一種電子陶瓷元件表面處理方法和表面處理液技術

一種電子陶瓷元件表面處理方法，包括以下步驟：S1、將待電鍍的電子陶瓷元件用表面處理液進行表面處理；S2、將經過表面處理后的電子陶瓷元件烘干；S3、將烘干后的電子陶瓷元件進行表面絕緣層涂敷，表面絕緣層用于防止電子陶瓷元件電鍍時產生爬鍍；其中表面處理液包含以下重量百分比的成分：鹽酸(HCl)20％～60％、氫氟酸(HF)20％～50％、氧化釔(Y2O3)0.01％～18％、硝酸鈉(NaNO3)2％～15％、硝酸鋅(Zn(NO3)2)2％～10％。在此還公開了一種用在上述處理方法中的表面處理液。該方法能夠增強待涂敷表面絕緣層的元件表面的浸潤性，大大提高電子陶瓷元件表面與涂敷層的結合力，顯著地改善涂敷層的均勻性，從而能夠有效地解決元件產品電鍍時爬鍍的問題。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種電子陶瓷元件表面處理方法和表面處理液。
技術介紹
電子陶瓷元件產品如氧化鋅壓敏電阻由于材料本身的電阻率較低，產品表面絕緣電阻較小，在電鍍時瓷體表面容易鍍上鍍層，造成爬鍍，這一直是困擾電子元件制造商的一個技術難題，為了解決這一問題，片式電子元件生產商往往通過在元件電鍍前在表面涂敷一層電阻率較高的保護層，以提高元件的表面電阻率，從而有效的防止產品電鍍時產生爬鍍。但由于表面張力以及涂層與元件表面的浸潤性等因素的影響，在進行表面涂敷處理時涂敷層容易形成團聚，并且涂敷層與元件表面的結合力差，從而影響涂敷層的均勻性，以及涂敷層容易脫露，進而導致個別產品在電鍍時仍會產生爬鍍不良。
技術實現思路
本專利技術的主要目的在于克服現有技術的不足，提供。為實現上述目的，本專利技術采用以下技術方案：一種電子陶瓷元件表面處理方法，包括以下步驟：S1、將待電鍍的電子陶瓷元件用表面處理液進行表面處理；S2、將經過表面處理后的所述電子陶瓷元件烘干；S3、將烘干后的所述電子陶瓷元件進行表面絕緣層涂敷，所述表面絕緣層用于防止所述電子陶瓷元件電鍍時產生爬鍍；其中所述表面處理液包含以下重量百分比的成分：鹽酸(HCl)20％～60％、氫氟酸(HF)20％～50％、氧化釔(Y2O3)0.01％～18％、硝酸鈉(NaNO3)2％～15％、硝酸鋅(Zn(NO3)2)2％～10％。進一步地：所述表面處理液還包含去離子水。所述表面處理液調節至PH值在0.1～0.5。步驟S1中，將倒角后的所述電子陶瓷元件浸入所述表面處理液中浸泡預定時間，以讓所述電子陶瓷元件表面與所述表面處理液充分接觸和反應。所述電子陶瓷元件在所述表面處理液中浸泡時間在3～30分鐘。步驟S2中，將經過表面處理后的所述電子陶瓷元件濾干，再用清水沖洗殘留的所述表面處理液，然后放入烘干箱內，在80～130℃下烘干20～30分鐘，直至所述電子陶瓷元件表面的水分完全被烘干。在步驟S1之前，還包括配制所述表面處理液的步驟。一種表面處理液，用于對電子陶瓷元件進行表面處理以增強電子陶瓷元件表面與涂敷的表面絕緣層的結合力，并提高涂敷的表面絕緣層的均勻性，所述表面處理液包含以下重量百分比的成分：鹽酸(HCl)20％～60％、氫氟酸(HF)20％～50％、氧化釔(Y2O3)0.01％～18％、硝酸鈉(NaNO3)2％～15％、硝酸鋅(Zn(NO3)2)2％～10％。所述表面處理液還包含去離子水。所述表面處理液的PH值在0.1～0.5。本專利技術的有益效果：根據本專利技術的電子陶瓷元件表面處理方法，在待電鍍的電子陶瓷元件產品的表面涂敷表面絕緣層之前，使用上述的表面處理液對產品進行表面處理，通過處理液成分的化學作用，改變元件的表面狀態，從而有效增強后續待涂敷表面絕緣層的元件表面的浸潤性，大大提高電子陶瓷元件表面與涂敷層的結合力，結合強度高，并顯著地改善涂敷層的均勻性，從而能夠有效地解決元件產品電鍍時爬鍍的問題，防止電子陶瓷元件電鍍時表面發生爬鍍。該處理工藝操作簡單，同時不會對片式元件的電性能造成不良影響。附圖說明圖1為本專利技術的電子陶瓷元件表面處理方法的處理流程圖；圖2為多層片式電子陶瓷元件未經處理進行表面絕緣層涂敷的實物效果圖；圖3為多層片式電子陶瓷元件經本專利技術實施例一的電子陶瓷元件表面處理方法處理后進行表面絕緣層涂敷的實例效果圖；圖4為多層片式電子陶瓷元件經本專利技術實施例二的電子陶瓷元件表面處理方法處理后進行表面絕緣層涂敷的實例效果圖；圖5為多層片式電子陶瓷元件經本專利技術實施例三的電子陶瓷元件表面處理方法處理后進行表面絕緣層涂敷的實例效果圖。具體實施方式以下對本專利技術的實施方式作詳細說明。應該強調的是，下述說明僅僅是示例性的，而不是為了限制本專利技術的范圍及其應用。參閱圖1，在一種實施例中，一種電子陶瓷元件表面處理方法，包括以下步驟：S1、將待電鍍的電子陶瓷元件用表面處理液進行表面處理，所述表面處理液包含以下重量百分比的成分：鹽酸(HCl)20％～60％、氫氟酸(HF)20％～50％、氧化釔(Y2O3)0.01％～18％、硝酸鈉(NaNO3)2％～15％、硝酸鋅(Zn(NO3)2)2％～10％；S2、將經過表面處理后的所述電子陶瓷元件烘干；S3、將烘干后的所述電子陶瓷元件進行表面絕緣層涂敷，所述表面絕緣層用于防止所述電子陶瓷元件電鍍時產生爬鍍；在優選的實施例中，所述表面處理液還包含去離子水。較佳地，將所述表面處理液調節至PH值在0.1～0.5。在優選的實施例中，步驟S1中，將倒角后的所述電子陶瓷元件浸入所述表面處理液中浸泡預定時間，以讓所述電子陶瓷元件表面與所述表面處理液充分接觸和反應。更優選地，所述電子陶瓷元件在所述表面處理液中浸泡時間在3～30分鐘。在優選的實施例中，步驟S2中，將經過表面處理后的所述電子陶瓷元件濾干，再用清水沖洗殘留的所述表面處理液，然后放入烘干箱內，在80～130℃下烘干20～30分鐘，直至所述電子陶瓷元件表面的水分完全被烘干。在一種實施例中，上述電子陶瓷元件表面處理方法在步驟S1之前還包括配制所述表面處理液的步驟。在一種實施例中，一種表面處理液，用于對電子陶瓷元件進行表面處理以增強電子陶瓷元件表面與涂敷的表面絕緣層的結合力，并提高涂敷的表面絕緣層的均勻性，所述表面處理液包含以下重量百分比的成分：鹽酸(HCl)20％～60％、氫氟酸(HF)20％～50％、氧化釔(Y2O3)0.01％～18％、硝酸鈉(NaNO3)2％～15％、硝酸鋅(Zn(NO3)2)2％～10％。在優選的實施例中，所述表面處理液的溶液為去離子水。較佳地，所述表面處理液的PH值在0.1～0.5。以下以片式電子陶瓷元件為例，對具體實施例進行說明。對片式電子陶瓷元件表面進行處理的工藝流程為：配制表面處理液→表面處理→烘干→表面絕緣層涂敷。其具體過程包括如下步驟：(1)配制表面處理液：將HCl、HF、Y2O3、NaNO3、NaClO3、Zn(NO3)2等材料按鹽酸(HCl)20％～60％、氫氟酸(HF)20％～50％、氧化釔(Y2O3)0.01％～18％、硝酸鈉(NaNO3)2％～15％、硝酸鋅(Zn(NO3)2)2％～10％的重量百分比配制，加入水或去離子水中攪拌，混合均勻，制成表面處理溶液。表面處理溶液調節至合適的PH值范圍，PH＝本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種電子陶瓷元件表面處理方法，其特征在于,包括以下步驟：S1、將待電鍍的電子陶瓷元件用表面處理液進行表面處理；S2、將經過表面處理后的所述電子陶瓷元件烘干；S3、將烘干后的所述電子陶瓷元件進行表面絕緣層涂敷，所述表面絕緣層用于防止所述電子陶瓷元件電鍍時產生爬鍍；其中所述表面處理液包含以下重量百分比的成分：鹽酸(HCl)20％～60％、氫氟酸(HF)20％～50％、氧化釔(Y2O3)0.01％～18％、硝酸鈉(NaNO3)2％～15％、硝酸鋅(Zn(NO3)2)2％～10％。

【技術特征摘要】
1.一種電子陶瓷元件表面處理方法，其特征在于,包括以下步驟：
S1、將待電鍍的電子陶瓷元件用表面處理液進行表面處理；
S2、將經過表面處理后的所述電子陶瓷元件烘干；
S3、將烘干后的所述電子陶瓷元件進行表面絕緣層涂敷，所述表面絕
緣層用于防止所述電子陶瓷元件電鍍時產生爬鍍；
其中所述表面處理液包含以下重量百分比的成分：鹽酸(HCl)20％～
60％、氫氟酸(HF)20％～50％、氧化釔(Y2O3)0.01％～18％、硝酸鈉
(NaNO3)2％～15％、硝酸鋅(Zn(NO3)2)2％～10％。
2.如權利要求1所述的電子陶瓷元件表面處理方法，其特征在于,所
述表面處理液還包含去離子水。
3.如權利要求1或2所述的電子陶瓷元件表面處理方法，其特征在
于,所述表面處理液調節至PH值在0.1～0.5。
4.如權利要求1至3任一項所述的電子陶瓷元件表面處理方法，其
特征在于,步驟S1中，將倒角后的所述電子陶瓷元件浸入所述表面處理液
中浸泡預定時間，以讓所述電子陶瓷元件表面與所述表面處理液充分接觸
和反應。
5.如權利要求4所述的電子陶瓷元件表面處理方法，其特征在于,所
述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：成學軍，姚斌，賈廣平，
申請(專利權)人：深圳順絡電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44