一種降低對UWL進行讀取發生時間超時錯誤的方法技術

本發明專利技術公開了一種降低對UWL進行讀取發生時間超時錯誤的方法,其特征在于預先評估存儲顆粒在各個使用周期出現UECC錯誤的概率；根據評估獲得當前讀取命令出現UECC錯誤時需要執行RR操作的當前使用周期值Up/e，并與預先實驗獲取的閾值Cp/e進行比對，當出現UECC錯誤時且Up/e不大于Cp/e，則執行不超過5次RR操作，且不再進行糾錯操作就直接返回；當出現UECC錯誤時且Up/e大于Cp/e，則執行盡可能多的RR操作和最大限度糾錯操作。本發明專利技術當對UWL讀取時，按照動態調整RR次數，且按照階梯式調整讀閾值電壓調整優化來讀取數據，大幅度減少由于對UWL進行過分的RR而出現的命令TO的錯誤。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及信息存儲領域，尤其涉及一種降低對UWL進行讀取發生時間超時錯誤的方法。
技術介紹
TLCNANDflash是一種每個存儲單元(memorycell)中存儲有3個bit的flash類型，其較高的存儲密度在固態硬盤及存儲器領域有著愈來愈廣泛的應用。在TLCNANDflash每個存儲單元的3個bit信息中，分別屬于不同的分組，相對于MLC及SLC中page的概念，TLC中的三個數據分組稱為sub-page，其中存儲低位bit的叫做lowpage，存儲中間bit的叫做middlepage，存儲高位bit的叫做uppage。而三個sub-page所屬的同一個WordLine(WL)即是相對于MLC及SLC中page的存在。在TLC的Program寫過程中，需要遵循一定的寫序列programorder，這個programorder根據顆粒的不同而有所差異，但總體來說都需要遵循每個存儲單元需要被program3次，并且3次program并非連續進行。在對TLC顆粒的block進行program操作時，需要將整個block進行依照programorder進行program操作，當所寫數據量不足以將整個block寫滿時，需要將后面的WL寫dummy數據(無效數據)以將整個block填滿，否則會出現較多的bit出錯。在寫操作時，將未能寫滿的block稱為unclosedBlock，將未能寫滿的WL稱為UnclosedWL(UWL)。<br>當對block中某一UWL進行讀取時，必然會出現當前數據不能滿足program時的加密法則而出現UECC，此時，會進入到對出錯數據的ReadRetry(RR)及糾錯算法中進行糾錯，若由于嘗試糾錯時間過長，不能及時的對主機端發送的讀命令及時響應，導致超出時間范圍而出現TO錯誤?，F有技術主要通過增大主機端命令等待時間或減少RR次數以縮短時間來保證命令及時響應?，F有方法中，增大主機端命令等待時間會一定程度降低性能，而減少RR次數，會降低對正常WL讀取時的糾錯能力，導致不能有效的獲取讀取信息。
技術實現思路
針對以上缺陷，本專利技術目的在于提出了如何降低主機端對UWL區域進行讀取操作時出現TO錯誤的概率。為了實現上述目的，本專利技術提供了一種降低對UWL進行讀取發生時間超時錯誤的方法,其特征在于預先通過試驗或測試的方法評估存儲顆粒在各個使用周期出現UECC錯誤的概率,存儲顆粒的使用周期通過該顆粒被擦寫操作的次數來標識；根據評估獲得當前讀取命令出現UECC錯誤時需要執行RR操作的當前使用周期值Up/e，并與預先實驗獲取的閾值Cp/e進行比對，當當前讀取命令出現UECC錯誤時且使用周期Up/e不大于使用周期閥值Cp/e，則執行不超過5次RR操作，且不再進行糾錯操作就直接返回；當當前讀取命令出現UECC錯誤時且使用周期Up/e大于使用周期閥值Cp/e，則執行盡可能多的RR操作和最大限度糾錯操作。所述的降低對UWL進行讀取發生時間超時錯誤的方法，其特征在于所述的使用周期閥值Cp/e為400。所述的降低對UWL進行讀取發生時間超時錯誤的方法，其特征在于根據使用周期來動態調整存儲顆粒的各個讀閥值電壓。所述的降低對UWL進行讀取發生時間超時錯誤的方法，其特征在于根據使用周期來動態調整存儲顆粒的各個讀閥值電壓的觸發條件為存儲顆粒的使用周期大于使用周期閥值Cp/e，且當前讀取命令出現UECC錯誤。所述的降低對UWL進行讀取發生時間超時錯誤的方法，其特征在于所述動態調整存儲顆粒的各個讀閥值電壓分別通過采用依次偏移讀閾值電壓，統計相鄰兩次偏移中讀出數據中bit反轉的個數，在整個偏移過程中個，bit反轉個數最小的電壓設置為當前最優讀閥值電壓。本專利技術采用“動態調整RR次數”和“階梯式Vref調整”達到以下效果：當對UWL讀取時，按照本專利中提到的“動態調整RR次數”進行動態調整RR次數，按照“階梯式Vref調整”進行讀閾值電壓調整優化來讀取數據，就不會出現由于對UWL進行過分的RR而出現的命令TO的情況。附圖說明圖1是NANDflashmemorycell結構示意圖；圖2TLCNANDflash狀態分布圖；圖3TLCNANDflashprogramorder示例；圖4TLCNANDflash寫命令數據流；圖5TLCNANDflash讀命令數據流；圖6TLCNANDflash讀命令處理流程；圖7TLCNANDflashP/Ecycle及老化對狀態分布影響。具體實施方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。圖1是NANDflashmemorycell結構示意圖；NANDflashmemorycell分為源極Source，漏極Drain以及控制柵極ControlGate和浮柵極FloatingGate。當向浮柵極注入電荷時表示寫入數值“0”，無電荷表示數值“1”，而對浮柵中電荷的釋放就是對存儲單元的擦除。TLC(Tri-LevelCell)是一種每個cell表示3個bit數據的flash類型，也就是說，TLC的存儲單元共有8種狀態類型：“000”，“001”，“010”，“011”，“100”，“101”，“110”和“111”。每個cell表示的數值為這8種狀態類型中的一個。對于TLC而言，NANDflash顆粒由多個塊(Block)組成，且Block是擦除的最小單位，每個Block分為若干個WL(WordLine)，由一定數量的存儲單元組成，每個WL上的存儲單元分為3個sub-page，而每個cell中表示數據的3個電子分別存儲在這3個sub-page中。在對存儲單元進行復寫之前，必須對所在的Block進行擦除。圖2是TLCNANDflash狀態分布圖；Cell中注入電子的多少決定了當前cell所處的狀態，也就是cell所表示的數據。TLC所能表示的8種狀態類型，需要7個電壓值進行區分，cell的電壓處于相應的電壓范圍表示相應的狀態即相應的數據，比如說當前cell電壓值處于V2和V3之間，那么cell表示的數據就是“001”。TLC相比于每個cell表示1bit數據的SLC(Single-LevelCell)及每個cell表示2bit的MLC(Multi-Le本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種降低對UWL進行讀取發生時間超時錯誤的方法,其特征在于預先通過試驗或測試的方法評估存儲顆粒在各個使用周期出現UECC錯誤的概率,存儲顆粒的使用周期通過該顆粒被擦寫操作的次數來標識；根據評估獲得當前讀取命令出現UECC錯誤時需要執行RR操作的當前使用周期值Up/e，并與預先實驗獲取的閾值Cp/e進行比對，當當前讀取命令出現UECC錯誤時且使用周期Up/e不大于使用周期閥值Cp/e，則執行不超過5次RR操作，且不再進行糾錯操作就直接返回；當當前讀取命令出現UECC錯誤時且使用周期Up/e大于使用周期閥值Cp/e，則執行盡可能多的RR操作和最大限度糾錯操作。

【技術特征摘要】
1.一種降低對UWL進行讀取發生時間超時錯誤的方法,其特征在于預先通過試驗或測
試的方法評估存儲顆粒在各個使用周期出現UECC錯誤的概率,存儲顆粒的使用周期通過該
顆粒被擦寫操作的次數來標識；根據評估獲得當前讀取命令出現UECC錯誤時需要執行RR操
作的當前使用周期值Up/e，并與預先實驗獲取的閾值Cp/e進行比對，當當前讀取命令出現
UECC錯誤時且使用周期Up/e不大于使用周期閥值Cp/e，則執行不超過5次RR操作，且不再進
行糾錯操作就直接返回；當當前讀取命令出現UECC錯誤時且使用周期Up/e大于使用周期閥
值Cp/e，則執行盡可能多的RR操作和最大限度糾錯操作。
2.根據權利要求1所述的降低對UWL進行讀取發生時間超時錯誤的方法，其特征在于所

【專利技術屬性】
技術研發人員：胡穎穎，
申請(專利權)人：記憶科技深圳有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44