切割片制造技術

本發明專利技術為一種切割片，所述切割片(1)具備：基材(2)、疊層于基材(2)的第1面側的粘合劑層(3)和疊層于粘合劑層(3)的與基材(2)相反面側的剝離片(6)，其中，基材(2)的第2面的算術平均粗糙度(Ra1)為0.2μm以上，在將切割片(1)在130℃下加熱2小時后，基材(2)的第2面的算術平均粗糙度(Ra2)為0.25μm以下。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及半導體晶片等工件的切割，特別是涉及可以用于隱形切割(StealthDicing)的切割片。本申請主張2014年6月10日在日本申請的日本特愿2014-120034號的優先權，在此引用了其內容。
技術介紹
在從半導體晶片等工件制造包含半導體芯片等片狀體的加工物時，以往通常一邊以對工件清洗等為目的而噴吹液體，一邊進行用旋轉刀具切斷工件而得到片狀體的切片刀切割加工。但是，近年來采用了能夠用干法分割成片狀體的隱形切割(StealthDicing)(注冊商標；以下相同)加工(專利文獻1)。例如，在專利文獻2中公開了一種隱形切割法，該方法包括：將疊層粘合片(疊層了2層由基材和粘合劑層構成的粘合片而形成的片材)粘貼于極薄的半導體晶片，從疊層粘合片側隔著該疊層粘合片對半導體晶片照射激光，在半導體晶片的內部形成改性部，然后對粘合片進行擴片(expand)，由此沿切割線分割半導體晶片，生產半導體芯片。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本專利第3762409號公報專利文獻2：日本特開2007-123404號公報
技術實現思路
專利技術所要解決的課題如上所述，在對工件照射激光時，激光需要透過粘合片到達工件，因此要求粘合片具有激光透射性。但是，在切割片的粘合劑層的與基材相反側，為了保護上述粘合劑層而多數疊層剝離片。以膜卷狀態送出上述切割片時，卷成卷狀的切割片中基材的與粘合劑層相反側的面和剝離片的與粘合劑層相反側的面密合而發生粘連，會發生由膜卷的送出不良，或者基材被轉移至卷成卷狀的剝離片上，有時無法進行工件的粘貼。本專利技術是鑒于上述實際情況而完成的，其目的在于提供一種切割片，所述切割片能夠在從卷成卷狀的狀態送出切割片時抑制粘連的發生，且在激光照射時激光透射性優異。用于解決課題的方案為了實現上述目的，第1，本專利技術提供一種切割片(專利技術1)，其具備：基材、疊層于所述基材的第1面側的粘合劑層、以及疊層于所述粘合劑層的與所述基材相反面側的剝離片，其中，所述基材的第2面的算術平均粗糙度(Ra1)為0.2μm以上，在將所述切割片在130℃下加熱2小時后，所述基材的第2面的算術平均粗糙度(Ra2)為0.25μm以下。需要說明的是，在本說明書中，“片”包含例如長條膠帶等概念。根據上述專利技術(專利技術1)，在將切割片卷成卷狀時，基材的第2面和與所述基材的第2面接觸的剝離片不易密合，在送出卷成卷狀的切割片時，不易發生粘連。另外，在對切割片加熱后從基材的第2面側照射激光時，激光不會因基材的第2面的凹凸發生散射，從而透過切割片高效地到達工件(半導體晶片)，激光透射性優異。在上述專利技術(專利技術1)中，優選所述基材的第2面的所述加熱后的算術平均粗糙度(Ra2)小于所述算術平均粗糙度(Ra1)(專利技術2)。在上述專利技術(專利技術1、2)中，優選所述基材的熔點為90～180℃(專利技術3)。在上述專利技術(專利技術1～3)中，優選所述基材在130℃下的儲能模量為1～100MPa(專利技術4)。在上述專利技術(專利技術1～4)中，優選所述基材在所述加熱后對波長1064nm的光線透射率為40％以上(專利技術5)。在上述專利技術(專利技術1～5)中，優選所述基材是由乙烯和丙烯的共聚物構成的膜(專利技術6)。在上述專利技術(專利技術1～6)中，優選所述切割片具備夾具用粘合劑層，所述夾具用粘合劑層疊層于所述粘合劑層的與所述基材側相反側的邊緣部(專利技術7)。專利技術的效果根據本專利技術的切割片，可以抑制從卷成卷狀的狀態將所述切割片送出時的粘連的產生，在激光照射時激光透射性優異。附圖說明圖1是本專利技術的一個實施方式的切割片的剖面圖。圖2是示出本專利技術的一個實施方式的切割片的使用例的剖面圖，具體而言是示出疊層結構體的剖面圖。圖3是本專利技術的其它實施方式的切割片的剖面圖。圖4是實施例中制作的切割片的俯視圖。符號說明1、1A…切割片2…基材3…粘合劑層401…圓形402…圓弧403…直線5…夾具用粘合劑層6…剝離片7…半導體晶片8…環狀框具體實施方式以下，對本專利技術的實施方式進行說明。圖1是本專利技術的一個實施方式的切割片的剖面圖。如圖1所示，本實施方式的切割片1具備基材2、疊層于基材2的第1面側(圖1中的上側)的粘合劑層3和疊層于粘合劑層3上的剝離片6而構成。剝離片6在使用切割片1時被剝離除去，在此之前保護粘合劑層3。這里，將基材2中的粘合劑層3側的面稱為“第1面”，將其相反側的面(圖1中的下面)稱為“第2面”。作為一個例子，本實施方式的切割片1用于在對作為工件的半導體晶片進行切割加工時保持半導體晶片，但并不限定于此。本實施方式的切割片1通常形成長條并卷成卷狀，以輥對輥(rolltoroll)方式使用。1.基材基材2的第2面(以下，有時稱為“基材2的背面”。)的算術平均粗糙度(Ra1)為0.2μm以上。將切割片1在130℃下加熱2小時再冷卻至室溫后(以下有時簡稱為“加熱后”)，基材2的背面的算術平均粗糙度(Ra2)為0.25μm以下。需要說明的是，基材2的背面的算術平均粗糙度(Ra1)是在130℃下加熱2小時前基材2的背面的算術平均粗糙度，以下有時稱為“加熱前的算術平均粗糙度(Ra1)”。該加熱前的算術平均粗糙度(Ra1)及加熱后的算術平均粗糙度(Ra2)是基于JISB0601：2001而測定的，測定方法的詳細如后面敘述的試驗例所示。需要說明的是，送出卷成卷狀的切割片1時為加熱前，隱形切割的激光照射在加熱后進行。由于基材2的背面的加熱前的算術平均粗糙度(Ra1)為0.2μm以上，因此基材2的背面和剝離片6的與粘合劑層3相反側的面不易密合。由此，在送出卷成卷狀的切割片1時，不易發生粘連。因此，可以抑制由粘連導致發生送出不良的情況、基材2轉移至卷成卷狀的剝離片6而無法粘貼工件的情況。從上述觀點考慮，基材2的背面在加熱前的算術平均粗糙度(Ra1)優選為0.25μm以上，特別優選為0.30μm以上。這里，作為基材2的背面在加熱前的算術平均粗糙度(Ra1)的上限，優選為1.0μm以下，特別優選為0.8μm以下，進一步優選為0.7μm以下。加熱前的算術平均粗糙度(Ra1)超過1.0μm時，存在難以滿足上述加熱后的算術平均粗糙度(Ra2)的隱患。即，基材41的背面在加熱前的算術平均粗糙度(Ra1)優選為0.25～1.0μm的范圍，更優選為0.30～0.7μm的范圍。另一方面，基材2的背面在上述條件下加熱后的算術平均粗糙度(Ra2)為0.25μm以下的情況下，在切割片1加熱后從基材2的背面側照射激光時，激光透過切割片1而不會因基材2的背面的凹凸發生散射，從而可高效地到達工件(半導體晶片)，激光透射性優異。因此，利用隱形切割進行的工件分割性優異。從上述觀點考慮，基材2的背面在加熱后的算術平均粗糙度(Ra2)優選為0.20μm以下，特別優選為0.10μm以下。這里，作為基材2的背面在加熱后的算術平均粗糙度(Ra2)的下限，只要能夠滿足加熱前的算術平均粗糙度(Ra1)即可，沒有特別限制。但通常為0.001μm以上，優選為0.01μm以上。即，基材41的背面在加熱后的算術平均粗糙度(Ra2)優選為0.001～0.20μm的范圍，更優選為0.01～0.10μm的范圍。另外，在基材2中，優選基材2的背面在上述條件下加熱后的算術平均粗糙度(Ra2)小于加熱前的算術平均粗糙度(Ra本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種切割片，其具備：基材、疊層于所述基材的第1面側的粘合劑層、以及疊層于所述粘合劑層的與所述基材相反面側的剝離片，其中，所述基材的第2面的算術平均粗糙度(Ra1)為0.2μm以上，在將所述切割片在130℃下加熱2小時后，所述基材的第2面的算術平均粗糙度(Ra2)為0.25μm以下。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2014.06.10 JP 2014-1200341.一種切割片，其具備：基材、疊層于所述基材的第1面側的粘合劑層、以及疊層于所述粘合劑層的與所述基材相反面側的剝離片，其中，所述基材的第2面的算術平均粗糙度(Ra1)為0.2μm以上，在將所述切割片在130℃下加熱2小時后，所述基材的第2面的算術平均粗糙度(Ra2)為0.25μm以下。2.根據權利要求1所述的切割片，其中，所述基材的第2面的所述加熱后的算術平均粗糙度(Ra2)小于所述算術平均粗糙度(Ra1)。3...

【專利技術屬性】
技術研發人員：佐伯尚哉，山本大輔，米山裕之，稻男洋一，
申請(專利權)人：琳得科株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP