所述源極和漏極均由鉬層、鋁層、鉬層疊置形成，或者所述源極和
漏極均由鉬層、第一銅層、第二銅層、鉬層疊置形成。
6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源極和漏極
上還疊置平坦層、第一ITO層、鈍化層及第二ITO層，其中，所述第二
ITO層與所述源極或漏極電連接。
7.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1至6任一項所述的
陣列基板...

【專利技術屬性】
技術研發人員：殷婉婷，涂望華，
申請(專利權)人：武漢華星光電技術有限公司，
類型：發明
國別省市：湖北;42