晶粒打標方法技術

本發明專利技術公開了一種利用激光打標機對通過晶片切割工藝所分割的多個晶粒進行打標的方法。所公開的晶粒打標方法包括：在包括晶粒的所述晶片上設置具有相互重疊的部分的多個掃描區域的步驟；利用線掃描攝像機對所述晶片的掃描區域進行多次掃描過程的步驟；收集位于所述多個掃描區域不重疊的區域中的所述晶粒各自的位置信息的步驟；通過圖像合成而收集位于所述多個掃描區域重疊的區域中的所述晶粒各自的位置信息的步驟；以及利用所述激光打標機對所述位置信息被收集的所有晶粒分別進行打標的步驟。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及晶粒打標方法，具體地涉及在利用線掃描攝像機(linescancamera)確認通過晶片切割工藝所分離的多個晶粒的位置信息后利用激光對這些晶粒進行打標的方法。
技術介紹
現有的對晶粒(waferdie)進行激光打標的方法使用下列方法。首先，對集成有晶粒的晶片(wafer)的背面進行背面研磨(backgrinding)以將晶片制成期望的厚度后，在位于晶片的前面的晶粒中選擇兩個晶粒，即第一基準晶粒和第二基準晶粒。隨后，利用所選擇的第一基準晶粒和第二基準晶粒獲知其他所有的晶粒的位置，然后利用所獲得的位置信息，利用激光對各晶粒進行打標。之后，通過對晶片進行切割(dicing)來分割所打標的晶粒。然而，若采用該方法，在晶片切割工藝中，在晶片的背面可能會發生碎片或破片(chipping)等，此外，存在有可能損壞晶片的顧慮。作為用于解決該問題的方法，目前有切割后研磨(DicingBeforeGrinding，DBG)工藝。在所述DBG工藝中，在對集成有晶粒的晶片進行研磨之前，首先對晶片進行半厚度切割(halfcutting)，然后進行背面研磨，以分割晶粒。而且，利用激光對如此分割的晶粒進行打標工藝。然而，所分割的晶粒會從晶片上的初始位置歪斜，因此，通過現有的利用第一基準晶粒和第二基準晶粒等兩個晶粒，對其他的晶粒進行打標的方法具有難以在所分割的晶粒的準確位置上進行打標的問題。此外，現有技術中使用利用視覺攝像機(visioncamera)確認晶粒的位置信息的方法，但是在該方法中視覺攝像機需要分別拍攝各晶粒以測量其位置，因此需要進行對應于晶粒數的次數的測量操作。例如，在晶片上具有1000個晶粒時，需要使用視覺攝像機1000次才能夠確認所有晶粒的位置信息，因此具有花費許多時間的問題。
技術實現思路
技術問題本專利技術是為了解決這些問題而提出的，提供一種能夠利用線掃描攝像機(linescancamera)準確測量通過切割工藝所分割的晶粒的位置以對該晶粒進行激光打標的方法。有益效果根據本專利技術的實施例，能夠利用線掃描攝像機迅速收集通過切割工藝所分割后不規則排列的晶粒的形狀和位置信息。而且，在基于如此收集的晶粒的形狀和位置信息執行激光打標操作時，能夠在所分割的各個晶粒的期望位置上準確地進行打標。附圖說明圖1示出通過切割工藝分割晶片后不規則排列的晶粒的狀態。圖2是用于描述根據本專利技術的實施例的晶粒打標方法的流程圖。圖3用于說明使線掃描攝像機的坐標系與激光打標機的坐標系對齊的方法。圖4a至圖4c示出根據本專利技術的實施例的利用線掃描攝像機對晶片上的晶粒進行多次掃描的狀態。圖5用于說明在不重疊的掃描區域中收集晶粒的形狀和位置信息的方法。圖6a至圖6d用于說明在重疊的掃描區域中收集晶粒的形狀的方法。具體實施方式以下參照附圖詳細說明本專利技術的實施例。附圖中相同的附圖標記指示相同的組成部分，為了說明的清楚起見可以夸大各組成部分的大小或厚度。圖1示出通過切割工藝分割晶片W后的狀態。參照圖1，若通過切割工藝分割附著在固定用膠帶30上的晶片W，則所分割的多個晶粒50中的至少一部分會歪斜，因此晶粒50以不規則的狀態排列在固定用膠帶30上。如圖1所示的以不規則的狀態排列的晶粒50通過如下工藝制成。首先，在分割前對集成有晶粒的晶片W進行半厚度切割，然后在晶片W上涂覆表面保護膜(未示出)以覆蓋所述晶粒。接著，對所述晶片W的背面進行背面研磨直至切割點，從而將所述晶片W分割為多個晶粒50。此時，經過切割工藝后，所分割的晶粒50的位置會發生改變，從而所述晶粒50不規則地排列在所述表面保護膜上。然后，將用于固定所分割的晶粒50的固定用膠帶30附著在所述晶片W的背面，然后去除所述表面保護膜。也就是說，若在執行打標工藝前切割晶片W，則所分割的晶粒50的排列狀態會變得不規則。因此，為了在所分割的晶粒50的實際位置上準確地進行激光打標，需要準確地收集所分割的晶粒50的位置信息以進行打標。圖2是用于描述根據本專利技術的實施例的所分割的晶粒的打標方法的流程圖。參照圖2，首先，準備線掃描攝像機(圖3的220)和激光打標機(圖3的230)，然后進行設置以使線掃描攝像機220內的坐標系與所述激光打標機230內的坐標系對齊(步驟101)。所述線掃描攝像機220如在下文中所述收集所分割的晶粒50的位置信息，將由此收集的位置信息輸入所述激光打標機230以執行打標工藝，而作為其前提條件，需要使線掃描攝像機220的坐標系和激光打標機230的坐標系對齊。圖3用于說明使線掃描攝像機220的坐標系與激光打標機230的坐標系對齊的方法。參照圖3，準備具有對應于晶片W的形狀的透明板210，然后使所述線掃描攝像機220位于所述透明板210的上部，且使所述激光打標機230位于所述透明板210的下部。然后，若激光打標機230向透明板210上的預定位置(例如P1)發射激光束，則通過線掃描攝像機識別發射激光束的位置P1的過程，使線掃描攝像機220與激光打標機230的坐標系對齊。因此，在使線掃描攝像機220與激光打標機230的坐標系對齊后，利用線掃描攝像機220獲取所分割的各晶粒50的形狀和位置信息(步驟102)。其中，不規則排列的所有晶粒50的形狀和位置信息如在下文中所述能夠由線掃描攝像機220通過執行多個掃描過程而進行收集。而且，將通過線掃描攝像機220而獲得的晶粒50的位置信息輸入被設置在晶片W的下部的激光打標機230。而且，所述激光打標機230根據由此輸入的位置信息對所分割的各晶粒230進行激光打標操作。其中，所述激光打標機230能夠根據通過所述線掃描攝像機220而獲得的晶粒50的位置信息而在所述晶粒50各自的期望的位置上準確地進行打標。以下，詳細說明根據本專利技術的實施例的利用線掃描攝像機220獲得晶粒的形狀和位置信息的過程。圖4a至圖4c示出線掃描攝像機220對包括被分割后不規則排列的晶粒的晶片W掃描多次的過程。圖4a至圖4c示意性地示出線掃描攝像機220掃描3次的狀態。例如，在晶片W的直徑為300mm時，若使用具有120mm的掃描范圍的線掃描攝像機220，則可以通過約3次掃描而掃描整個晶片。首先，在包括被分割后不規則排列的晶粒的晶片W上設置多個掃描區域，即第一掃描區域S1、第二掃描區域S2和第三掃描區域S3。其中，所述第一掃描區域S1、第二掃描區域S2和第三掃描區域S3可以具有相互重疊的部分。參照圖4a，線掃描攝像機220在沿一定方向移動的同時掃描第一掃描區域S1。所述第一掃描區域S1可以包括晶片W的第一部分(例如，晶片W的頂部)。接著，參照圖4b，所述線掃描攝像機220在沿一定方向移動的同時掃描第二掃描區域S2。所述第二掃描區域S2可以包括晶片W的第二部分(例如，晶片W的中部)。其中，晶片W的第二部分中的一部分與晶片W的第一部分重疊，從而在第一掃描區域S1和第二掃描區域S2之間可以形成第一掃描區域S1和第二掃描區域S2重疊的第一重疊區域S12。然后，參照圖4c，所述線掃描攝像機220在沿一定方向移動的同時掃描第三掃描區域S3。所述第三掃描區域S3可以包括晶片W的第三部分(例如，晶片W的下部)。其中，晶片W的第三部分中的一部分與晶片W的第二部分重疊，從而在第二掃描區域S2和第三掃描區域S3之間可以形本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶粒打標方法，所述晶粒打標方法利用激光打標機對通過晶片切割工藝所分割的多個晶粒進行打標，所述晶粒打標方法包括：在包括所述多個晶粒的所述晶片上設置具有相互重疊的部分的多個掃描區域的步驟；利用線掃描攝像機對所述晶片的多個掃描區域進行多次掃描過程的步驟；收集位于所述多個掃描區域不重疊的區域中的所述多個晶粒各自的位置信息的步驟；通過圖像合成而收集位于所述多個掃描區域重疊的區域中的所述多個晶粒各自的位置信息的步驟；以及利用所述激光打標機對所述位置信息被收集的所有晶粒分別進行打標的步驟。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2014.06.26 KR 10-2014-00791161.一種晶粒打標方法，所述晶粒打標方法利用激光打標機對通過晶片切割工藝所分割的多個晶粒進行打標，所述晶粒打標方法包括：在包括所述多個晶粒的所述晶片上設置具有相互重疊的部分的多個掃描區域的步驟；利用線掃描攝像機對所述晶片的多個掃描區域進行多次掃描過程的步驟；收集位于所述多個掃描區域不重疊的區域中的所述多個晶粒各自的位置信息的步驟；通過圖像合成而收集位于所述多個掃描區域重疊的區域中的所述多個晶粒各自的位置信息的步驟；以及利用所述激光打標機對所述位置信息被收集的所有晶粒分別進行打標的步驟。2.根據權利要求1所述的晶粒打標方法，其中，所述多個晶粒的排列不規則。3.根據權利要求1所述的晶粒打標方法，其中，還包括使所述線掃描攝像機的坐標系和所述激光打標機的坐標系對齊的步驟。4.根據權利要求1所述的晶粒打標方法，其中，獲得位于所述多個掃描區域不重疊的區域中的所述多個晶粒的位置信息的步驟包括：獲得所述多個晶粒的形狀的步驟；以及利用所獲得的所述多個晶粒的形狀收集所述多個晶粒的位置信息的步驟。5.根據權利要求4所述的晶粒打標方法，其中，利用所述線掃描攝像機拍攝所述多個晶粒且通過所拍攝的圖像顯示所述多個晶粒各自的外廓以執行獲得所述多個...

【專利技術屬性】
技術研發人員：金善重，崔載晚，鄭成釩，徐中振，鄭惠至，
申請(專利權)人：EO科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：韓國;KR