用于靜電卡盤的具有凸狀內表面的環形邊緣密封件制造技術

本發明專利技術提供了一種用于靜電卡盤的具有凸狀內表面的環形邊緣密封件。一種邊緣密封件布置在襯底處理系統的靜電卡盤形成的環形溝槽內。邊緣密封件包括環形主體、徑向內表面、徑向外表面、頂表面和底表面。所述徑向內表面是凸起的。所述徑向內表面、頂表面和底表面是大致平坦的。

【技術實現步驟摘要】
相關申請的交叉引用本申請要求于2015年8月10日提交的美國臨時申請No.62/203,118的權益。以上所引用申請的全部公開內容通過引用的方式被并入本文。
本公開涉及襯底處理系統，更具體而言，涉及用在襯底處理系統中的邊緣密封件
技術介紹
這里提供的背景描述是為了一般地呈現本公開的上下文的目的。在此
技術介紹
部分中所描述范圍內，當前指定的專利技術人的工作以及在申請時可能沒有另行界定為現有技術的描述方面既沒有明示也沒有暗示地承認為相對于本公開的現有技術。襯底處理系統包括具有襯底支撐件的處理室。在處理過程中襯底如半導體晶片被布置在襯底支撐件上。在一些系統中，襯底支撐件包括靜電卡盤(ESC)。在諸如蝕刻、化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)或原子層蝕刻(ALE)之類的襯底處理過程中，氣體混合物可被引入到處理室中。射頻(RF)等離子體可在處理過程中用于激活化學反應。位于所述襯底處理系統內的部件需要能夠耐受在處理過程中使用的等離子體和/或氣體化學物質。ESC可包括保護被用于將加熱器板粘接到ESC的陶瓷頂板的粘接層的邊緣密封件。當不加以保護時，所述粘接層被損壞且發生顆粒污染。如果粘接層被嚴重侵蝕的話，ESC可能會永久損壞。
技術實現思路
一種用于襯底處理系統的靜電卡盤的邊緣密封件包括環形主體、徑向內表面、徑向外表面、頂表面和底表面。所述徑向內表面是凸狀的。在其它特征中，在所述徑向內表面、所述徑向外表面、所述頂表面和所述底表面之間的角部是成圓角的。在所述頂表面和所述徑向外表面之間的第一角部與所述底表面和所述徑向外表面之間的第二角部之間，所述主體的徑向外表面是大致平坦的。在其它特征中，在所述頂表面和所述徑向內表面之間的第三角部與所述頂表面和所述徑向外表面之間的第一角部之間，所述主體的頂表面是大致平坦的。在所述底表面和所述徑向內表面之間的所述第四角部與所述底表面和所述徑向外表面之間的第二角部之間，所述主體的底表面是大致平坦的。在所述頂表面和所述徑向內表面之間的所述第三角部與所述底表面和所述徑向內表面之間的所述第四角部之間，所述主體的徑向內表面是凸狀的。在其它特征中，在所述主體的中心處的所述主體的徑向厚度比鄰近于所述頂表面和所述底表面的所述主體的徑向厚度大10％至30％。在所述主體的中心處的所述主體的徑向厚度比鄰近于所述頂表面和所述底表面的所述主體的徑向厚度大15％至25％。在所述主體的中心處的所述主體的徑向厚度比鄰近于所述頂表面和所述底表面的所述主體的徑向厚度大20％至24％。一種靜電卡盤包括上層、中間層、下層、配置在所述上層和所述中間層之間的第一粘接層和配置在所述中間層和所述下層之間的第二粘接層。所述中間層和所述第一粘接層和所述第二粘接層的徑向外邊緣相對于所述上層和所述下層形成環形槽。邊緣密封件配置在所述環形槽中。在其它特征中，所述上層包括陶瓷層，所述中間層包括加熱器板，所述下層包括下部電極。所述第一粘接層和所述第二粘接層包括有機硅彈性體。所述第一粘接層和所述第二粘接層包括硅橡膠。一種襯底處理系統包括處理室、輸送處理氣體到所述處理室的氣體輸送系統、在所述處理室中生成等離子體的等離子體發生器、和所述靜電卡盤。本公開的應用的其它方面將根據詳細描述、權利要求和附圖變得更加明顯。詳細描述和具體實施例旨在僅用于說明的目的，并不旨在限制本公開的范圍。具體而言，本專利技術的一些方面可以描述如下:1.一種靜電卡盤，其包括：上層；中間層；下層；第一粘接層，其配置在所述上層和所述中間層之間；第二粘接層，其配置在所述中間層和所述下層之間，其中所述中間層和所述第一粘接層和所述第二粘接層的徑向外邊緣相對于所述上層和所述下層形成環形槽；以及配置在所述環形槽內的邊緣密封件，其中所述邊緣密封件包括包含徑向內表面、徑向外表面、頂表面和底表面的環形主體，并且其中所述徑向內表面為凸狀。2.根據條款1所述的邊緣密封件，其中在所述徑向內表面、所述徑向外表面、所述頂表面和所述底表面之間的角部是成圓角的。3.根據條款1所述的邊緣密封件，其中：在所述頂表面和所述徑向外表面之間的第一角部與所述底表面和所述徑向外表面之間的第二角部之間，所述主體的徑向外表面是大致平坦的；在所述頂表面和所述徑向內表面之間的第三角部與所述頂表面和所述徑向外表面之間的第四角部之間，所述主體的頂表面是大致平坦的；在所述底表面和所述徑向內表面之間的第四角部與所述底表面和所述徑向外表面之間的第二角部之間，所述主體的底表面是大致平坦的；并且在所述頂表面和所述徑向內表面之間的所述第三角部與所述底表面和所述徑向內表面之間的所述第一角部之間，所述主體的徑向內表面是凸狀的。4.根據條款1所述的邊緣密封件，其中所述主體的在所述主體的中心處的徑向厚度比所述主體的鄰近于所述頂表面和所述底表面的徑向厚度大10％至30％。5.根據條款1所述的邊緣密封件，其中所述主體的在所述主體的中心處的徑向厚度比所述主體的鄰近于所述頂表面和所述底表面的徑向厚度大15％至25％。6.根據條款1所述的邊緣密封件，其中所述主體的在所述主體的中心處的徑向厚度比所述主體的鄰近于所述頂表面和所述底表面的徑向厚度大20％至24％。7.根據條款1所述的靜電卡盤，其中所述上層包括陶瓷層，所述中間層包括加熱器板，并且所述下層包括下部電極。8.根據條款7所述的靜電卡盤，其中所述第一粘接層和所述第二粘接層包括有機硅彈性體。9.根據條款7所述的靜電卡盤，其中所述第一粘接層和所述第二粘接層包括硅橡膠。10.一種襯底處理系統，其包括：處理室；輸送處理氣體到所述處理室的氣體輸送系統；在所述處理室中生成等離子體的等離子體發生器；以及根據條款1所述的靜電卡盤。11.一種用于襯底處理系統的靜電卡盤的邊緣密封件，所述邊緣密封件包括：環形主體；所述主體的徑向內表面，其中所述徑向內表面是凸狀的；所述主體的徑向外表面，其中，在所述頂表面和所述徑向外表面之間的第一角部與所述底表面和所述徑向外表面之間的第二角部之間，所述主體的所述徑向外表面是大致平坦的；所述主體的頂表面；以及所述主體的底表面。12.根據條款11所述的邊緣密封件，其中在所述徑向內表面、所述徑向外表面、所述頂表面和所述底表面之間的角部是成圓角的。13.根據條款11所述的邊緣密封件，其中：在所述頂表面和所述徑向內表面之間的第三角部與所述頂表面和所述徑向外表面之間的第四角部之間，所述主體的頂表面是大致平坦的；在所述底表面和所述徑向內表面之間的第四角部與所述底表面和所述徑向外表面之間的第二角部之間，所述主體的底表面是大致平坦的；并且在所述頂表面和所述徑向內表面之間的所述第三角部與所述底表面和所述徑向內表面之間的所述第四角部之間，所述主體的徑向內表面是凸狀的。14.根據條款11所述的邊緣密封件，其中所述主體的在所述主體的中心處的徑向厚度比所述主體的鄰近于所述頂表面和所述底表面的徑向厚度大10％至30％。15.根據條款11所述的邊緣密封件，其中所述主體的在所述主體的中心處的徑向厚度比所述主體的鄰近于所述頂表面和所述底表面的徑向厚度大15％至25％。16.根據條款11所述的邊緣密封件，其中所述主體的在所述主體的中心處的徑向厚度比所述主體的鄰近于所述頂表面和所述底表面的徑向厚度大20％至24％。17.一種靜電卡盤，其包括本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種靜電卡盤，其包括：上層；中間層；下層；第一粘接層，其配置在所述上層和所述中間層之間；第二粘接層，其配置在所述中間層和所述下層之間，其中所述中間層和所述第一粘接層和所述第二粘接層的徑向外邊緣相對于所述上層和所述下層形成環形槽；以及配置在所述環形槽內的邊緣密封件，其中所述邊緣密封件包括包含徑向內表面、徑向外表面、頂表面和底表面的環形主體，并且其中所述徑向內表面為凸狀。

【技術特征摘要】
2015.08.10 US 62/203,118;2015.08.26 US 14/836,2021.一種靜電卡盤，其包括：上層；中間層；下層；第一粘接層，其配置在所述上層和所述中間層之間；第二粘接層，其配置在所述中間層和所述下層之間，其中所述中間層和所述第一粘接層和所述第二粘接層的徑向外邊緣相對于所述上層和所述下層形成環形槽；以及配置在所述環形槽內的邊緣密封件，其中所述邊緣密封件包括包含徑向內表面、徑向外表面、頂表面和底表面的環形主體，并且其中所述徑向內表面為凸狀。2.根據權利要求1所述的邊緣密封件，其中在所述徑向內表面、所述徑向外表面、所述頂表面和所述底表面之間的角部是成圓角的。3.根據權利要求1所述的邊緣密封件，其中：在所述頂表面和所述徑向外表面之間的第一角部與所述底表面和所述徑向外表面之間的第二角部之間，所述主體的徑向外表面是大致平坦的；在所述頂表面和所述徑向內表面之間的第三角部與所述頂表面和所述徑向外表面之間的第四角部之間，所述主體的頂表面是大致平坦的；在所述底表面和所述徑向內表面之間的第四角部與所述底表面和所述徑向外表面之間的第二角部之間，所述主體的底表面是大致平坦的；并且在所述頂表面和所述徑向內表面之間的所述第三角部與所述底表面和所述徑向內表面之間的所述第一角部之間，所述主體的徑向內表面是凸狀的。4.一種襯底處理系統，其包括：處理室；輸送處理氣體到所述處理...

【專利技術屬性】
技術研發人員：馬修·邁克爾·李，
申請(專利權)人：朗姆研究公司，
類型：發明
國別省市：美國;US