光纖的處理方法技術

光纖的處理方法包括：將光纖容納在處理室內部；將含氘氣體引入處理室中；以及在氘處理步驟中將光纖暴露于含氘氣體的氣氛。在氘處理步驟中，氘處理期間處理室中的氘濃度Ｄ根據以下來計算：處理室內部含氘氣體中氘濃度的初始值Ａ、處理室的周圍氣氛中的氧濃度Ｂ、以及處理室內部含氘氣體中的氧濃度Ｃ，并且基于所計算的氘濃度Ｄ處理室中的氘濃度得到控制。根據本發明專利技術，也可使用其它氣體，如含氫氣體或含氮氣體。

Method for processing optical fiber

The method of processing an optical fiber includes receiving an optical fiber in the processing chamber; introducing deuterium containing gas into the treatment chamber; and exposing the optical fiber to the atmosphere containing deuterium gas in the deuterium treatment step. In the deuterium treatment step, deuterium treatment during processing of deuterium concentration in a D chamber is calculated from the initial concentration of deuterium in the deuterium containing gas inside the oxygen concentration A, C value of the processing chamber around the oxygen concentration in the atmosphere, and B treatment in the deuterium containing gas inside, and the concentration of deuterium deuterium concentration D processing chamber of the calculated based on control. In accordance with the present invention, other gases, such as hydrogen containing gas or nitrogen gas, may also be used.

【技術實現步驟摘要】

在將光纖制成線纜且鋪設光纜之后，光纖在大約1400nm波長帶的傳輸損耗增加，并且光纖的傳輸特性退化。為了抑制光纖傳輸特性的這一退化，應用一種光纖處理方法，其中光纖被事先暴露于氫(hydrogen)或氘(deuterium)。然而，當執行其中光纖被暴露于氫的處理方法(氫處理)時，存在這樣的問題，即光纖在約1383nm波長區域的初始傳輸損耗增加。相比之下，當執行其中光纖被暴露于氘的處理方法(氘處理)時，沒有這種問題出現。因此，必須根據對象來選擇和應用氫處理或氘處理。各種方法已被提出以便將氘處理應用到光纖。在一種方法(例如見日本未經審查的專利申請，第一公開No.2003-137580)中，包含氘氣的氣體(此后稱為“含氘氣體)連續地流進可密封的處理室中，并且處理室內的氣氛被含氘氣體所取代。在另一種方法(例如見日本未經審查的專利申請，第一公開No.2004-226979)中，在降低處理室內部的壓力后，處理室的內部被含氘氣體填充，并且因此處理室內部的氣氛被含氘氣體所取代。在后一種方法中，含氘氣體的回收是可能的。此外，在IEC60793-2-50中所規定的氫測試方法是用于將氫處理應用到光纖的方法的實例。在該氫測試方法中，光纖在室溫被暴露于1％的氫氣氣氛或100％的氫氣氣氛，直至在1240nm波長的傳輸損耗等于或大于0.03dB/km。然而，在該氫測試方法中，沒有規定處理方法(處理條件)的具體條件。在氘處理被應用于光纖的情況下，當使用其中含氘氣體連續流進處理室的方法時，處理被應用，同時排除含氘氣體直至處理室的內部達到預定的氘濃度。因此，每當氘處理被應用時，有可能在處理室中維持預定的氘濃度。然而，為了增加生產效率，處理必須在某時被應用到具有長的長度的光纖上，并且伴隨于此，用于將處理應用到光纖的處理室體積變大。取決于處理室體積變得多大，用于取代處理室內氣氛所必需的含氘氣體量增加，并且因此成本也增加。相比之下，當處理室內的壓力已降低之后使用其中處理室被填充含氘氣體的方法時，因為在處理室內部建立完全的真空是困難的，所以每次處理后保留在處理室中的空氣與含氘氣體混合。當處理次數增加時，被回收的含氘氣體中的氘濃度變低。當含氘氣體中的氘濃度變低時，也存在如此擔憂，即不僅需要長的時間直至氘已充分地滲透到光纖中，而且氘處理也可變得不充足。因此，為了防止缺陷性的氘處理，當將氘處理應用到光纖上時有必要監視氘濃度。易燃氣體探測器、光學氣體密度計等是測量氘濃度的設備實例。當使用空氣基的含氘氣體時，有可能通過這樣的測量設備而測量氘濃度。在此要注意其成分比類似于氣氛成分比的任何氣體被稱為“空氣”。然而，當空氣被混合到含氘氣體中且氣體的成分比不同于氣氛的成分比時，通過使用上述測量設備來正確地測量氘濃度變得不可能。在燃燒密度計(combustion densitometer)如可燃氣體探測器中，氘被燃燒，并且根據在燃燒期間所產生的熱量來計算氘濃度。因此，在其中不是空氣，而是惰性氣體如氮、氬、氦等用作基本成分(base)的情況下，燃燒變差，并且因此濃度不可能被正確測量。此外，在光學密度計如光學氣體密度計中，根據含氘氣體的相對折射率而計算氘濃度。因此，在其中用作基本成分的氣體的成分比波動時，不可能正確地測量氘濃度。此外，有可能通過分析被包括在含氘氣體中的氘氣分子來測量氘濃度。然而，這并不是優選的，因為測量占用時間，且因此生產成本急劇增加。
技術實現思路
考慮到上述問題，本專利技術的目的在于提供一種，其可以正確地控制氘濃度，甚至當用作含氘氣體的基本成分的氣體是一種非空氣的氣體時，以及當用作基本成分的氣體的成分比波動時。本專利技術提供一種，包括將光纖容納在處理室內部；將含氘氣體引入處理室中；以及在氘處理步驟中將光纖暴露于含氘氣體的氣氛，其中，在氘處理步驟中，氘處理期間處理室中的氘濃度D根據以下來計算處理室內部含氘氣體中氘濃度的初始值A、處理室的周圍氣氛中的氧濃度B、以及處理室內部含氘氣體中的氧濃度C，并且處理室中的氘濃度基于所計算的氘濃度D而得到控制。在中，使用下面的EQ.1，氘處理步驟期間處理室中的氘濃度D可得以計算D＝A×(1-C/B) EQ.1其中A表示處理室內部含氘氣體中氘濃度的初始值，B表示處理室周圍氣氛(空氣)中的氧濃度，且C表示處理室內部含氘氣體中的氧濃度。本專利技術進一步提供一種，包括將光纖容納在處理室內部；將含氫氣體引入處理室中；以及在氫處理步驟中將光纖暴露于含氫氣體氣氛，其中，在氫處理步驟中，氫處理期間處理室中的氫濃度δ根據以下來計算處理室內部含氫氣體中的氫濃度的初始值α、處理室的周圍氣氛中的氧濃度β、以及處理室內部含氫氣體中的氧濃度γ，并且基于所計算的氫濃度δ，處理室中的氫濃度得到控制。在中，使用下面的EQ.2，氫處理步驟期間處理室中的氫濃度δ得以計算δ＝α×(1-γ/β) EQ.2其中α表示處理室內部含氫氣體中的氫濃度初始值，β表示處理室的周圍氣氛(空氣)中的氧濃度，且γ表示處理室內部含氫氣體中的氧濃度。在上述光纖處理方法中，處理室優選地為密封室。在上述光纖處理方法中，在含氘氣體被引入之前，優選地可在處理室內部建立減壓狀態。優選地，但非必需地，在減壓狀態期間處理室中的壓力設置在等于或大于0.01kPa至等于或小于75kPa范圍內。在上述光纖處理方法中，在氘處理步驟期間氘的部分壓力可優選地設置在等于或大于0.1kPa至等于或小于5kPa范圍內，且在氫處理步驟期間氫的部分壓力可優選地設置在等于或大于0.1kPa至等于或小于4kPa范圍內。在上述光纖處理方法中，在氘處理步驟或氫處理步驟期間處理室中的壓力可優選地，但非必需地，設置在等于或大于10.1kPa至大于或小于203kPa范圍內。在上述光纖處理方法中，在氘處理步驟或氫處理步驟期間，處理室內部的溫度可維持在等于或大于5℃至等于或小于40℃范圍內的一恒定溫度。根據本專利技術的光纖處理方法，在其中用于光纖處理的氣體的濃度控制是必要的情況下，甚至在其中因濃度測量設備的容量而導致不可能對濃度直接測量的情況下，可能的是測量被混合在處理室內部所測量氣體中的氧濃度并且根據該氧濃度容易地計算出所測量氣體的濃度。因此，為了確定所測量氣體的濃度，沒有必要抽取所測量的氣體且通過使用復雜的分析器具如氣相色譜儀(gas chromatography)來分析所測量的氣體。由此，有可能容易地在當時確定所測量氣體的濃度。因此，本專利技術的光纖處理方法就制造而言是有利的處理方法，因為它可能降低成本和時間。附圖說明圖1是示出本專利技術的光纖處理器具實例的示意性結構圖。圖2是示出在第一步驟中非橋氧穴中心(non-bridging oxygen holecenter，NBOHC)的湮滅(annihilate)延遲時間與壓力被降低的氣氛的壓力之間的關系的圖。圖3是示出本專利技術的光纖處理器具實例的示意性結構圖。圖4是示出當含氘氣體已經被反復使用之后光纖已經受氘處理時，處理次數與含氘氣體中氘的部分壓力的保留率(retention rate)之間的關系圖。圖5是示出在本專利技術的測試采樣中氘濃度的測量結果的圖。具體實施例方式下面，將詳細解釋應用本專利技術實施例的光纖處理方法。在本專利技術的光纖處理方法中，首先，在光纖的制造步驟期間，為了湮滅在光纖中所產生的非本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種光纖的處理方法，包括：將光纖容納在處理室內部；將含氘氣體引入所述處理室中；以及在氘處理步驟中，將所述光纖暴露于所述含氘氣體的氣氛，其中，在所述氘處理步驟中，在所述氘處理期間所述處理室中的氘濃度Ｄ根據以下來計算：所述處理室內部含氘氣體中氘濃度的初始值Ａ、所述處理室的周圍氣氛中的氧濃度Ｂ、以及所述處理室內部含氘氣體中的氧濃度Ｃ，并且基于所計算的氘濃度Ｄ，所述處理室中的氘濃度得到控制。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：濱田貴弘，山城健司，藤巻宗久，原田光一，白子行成，澤野弘幸，平船俊一郎，
申請(專利權)人：株式會社藤倉，
類型：發明
國別省市：JP[日本]