封裝方法及封裝體技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種封裝方法及封裝體，所述封裝方法包括如下步驟：提供一載體；在所述載體上形成一個(gè)或多個(gè)焊墊；在所述載體需要設(shè)置芯片的表面覆蓋預(yù)填充層；在所述預(yù)填充層上放置至少一個(gè)芯片；將所述芯片與所述焊墊進(jìn)行引線連接；塑封并去除所述載體，形成封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明專利技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于：可以解決焊線打在芯片懸空基島的問(wèn)題，使焊線得到良好的作業(yè)性；可以提高排布密度，也可以提高切割刀子的使用壽命，進(jìn)而節(jié)省成本；可以得到較薄的封裝體；解決超薄基板在生產(chǎn)過(guò)程中由于強(qiáng)度太低造成的一系列作業(yè)困難。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝方法及封裝體。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有的一些封裝產(chǎn)品，例如QFN產(chǎn)品，會(huì)存在一些沒(méi)有裸露的芯片焊盤(pán)(exposedpad)或者芯片焊盤(pán)(exposedpad)很小的產(chǎn)品。參見(jiàn)圖1，框架包括引腳101及基島102，所述引腳101與預(yù)貼膜103貼合，所述預(yù)貼膜103起到支撐的作用，而由于無(wú)暴露的散熱片，框架在放芯片的區(qū)域?yàn)榘胛g刻設(shè)計(jì)，即基島102為半蝕刻，芯片104放置在基島102上，如此一來(lái)，芯片104上的打線區(qū)域就處于懸空狀態(tài)，導(dǎo)致無(wú)法打線或者打線困難、焊線的作業(yè)性不好。現(xiàn)有技術(shù)中，解決這一問(wèn)題的方法是在框架上進(jìn)行預(yù)注膠制程，預(yù)先形成一預(yù)制填充層，以支撐所述基島，避免打線區(qū)域處于懸空狀態(tài)。參見(jiàn)圖2所示，在所述框架底部半蝕刻區(qū)域填充一支撐層105，所述支撐層105支撐所述基島102，形成支撐層105后再進(jìn)行打線，從而避免打線區(qū)域處于懸空狀態(tài)，焊線得到良好的作業(yè)性。但是，上述方法存在一定的局限性，在框架厚度很薄時(shí)，容納膠水的空間較小，框架會(huì)變形，膠水會(huì)溢出，且進(jìn)行預(yù)注膠制程的良率損失很大，框架變形很難管控，框架越薄，制程中產(chǎn)生的變形越多，溢膠情況很嚴(yán)重。溢出的膠可能會(huì)蔓延到引腳，從而影響產(chǎn)品的性能。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種封裝方法及封裝體，其能夠使焊線得到良好的作業(yè)性，且能夠解決超薄基板在生產(chǎn)過(guò)程中由于強(qiáng)度太低造成的的一系列作業(yè)困難。為了解決上述問(wèn)題，本專利技術(shù)提供了一種封裝方法，包括如下步驟：提供一載體；在所述載體上形成一個(gè)或多個(gè)焊墊；在所述載體需要設(shè)置芯片的表面覆蓋預(yù)填充層；在所述預(yù)填充層上放置至少一個(gè)芯片；將所述芯片與所述焊墊進(jìn)行引線連接；塑封并去除所述載體，形成封裝結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步，在所述載體上形成一個(gè)或多個(gè)焊墊的方法包括如下步驟：在所述載體表面形成掩膜；圖形化所述掩膜；沉積金屬；去除所述掩膜，形成一個(gè)或多個(gè)焊墊。進(jìn)一步，所述預(yù)填充層的材料與所述塑封步驟中采用的塑封材料相同。進(jìn)一步，所述預(yù)填充層的材料為液態(tài)光致阻焊劑。進(jìn)一步，所述預(yù)填充層上表面與所述焊墊上表面齊平。進(jìn)一步，所述預(yù)填充層上表面高于所述焊墊上表面，且覆蓋所述焊墊的上表面的一部分。進(jìn)一步，所述載體的裸露表面均覆蓋預(yù)填充層。本專利技術(shù)還提供一種封裝體，包括一個(gè)或多個(gè)焊墊及至少一個(gè)芯片，在所述芯片的設(shè)置區(qū)域具有一預(yù)填充層，所述芯片設(shè)置在所述預(yù)填充層上。進(jìn)一步，所述預(yù)填充層的材料與所述封裝體的塑封材料相同。進(jìn)一步，所述預(yù)填充層的材料為液態(tài)光致阻焊劑。進(jìn)一步，所述預(yù)填充層上表面與所述焊墊上表面齊平。進(jìn)一步，所述預(yù)填充層上表面高于所述焊墊上表面，且覆蓋所述焊墊的上表面的一部分。進(jìn)一步，所述焊墊上下表面形狀相同。本專利技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于：(1)QFN的設(shè)計(jì)不再被暴露散熱片所限制。(2)可以解決焊線打在芯片懸空基島的問(wèn)題，使焊線得到良好的作業(yè)性。(3)本專利技術(shù)的封裝方法可以得到在切割道上無(wú)金屬的設(shè)計(jì)，從而可以提高排布密度，也可以提高切割刀子的使用壽命，進(jìn)而節(jié)省成本。(4)由于這個(gè)設(shè)計(jì)并沒(méi)有傳統(tǒng)意義上的較厚的框架，因而可以得到較薄的封裝體。(5)由于采用了載體作業(yè)，可以對(duì)超薄基板產(chǎn)品的基板進(jìn)行替代，解決超薄基板在生產(chǎn)過(guò)程中由于強(qiáng)度太低造成的的一系列作業(yè)困難。附圖說(shuō)明圖1是現(xiàn)有的QFN封裝體的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有的解決基島懸空的方法的示意圖；圖3是本專利技術(shù)封裝方法第一具體實(shí)施方式的步驟示意圖；圖4A～圖4G是本專利技術(shù)封裝方法第一具體實(shí)施方式的工藝流程圖；圖5A～圖5D是焊墊的制作方法的工藝流程圖；圖6是本專利技術(shù)封裝方法第二具體實(shí)施方式的步驟示意圖；圖7A～圖7F是本專利技術(shù)封裝方法第二具體實(shí)施方式的工藝流程圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖對(duì)本專利技術(shù)提供的封裝方法及封裝體的具體實(shí)施方式做詳細(xì)說(shuō)明。參見(jiàn)圖3，本專利技術(shù)封裝方法第一具體實(shí)施方式包括如下步驟：步驟S30：提供一載體；步驟S31：在所述載體上形成一個(gè)或多個(gè)焊墊；步驟S32：在所述載體需要設(shè)置芯片的表面覆蓋預(yù)填充層；步驟S33：在所述預(yù)填充層上放置至少一個(gè)芯片；步驟S34：將所述芯片與所述焊墊進(jìn)行引線連接；步驟S35：塑封；步驟S36：去除所述載體，形成封裝結(jié)構(gòu)。圖4A～圖4G所示為本專利技術(shù)封裝方法第一具體實(shí)施方式的工藝流程圖。參見(jiàn)步驟S30及圖4A，提供一載體400。在本具體實(shí)施方式中，所述載體400為碳素鋼。本領(lǐng)域技術(shù)人員可從現(xiàn)有技術(shù)中獲得所述載體400的材料組成，本專利技術(shù)并不限于碳素鋼。參見(jiàn)步驟S31及圖4B，在所述載體400上形成一個(gè)或多個(gè)焊墊401。在本具體實(shí)施方式中，多個(gè)所述焊墊401間隔設(shè)置，在至少兩個(gè)焊墊401之間，可設(shè)置芯片。在本專利技術(shù)其他具體實(shí)施方式中，多個(gè)所述焊墊401均設(shè)置在芯片的一側(cè)。本專利技術(shù)形成所述焊墊401的方法可以采用掩膜法形成，所述掩膜法包括如下步驟：參見(jiàn)圖5A，在所述載體400的表面涂覆掩膜500。參見(jiàn)圖5B，圖形化所述掩膜層500，使得所述載體400需要制作焊墊的區(qū)域暴露。參見(jiàn)圖5C，沉積金屬501。參見(jiàn)圖5D，去除所述掩膜500及掩膜500表面的金屬，形成一個(gè)或多個(gè)焊墊401。參見(jiàn)步驟S32及圖4C，在所述載體400需要設(shè)置芯片的表面覆蓋預(yù)填充層402。在本具體實(shí)施方式中，所述預(yù)填充層402的材料與后續(xù)塑封步驟中采用的塑封材料相同，則在后續(xù)塑封步驟后，所述塑封材料與所述預(yù)填充層402可成為一體。在本具體實(shí)施方式中，所述載體400的裸露表面均覆蓋所述預(yù)填充層402。所述預(yù)填充層402的上表面與所述焊墊401的上表面齊平。在本專利技術(shù)其他具體實(shí)施方式中，所述預(yù)填充層402僅覆蓋載體400需要設(shè)置芯片的表面，載體400不需要設(shè)置芯片的表面并不覆蓋預(yù)填充層402。參見(jiàn)步驟S33及圖4D，在所述預(yù)填充層402上放置至少一個(gè)芯片403。所述芯片403可以設(shè)置在多個(gè)焊墊401之間，例如兩個(gè)相鄰的焊墊401之間，也可以設(shè)置在多個(gè)所述焊墊401的同一側(cè)，本文對(duì)此不進(jìn)行限制。在該步驟中，由于芯片403放置區(qū)域有預(yù)填充層402支撐，并非處于懸空狀態(tài)，所以在后續(xù)制程中不會(huì)出現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題。參見(jiàn)步驟S34及圖4E，將所述芯片403與所述焊墊401采用引線404連接，引線連接工藝為常規(guī)打線工藝，本文不再贅述。參見(jiàn)步驟S35圖4F，塑封。在該步驟中，采用塑封材料塑封芯片403、焊墊401、引線403及預(yù)填充層402，塑封的方法為常規(guī)方法，本文不再贅述。參見(jiàn)步驟S36圖4G，去除所述載體400，形成封裝結(jié)構(gòu)。去除載體400的方法為常規(guī)方法，本文不再贅述。本專利技術(shù)封裝方法還提供一第二具體實(shí)施方式，所述第二具體實(shí)施方式與第一具體實(shí)施方式的區(qū)別在于，形成預(yù)填充層的材料不同。在第二具體實(shí)施方式中，形成預(yù)填充層的材料為液態(tài)光致阻焊劑。第二具體實(shí)施方式的步驟如下。第二具體實(shí)施方式形成焊墊的方法與第一具體實(shí)施方式相同，請(qǐng)參見(jiàn)上述描述及附圖4A～4B。形成預(yù)填充層的方法請(qǐng)參見(jiàn)如下步驟。參見(jiàn)步驟S60及圖7A，在所述載體400及焊墊401表面涂覆預(yù)填充層702，所述預(yù)填充層702的材料為液態(tài)光致阻焊劑，所述液態(tài)光致阻焊劑俗稱綠漆。在本具體實(shí)施方式中，所述預(yù)填充層702覆蓋所述載體400及焊墊401表面，在其他具體實(shí)施方式中，所述預(yù)填充層702覆蓋所述載體400裸露的表面或者需要設(shè)置芯片本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：提供一載體；在所述載體上形成一個(gè)或多個(gè)焊墊；在所述載體需要設(shè)置芯片的表面覆蓋預(yù)填充層；在所述預(yù)填充層上放置至少一個(gè)芯片；將所述芯片與所述焊墊進(jìn)行引線連接；塑封并去除所述載體，形成封裝結(jié)構(gòu)。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：提供一載體；在所述載體上形成一個(gè)或多個(gè)焊墊；在所述載體需要設(shè)置芯片的表面覆蓋預(yù)填充層；在所述預(yù)填充層上放置至少一個(gè)芯片；將所述芯片與所述焊墊進(jìn)行引線連接；塑封并去除所述載體，形成封裝結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，進(jìn)一步，在所述載體上形成一個(gè)或多個(gè)焊墊的方法包括如下步驟：在所述載體表面形成掩膜；圖形化所述掩膜；沉積金屬；去除所述掩膜，形成一個(gè)或多個(gè)焊墊。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述預(yù)填充層的材料與所述塑封步驟中采用的塑封材料相同。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述預(yù)填充層的材料為液態(tài)光致阻焊劑。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述預(yù)填充層上表面與所述焊墊上表面齊平。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陽(yáng)小芮，劉道健，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海凱虹科技電子有限公司，上海凱虹電子有限公司，達(dá)邇科技成都有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：上海;31