獲得包含耐受高溫處理的銀?基功能層的材料的方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及獲得包含涂有薄層疊層的透明基底的材料的方法，所述薄層疊層包含至少一個位于至少一個抗反射涂層上方的銀?基功能金屬層，涂有該疊層的透明基底意在經(jīng)歷在高于400℃的溫度Tmax下的熱處理，該抗反射涂層包含至少一個易于產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層，該方法包含以下步驟的序列：在該透明基底上沉積包含至少一個易于產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層的抗反射涂層，隨后對易于產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層施以熱預(yù)處理，隨后沉積所述至少一個銀?基功能金屬層。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】本專利技術(shù)涉及獲得諸如窗玻璃的材料的方法，所述材料包含涂覆有薄層的疊層的透明基底，所述薄層的疊層包含至少一個銀-基功能金屬層。該材料意在經(jīng)受高溫?zé)崽幚怼ｃy-基功能金屬層（或銀層）具有導(dǎo)電和反射紅外（IR）射線的有利性質(zhì)，因此它們用于“太陽能控制”窗玻璃，旨在減少入射太陽能的量，和/或用于“低e”窗玻璃，旨在減少向建筑或車輛外部消散的能量的量。這些銀層沉積在抗反射涂層之間，所述抗反射涂層通常包含多個介電層，以便能夠調(diào)節(jié)該疊層的光學(xué)性質(zhì)。此外，這些介電層能夠保護該銀層免受化學(xué)或機械侵襲。該材料的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)直接取決于銀層的質(zhì)量，如它們的晶體狀態(tài)、它們的均勻性以及它們的環(huán)境，如位于銀層上方和下方的層的性質(zhì)。本專利技術(shù)非常特別涉及經(jīng)受高溫?zé)崽幚砣缤嘶稹澢?或回火的材料。該高溫?zé)崽幚砜梢栽阢y層中造成變化，特別是產(chǎn)生缺陷。這些缺陷的一部分以孔形式存在。“孔”類型的缺陷對應(yīng)于缺乏呈現(xiàn)圓形或樹枝狀形式的銀的區(qū)域的外觀，也就是說銀層的部分去濕（démouillage）。缺陷的存在產(chǎn)生光散射現(xiàn)象，這在視覺上反映為稱作“霧”的光暈的外觀，通常在強光下可見。該霧對應(yīng)于以大于2.5°的角度散射的透射光的量。這些缺陷的存在似乎還導(dǎo)致導(dǎo)電性和機械強度的降低，以及更容易出現(xiàn)腐蝕點。這些腐蝕點通常甚至在正常光下也可見。形成這些缺陷的原因和機理仍然知之甚少。孔類型的缺陷的出現(xiàn)似乎強烈依賴于構(gòu)成位于銀層上方和下方的抗反射涂層的介電層的性質(zhì)。該疊層中特定介電材料，特別是特定氧化物的存在提高了特定缺陷的形成。本專利技術(shù)的目的是開發(fā)獲得包含涂有疊層的基底的材料的方法，所述材料可以經(jīng)受彎曲、回火和/或退火類型的高溫?zé)崽幚恚瑫r保持良好的光學(xué)、機械和耐腐蝕性質(zhì)。申請人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在抗反射涂層中，特別是位于銀層下方的抗反射涂層中存在基于氧化鈦（TiO2）、基于氧化鈮（Nb2O5）或基于氧化錫（SnO2）的層在高溫?zé)崽幚磉^程中促進了銀層中孔類型缺陷的形成。事實上，由于它們的高折射率，這些材料是光學(xué)上有利的材料。申請人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在沉積銀層前，在能產(chǎn)生孔類型缺陷的層上進行熱預(yù)處理能夠防止這些孔在該完整疊層的熱處理過程中出現(xiàn)。本專利技術(shù)涉及獲得包含涂有薄層疊層的透明基底的材料的方法，所述薄層疊層包含至少一個位于至少一個抗反射涂層上方的銀-基功能金屬層，涂有該疊層的透明基底意在經(jīng)歷在高于400℃的溫度Tmax下的熱處理，該抗反射涂層包含至少一個能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層，該方法包含以下步驟的序列：-在該透明基底上沉積包含至少一個能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層的抗反射涂層，隨后-對能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層施以熱預(yù)處理，隨后-沉積所述至少一個銀-基功能金屬層。本專利技術(shù)的方法能夠獲得有利的性質(zhì)，盡管在該疊層中存在能產(chǎn)生孔類型缺陷的薄層。最大溫度Tmax對應(yīng)于在對涂有該疊層的透明基底施加的熱處理過程中所實現(xiàn)的最高溫度。能產(chǎn)生孔類型缺陷的層的預(yù)處理在對涂有該疊層的基底施以熱處理時能夠顯著防止去濕和在銀層中出現(xiàn)樹枝狀孔類型缺陷。該疊層通過陰極濺射，特別是通過磁場輔助（磁控管法）來沉積。該疊層的各個層均可以通過陰極濺射來沉積。除非另行說明，本文中提及的厚度是物理厚度。薄層理解為是指表現(xiàn)出0.1納米至100微米的厚度的層。在本說明書通篇中，本專利技術(shù)的基底被認為是水平定位的。薄層的疊層在基底上方沉積。表述“上方”和“下方”與“下部”和“上部”的含義應(yīng)相對該取向來考慮。除非具體規(guī)定，表述“上方”和“下方”不一定意味著兩個層和/或涂層彼此接觸定位。當(dāng)規(guī)定層與另一層或與涂層接觸沉積時，這意味著在這兩個層之間不存在一個或多個插入的層。能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層選自基于氧化鈦（TiO2）、基于氧化鈮（Nb2O5）和基于氧化錫（SnO2）的層。能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層通過陰極濺射沉積。能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層就有大于5納米、優(yōu)選8至20納米的厚度。當(dāng)能產(chǎn)生孔類型缺陷的薄層足夠接近該銀-基功能層以誘導(dǎo)缺陷時，按照本專利技術(shù)提供的解決方案是合適的。這是因為，在包含具有特定數(shù)量的介電層的抗反射涂層的復(fù)雜疊層的情況下，當(dāng)能產(chǎn)生孔類型缺陷的層通過大厚度的一個或多個不易產(chǎn)生缺陷或能產(chǎn)生穹頂（d?me）型缺陷的層與銀-基功能層分離時，降低甚至廢除了產(chǎn)生孔類型缺陷的能力。該抗反射涂層的能產(chǎn)生孔類型缺陷的薄層通過一個或多個層與該功能層分離，插在能產(chǎn)生孔類型缺陷的層與功能層之間的所有層的厚度為最多20納米，優(yōu)選最多15納米。能產(chǎn)生孔類型缺陷的薄層在沉積銀-基功能金屬層前的熱預(yù)處理可以通過任何加熱過程來進行。該預(yù)處理可以通過將該基底放置在爐或烘箱中或通過對該基底施以輻射來進行。該熱預(yù)處理有利地通過對涂有待處理的層的基底施以輻射，優(yōu)選以至少一條激光線形式聚焦在所述層上的激光輻射來進行。該熱預(yù)處理可以通過提供能夠使能產(chǎn)生孔類型缺陷的薄層的每一點達到優(yōu)選至少300℃、特別是350℃、實際上甚至400℃和甚至500℃或600℃的溫度的能量來進行。對該涂層的每個點施以所述熱預(yù)處理小于或等于1秒、實際上甚至0.5秒和有利地在0.05至10毫秒、特別是0.1至5毫秒或0.1至2毫秒范圍內(nèi)的時間。該輻射的波長優(yōu)選為500至2000納米，特別是700至1100納米，實際上甚至800至1000納米。在選自808納米、880納米、915納米、940納米或980納米的一種或多種波長下發(fā)射的大功率激光二極管已經(jīng)證實是特別適合的。熱預(yù)處理還可以通過對該基底施以來自常規(guī)加熱設(shè)備如紅外燈的紅外輻射來進行。能產(chǎn)生孔類型缺陷的薄層可以由包含意在形成所述層的元素的金屬或陶瓷靶沉積。這些層可以在氧化氣氛或非氧化氣氛（即并未有意引入氧）中，優(yōu)選在優(yōu)選由稀有氣體（He、Ne、Xe、Ar或Kr）組成的氧化氣氛中沉積。當(dāng)能產(chǎn)生孔類型缺陷的薄層是基于氧化鈦的層時，該層可以以TiO2形式完全氧化，或部分亞氧化（suboxidized）。還可以任選例如用鋯摻雜該層。當(dāng)其為部分亞氧化時，其由此不以化學(xué)計量形式沉積，而是以TiOx類型的亞化學(xué)計量形式沉積，其中x是不同于氧化鈦TiO2的化學(xué)計量的數(shù)值，也就是說不同于2且優(yōu)選小于2，特別是該氧化物的正常化學(xué)計量的0.75倍至0.99倍。TiOx特別可以使得1.5<x<1.98或1.5<x<1.7，實際上甚至1.7<x<1.95。該氧化鈦層可以由陶瓷靶或由鈦金屬鈀沉積。該氧化鈮層可以由Nb2O5陶瓷靶或由鈮金屬靶沉積。該氧化錫層可以由SnO2陶瓷靶或由錫金屬靶沉積。以越來越優(yōu)選的次序，該銀-基功能層的厚度為5至20納米、8至15納米。該銀-基功能金屬層可以與阻擋層接觸。阻擋底層對應(yīng)于位于功能層下方的阻擋層，其位置相對于該基底定義。在基底的相對一側(cè)上位于功能層上的阻擋層稱為阻擋覆層。該阻擋層選自基于NiCr、NiCrN、NiCrOx、NiO或NbN的層。各阻擋層的厚度為至少0.5納米和最多4.0納米。該疊層包含至少兩個抗反射涂層，各抗反射涂層包含至少一個介電層，使得各功能金屬層位于兩個抗反射涂層之間。該方法附加地包括由此在銀-基功能金屬層上沉積抗反射涂層的步驟。該抗反射涂層可以包含具有阻擋功能的介電層和/或具有穩(wěn)定功能的介電層。該抗反射涂層的介電層可以選自一種或多種元素的氧化物或氮化物，所述元本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
獲得包含涂有薄層疊層的透明基底的材料的方法，所述薄層疊層包含至少一個位于至少一個抗反射涂層上方的銀?基功能金屬層，涂有所述疊層的透明基底意在施以在高于400℃的溫度Tmax的熱處理，該抗反射涂層包含至少一個能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層，該方法包含以下步驟的序列：?在該透明基底上沉積包含至少一個能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層的抗反射涂層，能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層通過陰極濺射沉積，隨后?對能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層施以熱預(yù)處理，隨后?沉積所述至少一個銀?基功能金屬層。

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2014.05.28 FR 14548701.獲得包含涂有薄層疊層的透明基底的材料的方法，所述薄層疊層包含至少一個位于至少一個抗反射涂層上方的銀-基功能金屬層，涂有所述疊層的透明基底意在施以在高于400℃的溫度Tmax的熱處理，該抗反射涂層包含至少一個能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層，該方法包含以下步驟的序列：-在該透明基底上沉積包含至少一個能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層的抗反射涂層，能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層通過陰極濺射沉積，隨后-對能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層施以熱預(yù)處理，隨后-沉積所述至少一個銀-基功能金屬層。2.如權(quán)利要求1中所要求保護的方法，使得所述基底由玻璃制成，特別是由鈉鈣硅玻璃制成。3.如前述權(quán)利要求之一中所要求保護的方法，使得能產(chǎn)生孔類型缺陷的介電層選自基于氧化鈦、基于氧化鈮和基于氧化錫的層。4.如前述權(quán)利要求任一項中所要求保護的方法，使得所述疊層包含至少兩個抗反射涂層，各抗反射涂層包含至少一個介電層，使得各功能金屬層位于兩個抗反射涂層之間；所述方法包括由此在所述銀-基功能金屬層上方沉積抗反射涂層的步驟。5.如前述權(quán)利要求任一項中所要求保護的方法，使得涂有所述疊層的基底施以在高于450℃、優(yōu)選500℃的溫度Tmax的熱處理。6.如前述權(quán)利要求中所要求保護的方法，使得所述熱處理是退火、彎曲和/或回火。7.如前述權(quán)利要求之一中所要求保護的方法，使得所述熱預(yù)處理通過提供能夠使所述層的每個點達到高于或...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：S布羅薩爾，
申請(專利權(quán))人：法國圣戈班玻璃廠，
類型：發(fā)明
國別省市：法國;FR