本實用新型專利技術公開了一種快速啟動的低功耗晶振電路，包括晶振，輸入模塊，反饋模塊，檢波模塊，加速模塊，偏置模塊和輸出模塊，所述晶振與輸入模塊連接，所述輸入模塊與反饋模塊連接，所述反饋模塊與檢波模塊連接，所述檢波模塊與加速模塊連接，所述檢波模塊與輸出模塊連接，所述加速模塊與偏置模塊連接，所述偏置模塊的輸出端與輸出模塊的輸入端連接，所述輸出模塊與晶振連接，所述偏置模塊與輸入模塊的輸入端連接。本實用新型專利技術的電路結構簡單；加入了檢波模塊和加速模塊令電路快速起振；本實用新型專利技術的正常工作電流小，功耗低；還可以節省外部懸掛的補償電容。本實用新型專利技術作為一種快速啟動的低功耗晶振電路可廣泛應用于晶振領域。
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及晶振時鐘領域，尤其是一種快速啟動的低功耗晶振電路。
技術介紹
傳統的低速晶振電路的電路結構簡單且功耗低，但是晶振起振的時間一般比較長，一般在幾毫秒到十幾毫秒之間；現有電路應用中，要求系統能夠快速啟動，為了達到快速起振的效果，使用功耗較大的放大器，增大了電路的功耗；并且晶振電路結構復雜。
技術實現思路
為了解決上述技術問題，本技術的目的是提供一種快速啟動的低功耗晶振電路。本技術所采用的技術方案是：一種快速啟動的低功耗晶振電路，包括晶振，輸入模塊，反饋模塊，檢波模塊，加速模塊，偏置模塊和輸出模塊，所述晶振與輸入模塊連接，所述輸入模塊與反饋模塊連接，所述反饋模塊與檢波模塊連接，所述檢波模塊與加速模塊連接，所述檢波模塊與輸出模塊連接，所述加速模塊與偏置模塊連接，所述偏置模塊的輸出端與輸出模塊的輸入端連接，所述輸出模塊與晶振連接，所述偏置模塊的輸出端與輸入模塊的輸入端連接。進一步地，所述加速模塊包括第一NMOS管、第二NMOS管和第一電阻，所述第一NMOS管的襯底與第二NMOS管的襯底連接，所述第一NMOS管的源極與第二NMOS管的漏極連接，所述第一NMOS管的漏極與偏置模塊連接，所述第一NMOS管的柵極與偏置模塊連接，所述第二NMOS管的源極與第一電阻的一端連接，所述第一電阻的另一端與第二NMOS管的柵極連接。進一步地，所述檢波模塊為一個檢波電路，包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，所述第三NMOS管的柵極與偏置模塊連接，所述第三NMOS管的柵極與第四NMOS管的柵極連接，所述第四NMOS管的柵極與第五NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的源極與第二NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的源極與第六NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的襯底與第四NMOS管的襯底連接，所述第四NMOS管的襯底與第五NMOS管的襯底連接，所述第三NMOS管的襯底與第六NMOS管的漏極連接，所述第三NMOS管的漏極與第四NMOS管的源極連接，所述第四NMOS管的漏極與第五NMOS管的源極連接，所述第六NMOS管的漏極與其襯底連接，所述第六NMOS管的襯底與其源極連接，所述第六NMOS管的源極與第一電阻的另一端連接。進一步地，所述反饋模塊為一個反饋回路，包括第一電容，所述第一電容的一端與晶振的一端連接，所述第一電容的一端與第五NMOS管的源極連接，所述第一電容的另一端與晶振的另一端連接。更進一步地，所述輸出模塊包括第一電流鏡、第二電流鏡、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管和第十NMOS管，所述第一電流鏡的輸入端與第二電流鏡的輸入端連接，所述第一電流鏡的輸入端與偏置模塊連接，所述第一電流鏡的輸出端與第七NMOS管的漏極連接，所述第一電流鏡的輸出端與第十NMOS管的柵極連接，所述第七NMOS管的漏極與第五NMOS管的漏極連接，所述第七NMOS管的柵極與第九NMOS管的柵極連接，所述第七NMOS管的柵極與第一NMOS管的柵極連接，所述第七NMOS管的襯底與第八NMOS管的襯底連接，所述第八NMOS管的柵極與第五NMOS管的源極連接，所述第八NMOS管的源極與其襯底連接，所述第二電流鏡的輸出端與第九NMOS管的漏極連接，所述第九NMOS管的源極與第十NMOS管的漏極連接，所述第九NMOS管的襯底與第十NMOS管的襯底連接，所述第十NMOS管的襯底與其源極連接，所述第十NMOS管的源極與第八NMOS管的源極連接。更進一步地，所述輸入模塊包括第三電流鏡、第十一NMOS管和第十二NMOS管，所述第三電流鏡的輸入端與第二電流鏡的輸入端連接，所述第三電流鏡的輸出端與第十一NMOS管的漏極連接，所述第十一NMOS管的漏極與其柵極連接，所述第十一NMOS管的柵極與第一電容的另一端連接，所述第十一NMOS管的源極與第十二NMOS管的漏極連接，所述第十一NMOS管的襯底與第十二NMOS管的襯底連接，所述第十二NMOS管的襯底與其源極連接，所述第十二NMOS管的柵極與偏置模塊連接，所述第十二NMOS管的源極與第十NMOS管的源極連接，所述第十二NMOS管的源極接地。更進一步地，所述低功耗晶振電路還包括輸出整形模塊，所述輸出模塊中第九NMOS管的漏極與輸出整形模塊的輸入端連接。本技術的有益效果是：本技術的電路結構簡單；加入了檢波模塊和加速模塊令電路的起振時間大大縮短，可加速到幾微秒即可起振；且本技術電路的正常工作電流小，且低于傳統的晶振電路的工作電流，功耗低；本技術還可以節省外部懸掛的補償電容。附圖說明下面結合附圖對本技術的具體實施方式作進一步說明：圖1是本技術一種快速啟動的低功耗晶振電路的結構框圖；圖2是本技術一種快速啟動的低功耗晶振電路的一具體實施例電路圖；圖3是本技術一種快速啟動的低功耗晶振電路中加速模塊和檢波模塊的一具體實施例電路圖。具體實施方式需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。參考圖1、圖2和圖3，一種快速啟動的低功耗晶振電路，包括晶振Y，輸入模塊5，反饋模塊3，檢波模塊2，加速模塊1，偏置模塊和輸出模塊4，所述加速模塊1和偏置模塊為圖2中的主體回路，所述晶振Y與輸入模塊5連接，所述輸入模塊5與反饋模塊3連接，所述反饋模塊3與檢波模塊2連接，所述檢波模塊2與加速模塊1連接，所述檢波模塊2與輸出模塊4連接，所述加速模塊1與偏置模塊連接，所述偏置模塊的輸出端與輸出模塊4的輸入端連接，所述輸出模塊4與晶振Y連接，所述偏置模塊的輸出端與輸入模塊5的輸入端連接，所述偏置模塊為本技術中的晶振電路提供各種所需要的偏置電壓和偏置電流。進一步地，參考圖2，所述輸入模塊4包括第三電流鏡I3、第十一NMOS管N11和第十二NMOS管N12，所述第三電流鏡I3的輸入端與第二電流鏡I2的輸入端連接，所述第三電流鏡I3的輸出端與第十一NMOS管N11的漏極連接，所述第十一NMOS管N11的漏極與其柵極連接，所述第十一NMOS管N11的柵極與第一電容C1的另一端連接，所述第十一NMOS管N11的源極與第十二NMOS管N12的漏極連接，所述第十一NMOS管N11的襯底與第十二NMOS管N12的襯底連接，所述第十二NMOS管N12的襯底與其源極連接，所述第十二NMOS管N12的柵極與偏置模塊連接，所述第十二NMOS管N12的源極與第十NMOS管N10的源極連接，所述第十二NMOS管N12的源極接地。進一步地，參考圖2，所述輸出模塊4包括第一電流鏡I1、第二電流鏡I2、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9和第十NMOS管N10，所述第一電流鏡I1的輸入端與第二電流鏡I2的輸入端連接，所述第一電流鏡I1的輸入端與偏置模塊連接，所述第一電流鏡I1的輸出端與第七NMOS管N7的漏極連接，所述第一電流鏡I1的輸出端與第十NMOS管N10的柵極連接，所述第七NMOS管N7的漏極與第五NMOS管N5的漏極（圖3中的B）連接，所述本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種快速啟動的低功耗晶振電路，其特征在于：包括晶振，輸入模塊，反饋模塊，檢波模塊，加速模塊，偏置模塊和輸出模塊，所述晶振與輸入模塊連接，所述輸入模塊與反饋模塊連接，所述反饋模塊與檢波模塊連接，所述檢波模塊與加速模塊連接，所述檢波模塊與輸出模塊連接，所述加速模塊與偏置模塊連接，所述偏置模塊的輸出端與輸出模塊的輸入端連接，所述輸出模塊與晶振連接，所述偏置模塊的輸出端與輸入模塊的輸入端連接。
【技術特征摘要】
1.一種快速啟動的低功耗晶振電路，其特征在于：包括晶振，輸入模塊，反饋模塊，檢波模塊，加速模塊，偏置模塊和輸出模塊，所述晶振與輸入模塊連接，所述輸入模塊與反饋模塊連接，所述反饋模塊與檢波模塊連接，所述檢波模塊與加速模塊連接，所述檢波模塊與輸出模塊連接，所述加速模塊與偏置模塊連接，所述偏置模塊的輸出端與輸出模塊的輸入端連接，所述輸出模塊與晶振連接，所述偏置模塊的輸出端與輸入模塊的輸入端連接。
2.根據權利要求1所述的低功耗晶振電路，其特征在于：所述加速模塊包括第一NMOS管、第二NMOS管和第一電阻，所述第一NMOS管的襯底與第二NMOS管的襯底連接，所述第一NMOS管的源極與第二NMOS管的漏極連接，所述第一NMOS管的漏極與偏置模塊連接，所述第一NMOS管的柵極與偏置模塊連接，所述第二NMOS管的源極與第一電阻的一端連接，所述第一電阻的另一端與第二NMOS管的柵極連接。
3.根據權利要求2所述的低功耗晶振電路，其特征在于：所述檢波模塊為一個檢波電路，包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，所述第三NMOS管的柵極與偏置模塊連接，所述第三NMOS管的柵極與第四NMOS管的柵極連接，所述第四NMOS管的柵極與第五NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的源極與第二NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的源極與第六NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的襯底與第四NMOS管的襯底連接，所述第四NMOS管的襯底與第五NMOS管的襯底連接，所述第三NMOS管的襯底與第六NMOS管的漏極連接，所述第三NMOS管的漏極與第四NMOS管的源極連接，所述第四NMOS管的漏極與第五NMOS管的源極連接，所述第六NMOS管的漏極與其襯底連接，所述第六NMOS管的襯底與其源極連接，所述第六NMOS管的源極與第一電阻的另一端連接。
4.根據權利要求3所述的低功耗晶振電路，其特征在于：所述反饋模塊為一個反饋回路，包括第一電容，所述第一電容的一端與晶振的一端連接，所述第一...
【專利技術屬性】
技術研發人員：賈福來，
申請(專利權)人：深圳市匯春科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。