本發明專利技術提供一種充電電路及方法。該充電電路,包括處理單元、開關裝置和充電芯片;開關裝置的控制端與處理單元連接,開關裝置的輸入端與外部充電設備連接,開關裝置的輸出端與充電芯片的輸入端連接,充電芯片的輸出端與電池連接;處理單元,在開關裝置與充電設備連接時,根據預設的控制命令控制開關裝置至少兩次接通和斷開;充電芯片,在開關裝置接通時,檢測充電設備與電池是否適配;處理單元,當充電設備與電池在至少兩次檢測過程中均適配時,控制開關裝置接通,以使充電設備為電池供電。本發明專利技術的處理單元控制開關裝置多次接通和斷開,使得充電芯片實現對充電設備的多次檢測,進而提高了充電設備與電池匹配性檢測的準確性。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及電路技術,尤其涉及一種充電電路及方法。
技術介紹
隨著科技的進步和人們生活水平的提高,手機的應用越來越普及,為了更好地使用和維護他,需要為手機選擇合適的充電設備。但是,目前有一部分手機在充電的過程中會出現充電慢或者手機爆炸的情況。例如,手機將快充型充電設備識別成普通型充電設備,進而使得充電電流過小,造成充電慢的問題;或者,充電設備的充電電流過大,大于手機的預設電流時,造成手機爆炸的問題。因此,如何準確判斷充電設備與手機電池的匹配性,成為技術人員亟待解決的技術問題。
技術實現思路
本專利技術提供一種充電電路及方法,以克服無法準確判斷充電設備與電池的適配性而造成的充電問題。第一方面,本專利技術提供一種充電電路,包括:處理單元、開關裝置和充電芯片;所述開關裝置的控制端與所述處理單元連接,所述開關裝置的輸入端用于與外部充電設備連接,所述開關裝置的輸出端與所述充電芯片的輸入端連接,所述充電芯片的輸出端與電池連接;所述處理單元,用于在所述開關裝置與所述充電設備連接時,根據預設的控制命令控制所述開關裝置的接通和斷開;所述充電芯片,用于在所述開關裝置接通時,檢測所述充電設備與所述電池是否適配;所述處理單元,還用于當所述充電設備與所述電池適配時,控制所述開關裝置接通,以使所述充電設備為所述電池供電。在本專利技術的一種可行的實現方式中,所述電路還包括適配器,所述開關裝置的輸入端通過所述適配器與所述充電設備連接。在本專利技術的另一種可行的實現方式中,所述適配器通過電源線VBUS與所述開關裝置的輸入端連接,所述開關裝置的輸出端通過所述VBUS與所述充電芯片的輸入端連接。在本專利技術的又一種可行的實現方式中,充電芯片包括電源線VBUS接口和充電電壓檢測管腳VBUS-SNS接口,所述開關裝置的輸出端通過所述VBUS分別與所述VBUS接口和所述VBUS-SNS接口連接。在本專利技術的另一種可行的實現方式中,所述開關裝置為過壓保護OVP器件,所述OVP器件的檢測端EN接口與所述處理單元的通用輸入輸出GPIO接口連接,所述OVP的輸出接口通過所述VBUS分別與所述VBUS接口和所述VBUS-SNS連接;所述處理單元用于通過控制所述GPIO接口的電位差來控制所述OVP器件的通斷。在本專利技術的另一種可行的實現方式中,所述開關裝置為半導體場效應晶體管MOSFET器件,所述MOSFET器件的門Gate接口與所述處理單元的GPIO接口連接,所述MOSFET器件的輸出接口通過所述VBUS分別與所述VBUS接口和所述VBUS-SNS接口連接;所述處理單元用于通過控制所述GPIO接口的電位差來控制所述MOSFET器件的通斷。在本專利技術的另一種可行的實現方式中,所述電路還包括接地電阻,所述接地電阻的一端與所述開關裝置的控制端連接,所述接地電阻的另一端接地。進一步的,所述處理單元為中央處理器CPU。在本專利技術的另一種可行的實現方式中,當所述預設的控制命令為控制所述開關裝置進行至少兩次接通和斷開時,所述處理單元,具體用于在所述開關裝置與所述充電設備連接時,根據所述預設的控制命令控制所述開關裝置至少兩次接通和斷開;所述處理單元,具體用于當所述充電設備與所述電池在至少兩次檢測過程中均適配時,控制所述開關裝置接通,以使所述充電設備為所述電池供電。第二方面,本專利技術提供一種充電方法,所述方法適用于充電電路,所述充電電路包括處理單元、開關裝置和充電芯片;所述開關裝置的控制端與所述處理單元連接,所述開關裝置的輸入端用于與外部充電設備連接,所述開關裝置的輸出端與所述充電芯片的輸入端連接,所述充電芯片的輸出端與電池連接;所述方法包括:當所述開關裝置的控制端與所述處理單元連接時,所述處理單元根據預設的控制命令控制所述開關裝置接通和斷開;在所述開關裝置接通時,所述充電芯片檢測所述充電設備與所述電池是否適配;當所述充電設備與所述電池適配時,所述處理單元控制所述開關裝置接通,以使所述充電設備為所述電池供電。在本專利技術的一種可行的實現方式中,當所述開關裝置為過壓保護OVP器件時,所述處理單元根據預設的控制命令控制所述開關裝置接通和斷開,具體包括:所述處理單元通過控制所述GPIO接口的電位差來控制所述OVP器件的通斷。在本專利技術的另一種可行的實現方式中,當所述開關裝置為半導體場效應晶體管MOSFET器件時,所述處理單元根據預設的控制命令控制所述開關裝置接通和斷開,具體包括:所述處理單元用于通過控制所述GPIO接口的電位差來控制所述MOSFET器件的通斷。本專利技術提供的充好電路及方法,通過將開關裝置的控制端與所述處理單元連接,所述開關裝置的輸入端用于與外部充電設備連接,所述開關裝置的輸出端與所述充電芯片的輸入端連接,所述充電芯片的輸出端與電池連接;所述處理單元,用于在所述開關裝置與所述充電設備連接時,根據預設的控制命令控制所述開關裝置接通和斷開;所述充電芯片,用于在所述開關裝置接通時,檢測所述充電設備與所述電池是否適配;所述處理單元,還用于當所述充電設備與所述電池適配時,控制所述開關裝置接通,以使所述充電設備為所述電池供電。本實施例的充電電路,處理單元控制開關裝置的接通和斷開,使得充電芯片實現對充電設備進行檢測,進而實現了充電設備與電池匹配性的準確檢測,從而提高了充電的可靠性和安全性。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本專利技術的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本專利技術提供的充電電路實施例一的電路圖;圖2為本專利技術提供的充電電路實施例二的電路圖;圖3為本專利技術提供的充電電路實施例二的另一結構示意圖;圖4為本專利技術提供的充電方法實施例的流程圖。具體實施方式為使本專利技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合本專利技術實施例中的附圖,對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本專利技術一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本專利技術保護的范圍。本專利技術提供的充電電路及方法,適用于任意需要供電的終端設備,例如手機、PC等,用于解決上述由于無法準確檢測充電設備與電池的適配性而造成的充電問題。本實施例的充電電路設置在待充電設備內部,作為該待充電設備的充電電路,模擬充電設備的插拔,實現對充電設備與電池的適配性的準確檢查,進而提高了充電的效率和安全性。圖1為本專利技術提供的充電電路實施例一的電路圖,如圖1所述,本實施例的充電電路100可以包括:處理單元10、開關裝置20和充電芯片30;所述開關裝置20的控制端與所述處理單元10連接,所述開關裝置20的輸入端用于與充電設備連接,所述開關裝置20的輸出端與所述充電芯片30的輸入端連接,所述充電芯片30的輸出端與電池連接;所述處理單元10,用于在所述開關裝置20與所述充電設備連接時,根據預設的控制命令控制所述開關裝置20的接通和斷開;所述充電芯片30,用于在所述開關裝置20接通時,檢測所述充電設備與所述電池是否適配;所述處理單元10,還用于當所述充電設備與所述電池適配時,控制所述開關裝本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種充電電路,其特征在于,包括:處理單元、開關裝置和充電芯片;所述開關裝置的控制端與所述處理單元連接,所述開關裝置的輸入端用于與外部充電設備連接,所述開關裝置的輸出端與所述充電芯片的輸入端連接,所述充電芯片的輸出端與電池連接;所述處理單元,用于在所述開關裝置與所述充電設備連接時,根據預設的控制命令控制所述開關裝置的接通和斷開;所述充電芯片,用于在所述開關裝置接通時,檢測所述充電設備與所述電池是否適配;所述處理單元,還用于當所述充電設備與所述電池適配時,控制所述開關裝置接通,以使所述充電設備為所述電池供電。
【技術特征摘要】
1.一種充電電路,其特征在于,包括:處理單元、開關裝置和充電芯片;所述開關裝置的控制端與所述處理單元連接,所述開關裝置的輸入端用于與外部充電設備連接,所述開關裝置的輸出端與所述充電芯片的輸入端連接,所述充電芯片的輸出端與電池連接;所述處理單元,用于在所述開關裝置與所述充電設備連接時,根據預設的控制命令控制所述開關裝置的接通和斷開;所述充電芯片,用于在所述開關裝置接通時,檢測所述充電設備與所述電池是否適配;所述處理單元,還用于當所述充電設備與所述電池適配時,控制所述開關裝置接通,以使所述充電設備為所述電池供電。2.根據權利要求1所述的電路,其特征在于,所述電路還包括適配器,所述開關裝置的輸入端通過所述適配器與所述充電設備連接。3.根據權利要求2所述的電路,其特征在于,所述適配器通過充電線VBUS與所述開關裝置的輸入端連接,所述開關裝置的輸出端通過所述VBUS與所述充電芯片的輸入端連接。4.根據權利要求3所述的電路,其特征在于,充電芯片包括充電線VBUS接口和充電電壓檢測管腳VBUS-SNS接口,所述開關裝置的輸出端通過所述VBUS分別與所述VBUS接口和所述VBUS-SNS接口連接。5.根據權利要求4所述的電路,其特征在于,所述開關裝置為過壓保護OVP器件,所述OVP器件的檢測端EN接口與所述處理單元的通用輸入輸出GPIO接口連接,所述OVP的輸出接口通過所述VBUS分別與所述VBUS接口和所述VBUS-SNS接口連接;所述處理單元用于通過控制所述GPIO接口的電位差來控制所述OVP器件的通斷。6.根據權利要求4所述的電路,其特征在于,所述開關裝置為半導體場效應晶體管MOSFET器件,所述MOSFET器件的門Gate接口與所述處理單元的GPIO接口連接,所述MOSFET器件的輸出接口通過所述VBUS分別與所述VBUS接口和所述VBUS-SNS接口連接;所述處理單元用于通過控制所述GPIO接口的電位差來控...
【專利技術屬性】
技術研發人員:賁志朋,
申請(專利權)人:深圳眾思科技有限公司,
類型:發明
國別省市:廣東;44
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