本發明專利技術涉及用于外延生長的反應器的襯托器，由具有第一面和第二面的由石墨制成的圓盤形主體(20、30)組成；第一面包括至少一個區，特別地包括適于接收將經受外延生長的基底的圓形凹進部(21)或凸起(31)；第一面暴露對應于此區(21、31)的第一上表面(22、32)和圍繞此區(21、31)的第二上表面(23、33)；第二面暴露下表面(24、34)；第二上表面(22、33)和下表面(24、34)用碳化硅的層來涂覆；所以，襯托器的向外彎曲在該襯托器的壽命期間即在已經被用于碳化硅的外延生長的許多工藝之后被限制。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】描述專利
本專利技術涉及涂覆有碳化硅并且具有用于接收將經受碳化硅的“外延生長”的基底的至少一個區的襯托器，并且涉及用于在基底支撐元件的壽命期間(即，還在已經被用于碳化硅的外延生長的許多工藝之后)限制該基底支撐元件的向外彎曲的方法。現有技術外延生長和用于獲得它的反應器已經已知許多年；它們基于被稱作“CVD”(化學氣相沉積)的技術。其中它們被使用的
是生產電子部件的
；用于該應用的工藝和反應器是特定的，因為需要非常高質量的沉積層并且質量要求不斷地在上升。一種類型的外延反應器使用被插入反應室中并且支撐將經受外延生長的一個或更多個基底的“襯托器”(參見圖1.1A中的參考數字10和1000)；如已知的，基底可以完全是圓形的或常常具有“平坦面”(參見圖1.1B中的基底1000)。本專利技術事實上涉及這樣的襯托器，其特別地用于碳化硅的高溫(1550℃-1750℃)外延生長。通常，具有熱壁反應室的反應器用于碳化硅的高溫外延生長；室和襯托器的加熱通常借助于電磁感應或電阻來獲得。大部分現有技術(圖1)涉及在多達1250℃的工藝溫度下的硅的外延生長，并且涉及相應的反應器；事實上，僅僅最近，碳化硅的電子部件才開始略微地較廣泛地使用。在剛剛開始時，即數十年前，襯托器全部由石墨制成。然而，在那時，發現石墨污染基底，因為存在于襯托器的石墨中的雜質在外延生長工藝期間部分地遷移到疊加的基底中。因此，想到的是，通過沉積碳化硅的薄層來涂覆全部由石墨制成的襯托器(在圖1A中，虛線指示外部碳化硅和內部石墨之間的邊界)；涂層涉及襯托器的全部表面。這樣的解決方案證明在這幾十年期間、即大體上直到當前是令人滿意的。概述最近，本申請人認識到，在碳化硅的高溫外延生長的情況下，還鑒于生長的基底質量和生產工藝質量和速度方面的越來越嚴格的要求，襯托器的與經受外延生長的碳化硅基底接觸的碳化硅的層引起某些問題；第一個問題涉及基底傾向于粘至襯托器的事實；第二個問題涉及層中的碳化硅傾向于朝向疊加的基底遷移(假定首先發生升華并且然后發生凝固)的事實。最近，本申請人因此想到用碳化鉭的薄層代替碳化硅的薄層整體地涂覆全部由石墨制成的襯托器。這樣的材料的使用大體上解決了上文提及的兩個問題；然而，新的問題已經出現；在碳化硅的外延生長的工藝期間，碳化硅不僅僅沉積在基底上，而且還沉積在暴露至前體氣體的襯托器的面上，即在鄰近于基底的襯托器的表面上(參見圖17A)；在襯托器的面上的碳化硅的逐漸累積(在工藝之后的工藝)引起襯托器的逐漸向外的彎曲(即，使得中心區相對于周邊區升高-參見圖17B)；換句話說，在給定數目的外延生長工藝之后，襯托器是輕微地凸出的，即凸狀的(參見圖17B)。襯托器的形狀的此種變化產生對于反應器的操作和外延生長過程的質量和均勻性兩者的問題。本申請人因此設定了解決上文描述的問題的目的。此目的借助具有在所附的權利要求中陳述的技術特征的襯托器被大體上實現，所附的權利要求形成本公開內容的主要部分。在本專利技術下的理念是預先使由石墨制成的襯托器僅部分地涂覆有碳化硅；為了接收將經受外延生長的基底，至少一個特定區被包括，該至少一個特定區可以相對于圍繞它的襯托器的部分被降低，或被升高，或可能地甚至在相同水平。因此，本專利技術的目的還是一種在基底支撐元件的壽命期間(即，還在已經被用于碳化硅的外延生長的許多工藝之后)避免該基底支撐元件(具體地，襯托器)的彎曲的方法。附圖清單本專利技術根據結合附圖考慮的以下詳細描述將變得更明顯，在附圖中：圖1示出根據現有技術的襯托器的圓盤形主體的簡化的剖視圖和局部頂視圖，其中基底被插入襯托器的凹進部中，圖2示出根據本專利技術的第一實施方案的襯托器的圓盤形主體的示意性(剖視)圖-該圖明顯地不是按比例的，圖3示出根據本專利技術的第二實施方案的襯托器的圓盤形主體的示意性(剖視)圖-該圖明顯地不是按比例的，圖4示出將與襯托器主體組合地使用的基底支撐元件的第一實施例的簡化的剖視圖，圖5示出將與襯托器主體組合地使用的基底支撐元件的第二實施例的簡化的剖視圖，圖6示出將與襯托器主體組合地使用的基底支撐元件的第三實施例的簡化的剖視圖，圖7示出將與襯托器主體組合地使用的基底支撐元件的第四實施例的簡化的剖視圖，圖8示出將與襯托器主體組合地使用的基底支撐元件的第五實施例的簡化的剖視圖，圖9示出將與襯托器主體組合地使用的支撐元件和框架的耦合部的實施例的簡化的剖視圖和局部頂視圖(襯托器主體以簡化的方式被部分地示出)，圖10示出襯托器主體和基底支撐元件的第一組合的簡化的、局部剖視圖，圖11示出襯托器主體和基底支撐元件的第二組合的簡化的、局部剖視圖，圖12示出襯托器主體和基底支撐元件的第三組合的簡化的、局部剖視圖，圖13示出襯托器主體和基底支撐元件的第四組合的簡化的、局部剖視圖，圖14示出襯托器主體和基底支撐元件的第五組合的簡化的、局部剖視圖，圖15示出襯托器主體和基底支撐元件的第六組合的簡化的、局部剖視圖，圖16示出襯托器主體和基底支撐元件的第七組合的簡化的剖視圖和頂視圖，圖17示出(A)在外延反應器中被使用之前(其中碳化硅的隨后沉積被示意性地示出)的平坦的襯托器平面和(B)在碳化硅的外延生長的一系列工藝之后彎曲的即凸出的襯托器的兩個簡化的剖視圖(不按比例)，并且圖18示出在被用于外延反應器之前的輕微地反向彎曲(counter-curved)的襯托器的簡化的剖視圖(不按比例)。此類描述和此類附圖通過僅實施例的方式被提供并且因此是非限制性的。值得注意的是，此類描述考慮了彼此獨立的但可以有利地彼此組合的各種創新的概念(以及實施它們的方式)。如容易地明顯的，本專利技術(在所附的權利要求中定義本專利技術的主要的有利的方面)可以以各種方式被實施。詳述圖2和圖3是示意性的；特別地，襯托器主體的尺寸被扭曲以突出它們的細節，并且為了簡單起見，它們具有適于接收基底的單個區；事實上，襯托器主體可以具有適于接收基底的通常彼此相同的一個或更多個區。有用地解釋了，在許多附圖中，相鄰的部分被示出為僅被略微地間隔開以允許較好地觀察它們的形狀。根據本專利技術的襯托器、特別是在圖2和圖3中的那些在被用于碳化硅的“外延生長”的工藝中之前即在將碳化硅的層沉積在待被處理的基底上的工藝中用對應的多個涂覆層來完整地產生。圖2示出用于外延生長的反應器的襯托器，所述襯托器由具有第一面和第二面的...
【技術保護點】
一種用于外延生長的反應器的襯托器，由具有第一面和第二面的由石墨制成的圓盤形主體組成，其中所述第一面包括適于接收將經受外延生長的基底的至少一個圓形區，據此所述第一面暴露對應于所述至少一個區的第一上表面和圍繞所述至少一個區的第二上表面，其中所述第二面暴露下表面，其特征在于，所述第二上表面和所述下表面預先用碳化硅的層來涂覆。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2013.09.27 IT CO2013A0000401.一種用于外延生長的反應器的襯托器，由具有第一面和第二面的由石墨制成的圓盤
形主體組成，
其中所述第一面包括適于接收將經受外延生長的基底的至少一個圓形區，據此所述第
一面暴露對應于所述至少一個區的第一上表面和圍繞所述至少一個區的第二上表面，
其中所述第二面暴露下表面，
其特征在于，所述第二上表面和所述下表面預先用碳化硅的層來涂覆。
2.根據權利要求1所述的襯托器，其特征在于，僅所述第二上表面和所述下表面用碳化
硅的層來涂覆。
3.根據權利要求1或2所述的襯托器，由具有第一面和第二面的由石墨制成的圓盤形主
體組成，
其中所述第一面包括適于接收將經受外延生長的基底的至少一個圓形凹進部，據此所
述第一面暴露對應于所述至少一個凹進部的底部的降低的上表面和圍繞所述至少一個凹
進部的升高的上表面，
其中所述第二面暴露下表面，
其特征在于，所述升高的上表面和所述下表面預先用碳化硅的層來涂覆。
4.根據權利要求3所述的襯托器，其中所述下表面全部地或僅在環形區中或僅在中心
區中用碳化硅的層來涂覆。
5.根據權利要求3或4所述的襯托器，其中在所述上表面上的所述碳化硅的層的厚度大
于在所述下表面上的所述碳化硅的層的厚度。
6.根據權利要求3或4或5所述的襯托器，其中所述降低的上表面用石墨的層來涂覆。
7.根據權利要求3或4或5所述的襯托器，其中所述降低的上表面用碳化鉭的層來涂覆。
8.根據前述權利要求1至7中任一項所述的襯托器，其中所述降低的上表面是粗糙的或
高低不平的或有凸邊的。
9.根據權利要求1或2所述的用于外延生長的反應器的襯托器，由具有第一面和第二面
的由石墨制成的圓盤形主體組成，
其中所述第一面包括適于接收將經受外延生長的基底的至少一個圓形凸起，據此所述
第一面暴露對應于所述至少一個凸起的頂部的升高的上表面和圍繞所述至少一個凸起的
降低的上表面，
其中所述第二面暴露下表面，
其特征在于，所述升高的上表面和所述下表面預先用碳化硅的層來涂覆。
10.根據權利要求9所述的襯托器，其中所述下表面全部地或僅在環形區中或僅在中心<...
【專利技術屬性】
技術研發人員：弗朗西斯科·科里亞，D·克里帕，勞拉·戈博，M·毛切里，溫森佐·奧格里阿里，弗蘭科·佩雷蒂，馬爾科·普利西，卡爾梅洛·韋基奧，
申請(專利權)人：LPE公司，
類型：發明
國別省市：意大利;IT
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