一種配電柜的框架結構制造技術

本發明專利技術涉及一種配電柜的框架結構，通過對框架結構的層狀結構以及其中具體層的組成進行了具體限定，在保證成本的情況下，提高了輕質化程度，保證了強度，從而提高了整體配電柜的使用年限。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術屬于合金領域和電力設備領域，具體涉及一種配電柜的框架結構。
技術介紹
目前的配電柜由于其使用環境比較特殊，因此其強度、耐腐蝕性、輕質化都需要很高的要求。目前一些的研究關注于配電柜內部部件的改善，對于配電柜外殼和內部主體框架結構沒有太多的研究，即使有也僅僅是對現有已知材質的合理選用后對表面進行拉絲電鍍等等的處理來保證其表面性能。但是如果要提高強度常規都是采用鋼來作為主體框架和外殼，但是由于鋼的比重較大，因此又會損失輕質化，從而難以兩全。
技術實現思路
本專利技術通過提出一種配電柜的框架結構。具體通過如下技術手段實現：一種配電柜的框架結構，所述框架結構包括多根橫梁和多根縱梁，所述多根橫梁和多根縱梁相互插接后焊接形成配電柜的內部框架，所述多根橫梁和所述多根縱梁的橫切面設置為三角形大空腔且內部設置加強梁的結構，所述三角形大空腔結構由5~8mm厚復合不銹鋼板構成，所述內部的加強梁采用所述復合不銹鋼板設置在三角形大空腔內部。所述復合不銹鋼板包括不銹鋼基板和包覆于不銹鋼基板之上的高分子合成記憶橡膠層。所述高分子合成記憶橡膠層由以下質量百分比的原料制成：丁基橡膠（或氯化丁基橡膠）：21~29%，增粘樹脂（古馬隆樹脂）：16~19%，軟化劑（低分子聚異丁烯）：38~51%，防老抗氧劑：1~2%，填料（稀土和納米碳酸鈣的混合料）：6~8%。所述不銹鋼基板按質量百分比計為：C：0.08~0.12%，Si：0.5~0.8%，Mn:0.9~1.5%，Ti：0.05~0.10%，Ni：0.3~0.5%，V：0.05~0.08%，Al：0.05~0.1%，Cr：1.0~1.8%，Mo：1.1~1.6%，Nb：0.05~0.08%，Cu：0.2~0.5%，N：0.005~0.008%，B：0.002~0.0035%，RE：0.01~0.02%，P<0.02%，S<0.01%，余量為Fe和不可避免的雜質。所述不銹鋼基板的微觀結構中TiC相的平均粒徑為1.1~1.6μm，TiN相的平均粒徑為0.8~1.0μm，且在所述三角形大空腔結構的折彎處TiC相和TiN相平均粒徑是非折彎處（平板處）的0.6~0.9倍。所述復合不銹鋼板先將不銹鋼基板經過多道彎曲滾軋而成型為三角形大空腔，然后在其中焊接所述內部的加強梁，然后在其外部一體成型所述的高分子合成記憶橡膠層，從而成型復合不銹鋼板結構的內部設置有加強梁的三角形大空腔結構。作為優選，所述防老抗氧劑為雙（2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基）葵二酸酯和β-（3,5-二叔丁基-4-羥基苯基）丙酸正十八碳酸酯。作為優選，所述不銹鋼基板在成型為三角形大空腔后，進行如下熱處理步驟：1）將成型后的半成品置入到電阻爐內加熱到980~1080℃，保溫50~80min，然后出爐快速水冷到室溫。2）將步驟1）處理后的半成品置入回火爐中加熱至550~580℃，保溫1~1.5h后隨爐冷卻至室溫。3）將步驟2）高溫回火之后的半成品置入到回火爐中加熱至180~220℃，保溫20~50min后出爐空冷至室溫。作為優選，步驟3）之后還進行如下步驟：4）將步驟3）處理之后的產品置入到深冷箱中降溫至-90~-110℃，保持該溫度20~30min后出深冷箱恢復至室溫。5）將步驟4）處理之后的產品置入回火爐中加熱至180~220℃，保溫20~50min后出爐空冷至室溫。作為優選，步驟1）中所述出爐快速水冷的具體步驟為先對三角形大空腔結構的折彎處進行噴水冷卻，噴水5~12min后再整體噴水冷卻。本專利技術的效果在于：1，通過設置三角形大空腔同時內部設置加強梁的形狀，使得配電柜框架結構保持高強度的情況下還保持了輕質化，使得配電柜整體重量減輕了，從而可以更好的進行移動操作。2，通過對三角形大空腔以及加強梁材質的層狀結構進行具體限定，內部設置高強度不銹鋼，外部一體成型包裹高分子混合橡膠，整體保證了框架結構的強度。由于設置成了內部中空的結構，因此如果使用常規的不銹鋼，則會造成橫向的強度短板，容易使得框架結構在橫向操作時產生折彎的情況，通過設置內部高強度不銹鋼，外部一體成型包裹高分子混合橡膠這樣的結構保證了強度，并且外部能夠起到緩沖的效果，達到了空心結構的內強外柔的效果。3，通過對中心的高強度不銹鋼基板的組分含量、具體不同的微觀結構以及熱處理方式進行改進，使得在不同部位強度不同，從而可以更好的適應本專利技術具體的三角形大空腔具體結構。附圖說明圖1為本專利技術配電柜的框架結構的結構示意圖。圖2為本專利技術三角形大空腔結構橫切面的結構示意圖（圖1圓圈處的橫切放大圖）。圖3為本專利技術復合不銹鋼板的層狀結構示意圖。其中：1-橫梁，2-縱梁，3-三角形大空腔，31-折彎處，32非折彎處，33-加強梁，34-高分子合成記憶橡膠層，35-不銹鋼基板。具體實施方式實施例1一種配電柜的框架結構，所述框架結構包括多根橫梁和多根縱梁，所述多根橫梁和多根縱梁相互插接后焊接形成配電柜的內部框架，所述多根橫梁和所述多根縱梁的橫切面設置為三角形大空腔且內部設置加強梁的結構，所述三角形大空腔結構由6mm厚復合不銹鋼板構成，所述內部的加強梁采用所述復合不銹鋼板設置在三角形大空腔內部。所述復合不銹鋼板包括不銹鋼基板和包覆于不銹鋼基板之上的高分子合成記憶橡膠層。所述高分子合成記憶橡膠層由以下質量百分比的原料制成：丁基橡膠：23%，古馬隆樹脂：18%，低分子聚異丁烯：50%，雙（2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基）葵二酸酯和β-（3,5-二叔丁基-4-羥基苯基）丙酸正十八碳酸酯：1.5%，稀土和納米碳酸鈣的混合料：7.5%。所述不銹鋼基板按質量百分比計為：C：0.09%，Si：0.6%，Mn:1.1%，Ti：0.06%，Ni：0.32%，V：0.06%，Al：0.06%，Cr：1.2%，Mo：1.3%，Nb：0.06%，Cu：0.3%，N：0.006%，B：0.0028%，RE：0.013%，P：0.002%，S：0.001%，余量為Fe和不可避免的雜質。所述不銹鋼基板的微觀結構中TiC相的平均粒徑為1.3μm，TiN相的平均粒徑為0.9μm，且在所述三角形大空腔結構的折彎處TiC相和TiN相平均粒徑是非折彎處（平板處）的0.8倍。所述復合不銹鋼板先將不銹鋼基板經過多道彎曲滾軋而成型為三角形大空腔，然后在其中焊接所述內部的加強梁，然后在其外部一體成型所述的高分子合成記憶橡膠層，從而成型復合不銹鋼板結構的內部設置有加強梁的三角形大空腔結構。所述不銹鋼基板在成型為三角形大空腔后，進行如下熱處理步驟：1）將成型后的半成品置入到電阻爐內加熱到990℃，保溫60min，然后出爐快速水冷到室溫。出爐快速水冷的具體步驟為先對三角形大空腔結構的折彎處進行噴水冷卻，噴水8min后再整體噴水冷卻。2）將步驟1）處理后的半成品置入回火爐中加熱至560℃，保溫1.2h后隨爐冷卻至室溫。3）將步驟2）高溫回火之后的半成品置入到回火爐中加熱至192℃，保溫35min后出爐空冷至室溫。4）將步驟3）處理之后的產品置入到深冷箱中降溫至-98℃，保持該溫度25min后出深冷箱恢復至室溫。5）將步驟4）處理之后的產品置入回火爐中加熱至190℃，保溫33min后出爐空冷至室溫。經過檢測所述不銹鋼基板的抗拉強度為921M本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種配電柜的框架結構，其特征在于，所述框架結構包括多根橫梁和多根縱梁，所述多根橫梁和多根縱梁相互插接后焊接形成配電柜的內部框架，所述多根橫梁和所述多根縱梁的橫切面設置為三角形大空腔且內部設置加強梁的結構，所述三角形大空腔結構由復合不銹鋼板構成，所述內部的加強梁采用所述復合不銹鋼板設置在三角形大空腔內部；所述復合不銹鋼板包括不銹鋼基板和包覆于不銹鋼基板之上的高分子合成記憶橡膠層；所述高分子合成記憶橡膠層由以下質量百分比的原料制成：丁基橡膠（或氯化丁基橡膠）：21~29%，增粘樹脂（古馬隆樹脂）：16~19%，軟化劑（低分子聚異丁烯）：38~51%，防老抗氧劑：1~2%，填料（稀土和納米碳酸鈣的混合料）：6~8%；所述不銹鋼基板按質量百分比計為：C：0.08~0.12%，Si：0.5~0.8%，Mn:0.9~1.5%，Ti：0.05~0.10%，Ni：0.3~0.5%，V：0.05~0.08%，Al：0.05~0.1%，Cr：1.0~1.8%，Mo：1.1~1.6%，Nb：0.05~0.08%，Cu：0.2~0.5%，N：0.005~0.008%，B：0.002~0.0035%，RE：0.01~0.02%，P<0.02%，S<0.01%，余量為Fe和不可避免的雜質；所述不銹鋼基板的微觀結構中TiC相的平均粒徑為1.1~1.6μm，TiN相的平均粒徑為0.8~1.0μm，且在所述三角形大空腔結構的折彎處TiC相和TiN相平均粒徑是非折彎處（平板處）的0.6~0.9倍；所述復合不銹鋼板先將不銹鋼基板經過多道彎曲滾軋而成型為三角形大空腔，然后在其中焊接所述內部的加強梁，然后在其外部一體成型所述的高分子合成記憶橡膠層，從而成型復合不銹鋼板結構的內部設置有加強梁的三角形大空腔結構。...

【技術特征摘要】
1.一種配電柜的框架結構，其特征在于，所述框架結構包括多根橫梁和多根縱梁，所述多根橫梁和多根縱梁相互插接后焊接形成配電柜的內部框架，所述多根橫梁和所述多根縱梁的橫切面設置為三角形大空腔且內部設置加強梁的結構，所述三角形大空腔結構由復合不銹鋼板構成，所述內部的加強梁采用所述復合不銹鋼板設置在三角形大空腔內部；所述復合不銹鋼板包括不銹鋼基板和包覆于不銹鋼基板之上的高分子合成記憶橡膠層；所述高分子合成記憶橡膠層由以下質量百分比的原料制成：丁基橡膠（或氯化丁基橡膠）：21~29%，增粘樹脂（古馬隆樹脂）：16~19%，軟化劑（低分子聚異丁烯）：38~51%，防老抗氧劑：1~2%，填料（稀土和納米碳酸鈣的混合料）：6~8%；所述不銹鋼基板按質量百分比計為：C：0.08~0.12%，Si：0.5~0.8%，Mn:0.9~1.5%，Ti：0.05~0.10%，Ni：0.3~0.5%，V：0.05~0.08%，Al：0.05~0.1%，Cr：1.0~1.8%，Mo：1.1~1.6%，Nb：0.05~0.08%，Cu：0.2~0.5%，N：0.005~0.008%，B：0.002~0.0035%，RE：0.01~0.02%，P<0.02%，S<0.01%，余量為Fe和不可避免的雜質；所述不銹鋼基板的微觀結構中TiC相的平均粒徑為1.1~1.6μm，TiN相的平均粒徑為0.8~1.0μm，且在所述三角形大空腔結構的折彎處TiC相和TiN相平均粒徑是非折彎處（平板處）的0.6~0.9倍；所述復合不銹鋼板先將不銹鋼基板經過多道...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王慧敏，
申請(專利權)人：王慧敏，
類型：發明
國別省市：北京;11