本實(shí)用新型專利技術(shù)公開(kāi)了一種能防止MOCVD反應(yīng)過(guò)程中晶圓片翹曲的結(jié)構(gòu)，包括反應(yīng)腔室、托盤(pán)、鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)、磁流體軸；托盤(pán)頂面上設(shè)有多個(gè)均布的平整凹坑，其內(nèi)形成有第一抽真空通道，凹坑設(shè)有多條均布的第一長(zhǎng)條形槽，每條第一長(zhǎng)條形槽與相應(yīng)凹坑的第一抽真空通道連通，托盤(pán)底面中心設(shè)有一盲孔，及連通盲孔的多條第二長(zhǎng)條形槽，一條第二長(zhǎng)條形槽與一條第一抽真空通道連通；鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)內(nèi)形成有與盲孔連通的第二抽真空通道；磁流體軸與鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)連接，并裝配上磁流體，磁流體連接有與外界抽真空裝置相連的密封罩，磁流體軸一端穿過(guò)磁流體后伸進(jìn)密封罩內(nèi)，其內(nèi)形成有與第二抽真空通道連通的第三抽真空通道。本實(shí)用新型專利技術(shù)能有效避免大尺寸晶圓片翹曲的問(wèn)題。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造的
，尤其是指一種能防止MOCVD反應(yīng)過(guò)程中晶圓片翹曲的結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
能源是人類生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ)，也是當(dāng)今國(guó)際政治、經(jīng)濟(jì)、軍事、外交關(guān)注的焦點(diǎn)。隨著人口的增加和工業(yè)化進(jìn)程的加快，世界各國(guó)對(duì)能源的需求越來(lái)越大，能源短缺的狀況會(huì)越來(lái)越明顯。與此同時(shí)，化石能源開(kāi)發(fā)利用帶來(lái)的環(huán)境污染問(wèn)題也日趨嚴(yán)重，給社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展和人類健康帶來(lái)了嚴(yán)重影響。提高能源使用效率，降低能耗，發(fā)展新能源產(chǎn)業(yè)異常重要。隨著MOCVD技術(shù)的成熟，出于成本及生長(zhǎng)均勻性考慮，晶圓片由傳統(tǒng)的2英寸、4英寸逐漸往6英寸甚至8英寸發(fā)展。由于晶圓片厚度較薄，在MOCVD反應(yīng)爐高溫環(huán)境下，過(guò)大尺寸的晶圓片容易引發(fā)本身的翹曲，從而影響外延膜層生長(zhǎng)的均勻性，降低成品率和穩(wěn)定性，并影響后續(xù)芯片制備工藝。總之，現(xiàn)有MOCVD設(shè)備暫無(wú)有效的構(gòu)造來(lái)避免大尺寸晶圓片的高溫翹曲問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺點(diǎn)，提供一種能防止MOCVD反應(yīng)過(guò)程中晶圓片翹曲的結(jié)構(gòu)，能有效避免大尺寸晶圓片因自身太薄及尺寸較大引發(fā)的翹曲問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)所提供的技術(shù)方案為：一種能防止MOCVD反應(yīng)過(guò)程中晶圓片翹曲的結(jié)構(gòu)，包括反應(yīng)腔室、托盤(pán)、鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)、磁流體軸、磁流體、密封罩；所述反應(yīng)腔室為一密閉腔體，其內(nèi)部氣壓恒定；所述托盤(pán)和鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)上下疊置地置于反應(yīng)腔室內(nèi)，且該托盤(pán)的底面與鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)的頂面緊密貼<br>合；所述托盤(pán)的頂面上挖設(shè)有多個(gè)沿其周向間隔均布的平整凹坑，用于安裝晶圓片，所述平整凹坑的形狀大小與晶圓片相匹配，晶圓片吸附在平整凹坑上后，其整體高度低于凹坑深度，所述托盤(pán)內(nèi)形成有貫通凹坑坑底中心與托盤(pán)底面的第一抽真空通道，且一個(gè)平整凹坑配置有一條第一抽真空通道，每個(gè)平整凹坑的坑底均挖設(shè)有多條圍繞凹坑中心沿凹坑周向均布的第一長(zhǎng)條形槽，且每條第一長(zhǎng)條形槽均與相應(yīng)凹坑的第一抽真空通道連通，所述托盤(pán)的底面中心開(kāi)設(shè)有一個(gè)盲孔，該托盤(pán)底面上還挖設(shè)有多條圍繞盲孔沿托盤(pán)周向均布的第二長(zhǎng)條形槽，所述第二長(zhǎng)條形槽與盲孔連通，其數(shù)量應(yīng)與第一抽真空通道數(shù)量相一致，且一條第二長(zhǎng)條形槽與一條第一抽真空通道連通；所述鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)內(nèi)形成有貫通其頂面和底面中心的第二抽真空通道，且所述第二抽真空通道與托盤(pán)底面中心處的盲孔連通；所述磁流體軸的一端豎直伸進(jìn)反應(yīng)腔室內(nèi)與鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)連接，其另一端從反應(yīng)腔室底部中心的通孔外伸出反應(yīng)腔室，并裝配上磁流體，可通過(guò)磁流體驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)，所述磁流體的一端封堵該反應(yīng)腔室底部中心的通孔，其另一端連接有密封罩，所述磁流體軸外伸出的一端穿過(guò)磁流體后伸進(jìn)密封罩內(nèi)，該磁流體軸內(nèi)形成有貫通其兩軸端面的第三抽真空通道，且該第三抽真空通道與上述第二抽真空通道連通，所述密封罩通過(guò)氣管與外界抽真空裝置相連。所述磁流體的兩端均通過(guò)氟橡膠O型圈密封。本技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點(diǎn)與有益效果：本技術(shù)結(jié)構(gòu)能有效防止大尺寸晶圓片在高溫下的形變翹曲，可為外延膜層生長(zhǎng)提供平整晶圓片。具體是，在密閉的反應(yīng)腔室中，晶圓片置于托盤(pán)的平整凹坑，晶圓片上表面壓力和反應(yīng)腔室相同，而晶圓片下表面則由抽真空裝置進(jìn)行抽真空吸附，在工作時(shí)，晶圓片下表面被抽至低壓狀態(tài)，通過(guò)上、下表面的壓差力，克服高溫對(duì)晶圓片的形變力，從而有效防止大尺寸晶圓片翹曲，使晶圓片始終平貼緊在托盤(pán)的平整凹坑中。附圖說(shuō)明圖1為本技術(shù)的整體剖視圖。圖2為圖1的A局部放大圖。圖3為圖1的B局部放大圖。圖4為托盤(pán)的整體剖視圖。圖5為托盤(pán)的俯視圖。圖6為托盤(pán)的仰視圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本技術(shù)作進(jìn)一步說(shuō)明。如圖1-圖6所示，本實(shí)施例所述的能防止MOCVD反應(yīng)過(guò)程中晶圓片翹曲的結(jié)構(gòu)，包括反應(yīng)腔室1、托盤(pán)2、鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)3、磁流體軸4、磁流體5、密封罩6；所述反應(yīng)腔室1為一密閉腔體，其內(nèi)部氣壓恒定；所述托盤(pán)2和鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)3上下疊置地置于反應(yīng)腔室1內(nèi)，且該托盤(pán)2的底面與鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)3的頂面緊密平貼合(精配)；所述托盤(pán)2的頂面上挖設(shè)有四個(gè)沿其周向間隔均布的平整凹坑7，用于安裝晶圓片8，所述平整凹坑7的形狀大小與晶圓片8相匹配，晶圓片8吸附在平整凹坑7上后，其整體高度低于凹坑深度，所述托盤(pán)2內(nèi)形成有貫通凹坑坑底中心與托盤(pán)底面的第一抽真空通道9，且一個(gè)平整凹坑7配置有一條第一抽真空通道9，即所述第一抽真空通道9有四條，每個(gè)平整凹坑7的坑底均挖設(shè)有六條圍繞凹坑中心沿凹坑周向均布的第一長(zhǎng)條形槽10，且每條第一長(zhǎng)條形槽10均與相應(yīng)凹坑的第一抽真空通道9連通，所述托盤(pán)2的底面中心開(kāi)設(shè)有一個(gè)盲孔11，該托盤(pán)2底面上還挖設(shè)有多條圍繞盲孔11沿托盤(pán)2周向均布的第二長(zhǎng)條形槽12，所述第二長(zhǎng)條形槽12與盲孔11連通，其數(shù)量應(yīng)與第一抽真空通道9數(shù)量相一致，即所述第二長(zhǎng)條形槽12有四條，且一條第二長(zhǎng)條形槽12與一條第一抽真空通道9連通；所述鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)3內(nèi)形成有貫通其頂面和底面中心的第二抽真空通道13，且所述第二抽真空通道13與托盤(pán)2底面中心處的盲孔11連通；所述磁流體軸4的一端豎直伸進(jìn)反應(yīng)腔室1內(nèi)與鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)3通過(guò)螺釘緊固連接，其另一端從反應(yīng)腔室底部中心的通孔外伸出反應(yīng)腔室1，并裝配上磁流體5，可通過(guò)磁流體5驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)，所述磁流體5的一端封堵該反應(yīng)腔室底部中心的通孔，并通過(guò)氟橡膠O型圈進(jìn)行密封，其另一端通過(guò)螺釘連接有密封罩6，并通過(guò)氟橡膠O型圈進(jìn)行密封，所述磁流體軸4外伸出的一端穿過(guò)磁流體5后伸進(jìn)密封罩6內(nèi)，該磁流體軸4內(nèi)形成有貫通其兩軸端面的第三抽真空通道14，即該磁流體軸4為中空狀，且該第三抽真空通道14與上述第二抽真空通道13連通，所述密封罩6通過(guò)氣管與外界抽真空裝置相連。在采用以上方案后，本技術(shù)結(jié)構(gòu)能有效防止大尺寸晶圓片在高溫下的形變翹曲，可為外延膜層生長(zhǎng)提供平整晶圓片。具體是，在密閉的反應(yīng)腔室1中，晶圓片8置于托盤(pán)2的平整凹坑7中，晶圓片上表面壓力和反應(yīng)腔室1相同，而晶圓片下表面則由抽真空裝置進(jìn)行抽真空吸附，在工作時(shí)，晶圓片下表面被抽至低壓狀態(tài)，通過(guò)晶圓片上、下表面形成的壓差力，在壓力作用下，晶圓片8始終緊緊平貼緊在托盤(pán)2的平整凹坑7中，即使高溫形變力也無(wú)法導(dǎo)致晶圓片8脫離該平整面，從而有效的防止大尺寸晶圓片翹曲。以上所述之實(shí)施例子只為本技術(shù)之較佳實(shí)施例，并非以此限制本實(shí)用新型的實(shí)施范圍，故凡依本技術(shù)之形狀、原理所作的變化，均應(yīng)涵蓋在本技術(shù)的保護(hù)范圍內(nèi)。本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種能防止MOCVD反應(yīng)過(guò)程中晶圓片翹曲的結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括反應(yīng)腔室、托盤(pán)、鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)、磁流體軸、磁流體、密封罩；所述反應(yīng)腔室為一密閉腔體，其內(nèi)部氣壓恒定；所述托盤(pán)和鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)上下疊置地置于反應(yīng)腔室內(nèi)，且該托盤(pán)的底面與鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)的頂面緊密貼合；所述托盤(pán)的頂面上挖設(shè)有多個(gè)沿其周向間隔均布的平整凹坑，用于安裝晶圓片，所述平整凹坑的形狀大小與晶圓片相匹配，晶圓片吸附在平整凹坑上后，其整體高度低于凹坑深度，所述托盤(pán)內(nèi)形成有貫通凹坑坑底中心與托盤(pán)底面的第一抽真空通道，且一個(gè)平整凹坑配置有一條第一抽真空通道，每個(gè)平整凹坑的坑底均挖設(shè)有多條圍繞凹坑中心沿凹坑周向均布的第一長(zhǎng)條形槽，且每條第一長(zhǎng)條形槽均與相應(yīng)凹坑的第一抽真空通道連通，所述托盤(pán)的底面中心開(kāi)設(shè)有一個(gè)盲孔，該托盤(pán)底面上還挖設(shè)有多條圍繞盲孔沿托盤(pán)周向均布的第二長(zhǎng)條形槽，所述第二長(zhǎng)條形槽與盲孔連通，其數(shù)量應(yīng)與第一抽真空通道數(shù)量相一致，且一條第二長(zhǎng)條形槽與一條第一抽真空通道連通；所述鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)內(nèi)形成有貫通其頂面和底面中心的第二抽真空通道，且所述第二抽真空通道與托盤(pán)底面中心處的盲孔連通；所述磁流體軸的一端豎直伸進(jìn)反應(yīng)腔室內(nèi)與鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)連接，其另一端從反應(yīng)腔室底部中心的通孔外伸出反應(yīng)腔室，并裝配上磁流體，可通過(guò)磁流體驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)，所述磁流體的一端封堵該反應(yīng)腔室底部中心的通孔，其另一端連接有密封罩，所述磁流體軸外伸出的一端穿過(guò)磁流體后伸進(jìn)密封罩內(nèi)，該磁流體軸內(nèi)形成有貫通其兩軸端面的第三抽真空通道，且該第三抽真空通道與上述第二抽真空通道連通，所述密封罩通過(guò)氣管與外界抽真空裝置相連。...
【技術(shù)特征摘要】
1.一種能防止MOCVD反應(yīng)過(guò)程中晶圓片翹曲的結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括反
應(yīng)腔室、托盤(pán)、鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)、磁流體軸、磁流體、密封罩；所述反應(yīng)腔室為一密
閉腔體，其內(nèi)部氣壓恒定；所述托盤(pán)和鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)上下疊置地置于反應(yīng)腔室內(nèi)，
且該托盤(pán)的底面與鉬旋轉(zhuǎn)盤(pán)的頂面緊密貼合；所述托盤(pán)的頂面上挖設(shè)有多個(gè)沿
其周向間隔均布的平整凹坑，用于安裝晶圓片，所述平整凹坑的形狀大小與晶
圓片相匹配，晶圓片吸附在平整凹坑上后，其整體高度低于凹坑深度，所述托
盤(pán)內(nèi)形成有貫通凹坑坑底中心與托盤(pán)底面的第一抽真空通道，且一個(gè)平整凹坑
配置有一條第一抽真空通道，每個(gè)平整凹坑的坑底均挖設(shè)有多條圍繞凹坑中心
沿凹坑周向均布的第一長(zhǎng)條形槽，且每條第一長(zhǎng)條形槽均與相應(yīng)凹坑的第一抽
真空通道連通，所述托盤(pán)的底面中心開(kāi)設(shè)有一個(gè)盲孔，該托盤(pán)底面上還挖設(shè)有
多條圍繞盲孔沿托盤(pán)周向均布的第二長(zhǎng)條形槽，所述第二長(zhǎng)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉向平，楊翠柏，張楊，方聰，張露，靳愷，王雷，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中山德華芯片技術(shù)有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：廣東;44
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。