本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種用于表面貼裝器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)解剖的腐蝕液及解剖工藝。所述的腐蝕液由發(fā)煙硝酸和濃硫酸按4～5：1～2的體積比配制而成。采用該腐蝕液對表面貼裝器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)解剖的工藝，包括：將腐蝕液加熱至60～90℃，然后將表面貼裝器件置于其中浸漬，每隔一定時間取出表面貼裝器件進(jìn)行觀察，直至表面貼裝器件管體密封塑封體被腐蝕，取出表面貼裝器件，洗凈，即可。本發(fā)明專利技術(shù)采用發(fā)煙硝酸和濃硫酸以特殊配比制得的腐蝕液去除表面貼裝器件管體密封塑封體，在較低的溫度下可以快速的去除塑封體，且不會對器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)產(chǎn)生任何影響。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及電子器件的解剖工藝，具體涉及一種用于表面貼裝器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)解剖的腐蝕液及解剖工藝。
技術(shù)介紹
表面貼裝器件(SMD)的封裝是采用環(huán)氧樹脂材料，通過塑封模具經(jīng)過高溫、高壓完成的，其外殼具有僵硬、阻燃、不易腐蝕等特性。封裝完成后再要檢查分析SMD產(chǎn)品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)較為困難，現(xiàn)有技術(shù)中通常是借用X光掃描設(shè)備探視SMD產(chǎn)品內(nèi)部情況，但這種方法因設(shè)備原因存在使用成本較高，使用靈活較差的不足。另一種方法是利用化學(xué)腐蝕的方法去除管體密封塑封體，然后再用高倍顯微鏡檢查其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。公開號為CN102646618A的專利技術(shù)專利公開一種用于二極管器件的解剖工藝，包括：將燒杯中濃度為98％的濃硫酸持續(xù)加熱到95℃；將二極管器件放置于其中，將經(jīng)步驟三的二極管器件置于丙酮溶液中；硝酸和雙氧水按照5：0.8～1.2比例在燒杯形成第一混合溶液，將二極管器件浸入此第一混合溶液；取硝酸和水按照5：1.8～2.2比例在燒杯形成第二混合溶液，再將經(jīng)步驟五去銅后的二極管器件置于沸騰狀態(tài)下的第二混合溶液，保持時間為5～10min；將經(jīng)二極管器件經(jīng)水沖洗后，浸入丙銅溶液對此二極管器件進(jìn)行振蕩脫水，清洗時間為20～40秒，從而獲得所述二極管芯片。該專利技術(shù)解剖工藝去除環(huán)氧層的同時不會對器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)產(chǎn)生任何影響，提高了分析數(shù)據(jù)的可靠性。但該方法所用的腐蝕液及解剖工藝均較為復(fù)雜,操作比較危險，排放氣體對周圍環(huán)境有影響。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)要解決的技術(shù)問題是提供一種用于表面貼裝器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)解剖的腐蝕液及解剖工藝。該專利技術(shù)所述腐蝕液配方簡單，采用該腐蝕液對表面貼裝器件進(jìn)行腐蝕，可快速去除塑封體，且不會對器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)產(chǎn)生任何影響。本專利技術(shù)所述的用于表面貼裝器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)解剖的腐蝕液，該腐蝕液由發(fā)煙硝酸和濃硫酸按4～5：1～2的體積比配制而成。優(yōu)選地，本專利技術(shù)所述用于表面貼裝器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)解剖的腐蝕液由發(fā)煙硝酸和濃硫酸按5：1的體積比配制而成。本專利技術(shù)還提供采用上述腐蝕液對表面貼裝器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)解剖的工藝，包括：將上述腐蝕液加熱至60～90℃，然后將表面貼裝器件置于其中浸漬，每隔一定時間取出表面貼裝器件進(jìn)行觀察，直至表面貼裝器件管體密封塑封體被腐蝕，取出表面貼裝器件，洗凈，即可。上述工藝中，優(yōu)選是每隔2～10s取出表面貼裝器件進(jìn)行觀察表面貼裝器件管體密封塑封體是否被腐蝕。采用本專利技術(shù)所述腐蝕液結(jié)合上述解剖工藝，可以在10～20s內(nèi)即可將表面貼裝器件管體密封塑封體腐蝕。被腐蝕除去管體密封塑封體的表面貼裝器件通常是用無水乙醇及水進(jìn)行洗滌，之后干燥即可，通常情況下，用乙醇清洗的時間為1～2min，用水清洗的時間為2～3min。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)采用發(fā)煙硝酸和濃硫酸以特殊配比制得的腐蝕液去除表面貼裝器件管體密封塑封體，在較低的溫度下可以快速的去除塑封體，且不會對器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)產(chǎn)生任何影響。附圖說明圖1為采用本專利技術(shù)所述工藝去除塑封體前的表面貼裝器件的圖片；圖2為采用本專利技術(shù)實(shí)施例1所述工藝去除表面貼裝器件管體密封塑封體后的圖片。具體實(shí)施方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對本專利技術(shù)作進(jìn)一步的詳述,以更好地理解本專利技術(shù)的內(nèi)容,但本專利技術(shù)并不限于以下實(shí)施例。實(shí)施例11)按5：1的體積比稱取發(fā)煙硝酸和濃硫酸混合均勻，得到腐蝕液；2)將腐蝕液置于燒杯中，于水浴鍋內(nèi)加熱至60℃，然后將表面貼裝器件(如圖1所示)置于其中，每隔10s取出表面貼裝器件進(jìn)行觀察，直至表面貼裝器件的管體密封塑封體被腐蝕，取出表面貼裝器件，用乙醇清洗1min，再用水清洗2min，干燥，得到去除管體密封塑封體后的表面貼裝器件，如圖2所示，由圖2可見，塑封體被去除但并沒有影響表面貼裝器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。經(jīng)統(tǒng)計(jì)，從將表面貼裝器件置于腐蝕液中開始，直至去除管體密封塑封體的時間為21s。實(shí)施例21)按5：2的體積比稱取發(fā)煙硝酸和濃硫酸混合均勻，得到腐蝕液；2)將腐蝕液置于燒杯中，于水浴鍋內(nèi)加熱至70℃，然后將表面貼裝器件置于其中浸漬，每隔4s取出表面貼裝器件進(jìn)行觀察，直至表面貼裝器件的管體密封塑封體被腐蝕，取出表面貼裝器件，用乙醇清洗1min，再用水清洗2min，干燥，得到去除管體密封塑封體后的表面貼裝器件。經(jīng)統(tǒng)計(jì)，從將表面貼裝器件置于腐蝕液中開始，直至去除管體密封塑封體的時間為15s。實(shí)施例31)按4：2的體積比稱取發(fā)煙硝酸和濃硫酸混合均勻，得到腐蝕液；2)將腐蝕液置于燒杯中，于水浴鍋內(nèi)加熱至90℃，然后將表面貼裝器件置于其中浸漬，每隔5s取出表面貼裝器件進(jìn)行觀察，直至表面貼裝器件的管體密封塑封體被腐蝕，取出表面貼裝器件，用乙醇清洗1min，再用水清洗2min，干燥，得到去除管體密封塑封體后的表面貼裝器件。經(jīng)統(tǒng)計(jì)，從將表面貼裝器件置于腐蝕液中開始，直至去除管體密封塑封體的時間為18s。實(shí)施例41)按4：2的體積比稱取發(fā)煙硝酸和濃硫酸混合均勻，得到腐蝕液；2)將腐蝕液置于燒杯中，于水浴鍋內(nèi)加熱至80℃，然后將表面貼裝器件置于其中浸漬，每隔3s取出表面貼裝器件進(jìn)行觀察，直至表面貼裝器件的管體密封塑封體被腐蝕，取出表面貼裝器件，用乙醇清洗1min，再用水清洗2min，干燥，得到去除管體密封塑封體后的表面貼裝器件。經(jīng)統(tǒng)計(jì)，從將表面貼裝器件置于腐蝕液中開始，直至去除管體密封塑封體的時間為17s。本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
用于表面貼裝器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)解剖的腐蝕液，其特征在于：該腐蝕液由發(fā)煙硝酸和濃硫酸按4～5：1～2的體積比配制而成。
【技術(shù)特征摘要】
1.用于表面貼裝器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)解剖的腐蝕液，其特征在于：該腐蝕
液由發(fā)煙硝酸和濃硫酸按4～5：1～2的體積比配制而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于表面貼裝器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)解剖的腐蝕液，
其特征在于：該腐蝕液由發(fā)煙硝酸和濃硫酸按5：1的體積比配制而成。
3.一種表面貼裝器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)解剖的工藝，其特...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蔣振榮，李勇昌，彭順剛，黃湖江，朱金華，
申請(專利權(quán))人：桂林斯壯微電子有限責(zé)任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣西;45
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。