閃爍體及其制造方法、放射線成像裝置和放射線成像系統制造方法及圖紙

本公開涉及閃爍體及其制造方法、放射線成像裝置和放射線成像系統。一種制造閃爍體的方法，包括：在基臺上生長由多個柱晶構成的閃爍體層；形成第一保護膜以覆蓋閃爍體層；使第一保護膜平坦化，該平坦化包含拋光第一保護膜的拋光處理；以及形成被配置為覆蓋經受了平坦化的第一保護膜的第二保護膜。在基臺上生長的閃爍體層包含異常生長部分。在拋光處理中，異常生長部分的前端以及第一保護膜的表面被拋光，以通過第一保護膜的表面和異常生長部分的表面形成連續表面。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及閃爍體、其制造方法、放射線成像裝置和放射線成像系統。
技術介紹
可通過例如在基臺上生長多個柱晶來制造閃爍體。在制造閃爍體時，柱晶可能異常地生長。由異常生長所形成的部分可被稱為例如異常生長部分。異常生長部分變得比另一部分高，并且在閃爍體層的表面上構成比該另一部分更突出的部分。因此，當包含異常生長部分的閃爍體與其中布置有多個傳感器(光電轉換部分)的傳感器陣列接合時，需要在閃爍體與傳感器陣列之間設置明顯的間隙。但是，這種布置可能是降低檢測量子效率(DQE)和調制傳送函數(MTF)的一個原因。日本專利No.4800434描述了以下方法：該方法通過氣相沉積形成作為閃爍體的CsI的柱晶，然后在包含異常生長部分的CsI的表面上放置玻璃板并且對CsI施加1個大氣壓，以使該表面平坦化。日本專利公開No.2010-25620沒有提到異常生長。但是，該文獻描述了以下方法：該方法形成多個熒光柱晶，然后用折射率比各晶體的折射率低的材料覆蓋其前端部分，并且，拋光由多個熒光柱晶制成的層和折射率低的該材料?？梢岳斫猓ㄟ^執行在日本專利公開No.2010-25620中描述的方法，異常生長部分即使存在也可被拋光(polish)。在日本專利No.4800434所描述的方法中，可能由于向異常生長部分及其以外的部分施加壓力而使得閃爍體受損。因此，可能難以提高生產率，導致增加制造成本。在日本專利公開No.2010-25620中描述的方法中，所有的熒光柱晶可能因拋光而露出，因此可能被水劣化。由此，可能難以通過在日本專利No.4800434和日本專利公開No.2010-25620中描述的方法以低成本獲得高質量的閃爍體。
技術實現思路
本專利技術提供一種即使在閃爍體層中產生異常生長部分也有利于以低成本制造高質量的閃爍體的技術。本專利技術的第一方面提供一種制造閃爍體的方法，該方法包括：在基臺上生長由多個柱晶構成的閃爍體層；形成第一保護膜以便覆蓋閃爍體層；使第一保護膜平坦化，該平坦化包含拋光第一保護膜的拋光處理；以及形成第二保護膜，該第二保護膜被配置為覆蓋經受了平坦化的第一保護膜，其中，在基臺上生長的閃爍體層包含異常生長部分，并且，在拋光處理中，異常生長部分的前端以及第一保護膜的表面被拋光，以通過第一保護膜的表面和異常生長部分的表面形成連續表面。本專利技術的第二方面提供一種制造閃爍體的方法，該方法的特征在于包括：在基臺上生長由多個柱晶構成的閃爍體層；形成第一保護膜以覆蓋閃爍體層；處理第一保護膜，以使得包含于閃爍體層中的異常生長部分的一部分被露出；溶解通過處理第一保護膜露出的異常生長部分；在溶解之后形成第二保護膜，該第二保護膜被配置為覆蓋第一保護膜。本專利技術的第三方面提供一種閃爍體，該閃爍體包括由多個柱晶構成的閃爍體層和覆蓋閃爍體層的保護膜，其中，閃爍體層包含異常生長部分和正常生長部分，并且，異常生長部分比正常生長部分低。本專利技術的第四方面提供一種放射線成像裝置，該放射線成像裝置包括：作為本專利技術的第三方面被限定的閃爍體；以及傳感器陣列，包含被配置為光電地轉換通過閃爍體從放射線轉換的光的多個光電轉換元件。本專利技術的第五方面提供一種放射線成像系統，該放射線成像系統包括：放射線源；以及作為本專利技術的第四方面被限定的放射線成像裝置。本專利技術的第六方面提供一種閃爍體，該閃爍體包括由多個柱晶構成的閃爍體層和覆蓋閃爍體層的保護膜，其中，閃爍體層包含異常生長部分和正常生長部分，保護膜包含被配置為覆蓋正常生長部分的第一保護膜和被配置為覆蓋異常生長部分和第一保護膜的第二保護膜，并且，閃爍體包含由第一保護膜的表面和異常生長部分的表面構成的連續表面。本專利技術的第七方面提供一種放射線成像裝置，該放射線成像裝置包括：作為本專利技術的第六方面被限定的閃爍體；以及傳感器陣列，包含被配置為光電地轉換通過閃爍體從放射線轉換的光的多個光電轉換元件。本專利技術的第八方面提供一種放射線成像系統，該放射線成像系統包括：放射線源；以及作為本專利技術的第七方面被限定的放射線成像裝置。根據(參照附圖)對示例性實施例的以下描述，本專利技術的其它特征將變得清晰。附圖說明圖1A和圖1B是分別示意性地示出根據本專利技術的一個實施例的閃爍體的斷面布置的示圖；圖2示出用于解釋根據本專利技術的第一和第二實施例的制造閃爍體的方法的示圖；圖3示出用于解釋根據本專利技術的第一實施例的制造閃爍體的方法的示圖；圖4示出用于解釋根據本專利技術的第二實施例的制造閃爍體的方法的示圖；圖5是示出根據本專利技術的放射線成像裝置的第一布置例子的示圖；圖6是示出根據本專利技術的放射線成像裝置的第二布置例子的示圖；以及圖7是例示放射線成像系統的示圖。具體實施方式以下將參照附圖描述本專利技術的示例性實施例。圖1A是示出根據本專利技術的一個實施例的閃爍體100的斷面布置的示意圖。圖1B是圖1A中的部分A的放大示意圖。閃爍體100將放射線轉換成諸如可見光的光。術語放射線包含例如X射線、α射線、β射線和γ射線等。閃爍體100包含由多個柱晶CC構成的閃爍體層101和覆蓋該閃爍體層101的保護膜PF。保護膜PF可包含覆蓋閃爍體層101的第一保護膜102和覆蓋第一保護膜102的第二保護膜103。閃爍體層101可由例如作為主要成分的碘化銫(CsI)構成。作為活化劑(activatoragent)，例如，可以向碘化銫添加鉈(Tl)或鈉(Na)等。通過添加活化劑，碘化銫可發射可見光。例如，閃爍體層101可由包含作為主要成分的堿鹵化物的材料構成，或者可由作為主要成分的另一材料構成。閃爍體層101可包含異常生長部分104。異常生長部分104也可包含柱晶。但是，雖然閃爍體層101中的正常部分(正常生長部分)的柱晶CC具有規則陣列，但異常生長部分104可被形成為干擾其規則陣列。如圖1B所示，可在構成閃爍體層101的柱晶CC與柱晶CC之間存在間隙106。當間隙106與閃爍體層101的比率變高時，閃爍體層101的填充因子變低。使ρ(g/cm3)為各閃爍體層101的密度且使pc(g/cm3)為閃爍體層101的材料的單晶狀態中的密度，則優選獲得0.5≤ρ/pc≤0.8的填充因子。各閃爍體層101的密度ρ是通過將構成閃爍體層101的多個柱晶CC的集合體的密度，即閃爍體層101的質量(g)除以閃爍體層101的體積(底面積×厚度)(cm3)而獲得的值。假定閃爍體層101具有恒定的厚度。在這種情況下，當填充因子變低時，閃爍體層101(或閃爍體100)的調制傳送函數(MTF)增大，但是檢測量子效率(DQE)減小。因此，考慮MTF和DQE兩者，優選的是如上面描述的那樣滿足0.5≤ρ/pc≤0.8。更優選的是滿足0.6≤ρ/pc≤0.8，進一步更優選的是滿足0.7≤ρ/pc≤0.8。柱晶CC可具有可溶解性(deliquescent)。保護膜PF用于保護柱晶CC，特別是用于防止柱晶CC由于水而劣化。防止由于水而劣化的功能也可被稱為防濕功能。構成保護膜PF的第一保護膜102防止柱晶CC在制造閃爍體100期間和之后被水劣化。第二保護膜103防止柱晶CC在制造閃爍體100之后被水劣化。在制造閃爍體100時，第一保護膜102被形成以覆蓋包含異常生長部分104的閃爍體層101，然后，第一保護膜102的表面可通過拋光處理被平坦化。第一保護膜10本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種制造閃爍體的方法，該方法包括：在基臺上生長由多個柱晶構成的閃爍體層；形成第一保護膜以覆蓋閃爍體層；使第一保護膜平坦化，該平坦化包含拋光第一保護膜的拋光處理；以及形成第二保護膜，該第二保護膜被配置為覆蓋經受了平坦化的第一保護膜，其中，在基臺上生長的閃爍體層包含異常生長部分，以及在拋光處理中，異常生長部分的前端以及第一保護膜的表面被拋光，以通過第一保護膜的表面和異常生長部分的表面形成連續表面。

【技術特征摘要】
2015.08.06 JP JP2015-1562391.一種制造閃爍體的方法，該方法包括：在基臺上生長由多個柱晶構成的閃爍體層；形成第一保護膜以覆蓋閃爍體層；使第一保護膜平坦化，該平坦化包含拋光第一保護膜的拋光處理；以及形成第二保護膜，該第二保護膜被配置為覆蓋經受了平坦化的第一保護膜，其中，在基臺上生長的閃爍體層包含異常生長部分，以及在拋光處理中，異常生長部分的前端以及第一保護膜的表面被拋光，以通過第一保護膜的表面和異常生長部分的表面形成連續表面。2.根據權利要求1所述的方法，其中，拋光處理被執行為使得通過由拋光處理拋光的第一保護膜的露出表面與由拋光處理拋光的異常生長部分的露出表面來形成平面。3.根據權利要求1所述的方法，其中，多個柱晶的各前端是尖的，并且，在形成第一保護膜時，第一保護膜被形成為使得獲得其中多個柱晶的各前端刺入第一保護膜中的結構。4.根據權利要求1所述的方法，還包括：在平坦化之后和在形成第二保護膜之前，溶解具有通過拋光處理拋光的前端的異常生長部分的一部分。5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述多個柱晶由作為主要成分的碘化銫構成，并且，在溶解時，通過使用水和極性溶劑之一，溶解所述具有通過拋光處理拋光的前端的異常生長部分的一部分。6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述平坦化還包含通過吹氣去除通過拋光處理產生的碎片的去除處理。7.根據權利要求1所述的方法，其中，第一保護膜的材料和第二保護膜的材料相同。8.根據權利要求1所述的方法，其中，第二保護膜的表面的算術平均粗糙度小于執行拋光處理之后的第一保護膜的表面的算術平均粗糙度。9.根據權利要求1所述的方法，其中，使ρ(g/cm3)為閃爍體層的密度且使pc(g/cm3)為閃爍體...

【專利技術屬性】
技術研發人員：石田陽平，小林玉樹，市村知昭，
申請(專利權)人：佳能株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP