用于鑄造多晶硅漏硅快速報(bào)警的坩堝墊板制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及的一種用于鑄造多晶硅漏硅快速報(bào)警的坩堝墊板，它包括坩堝墊板本體（3），其特征在于所述坩堝墊板本體（3）的表面設(shè)置有環(huán)形連接的四道第一導(dǎo)流槽（1），所述坩堝墊板本體（3）上從每道第一導(dǎo)流槽（1）上向外側(cè)開設(shè)有多道第二導(dǎo)流槽（2）至坩堝墊板本體（3）外邊緣。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種用于鑄造多晶硅漏硅快速報(bào)警的坩堝墊板。屬于多晶硅制造領(lǐng)域。
技術(shù)介紹
不可再生能源的不斷減少，使得可再生能源越來越受到廣泛的關(guān)注，風(fēng)能，水能等可再生能源受到地理位置、氣候等條件的極大影響，太陽(yáng)能的利用成為了可再生資源利用的主力軍。在鑄造多晶硅生產(chǎn)過程中，不可避免的會(huì)因坩堝強(qiáng)度、坩堝運(yùn)輸過程磕碰、硅料密度過大等原因而出現(xiàn)漏硅事故。現(xiàn)有漏硅報(bào)警機(jī)制為硅液毫無引導(dǎo)地沿著光滑平整的坩堝墊板流動(dòng)，在重力作用下，落在下方石墨碳?xì)稚希細(xì)置窟呏挥?-4個(gè)溢流孔，很難保證硅液第一時(shí)間即落入溢流孔中，報(bào)警通常較為滯后，因報(bào)警滯后未能第一時(shí)間采取急冷措施，往往造成爐臺(tái)熱場(chǎng)尤其是DS塊以下部件全部損毀，甚至有漏穿下爐體，造成爆炸傷人的重大安全事故發(fā)生，給生產(chǎn)企業(yè)造成大量經(jīng)濟(jì)損失。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于克服上述不足，提供一種能夠快速報(bào)警的用于鑄造多晶硅漏硅快速報(bào)警的坩堝墊板。本技術(shù)的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種用于鑄造多晶硅漏硅快速報(bào)警的坩堝墊板，它包括坩堝墊板本體，所述坩堝墊板本體的表面設(shè)置有環(huán)形連接的四道第一導(dǎo)流槽，所述坩堝墊板本體上從每道第一導(dǎo)流槽上向外側(cè)開設(shè)有多道第二導(dǎo)流槽至坩堝墊板本體外邊緣。所述第一導(dǎo)流槽距離坩堝墊板本體的邊緣5~30mm。所述第一導(dǎo)流槽的寬度為5~10mm，所述第一導(dǎo)流槽的深度為5~10mm。所述第二導(dǎo)流槽的寬度為3~10mm，所述第二導(dǎo)流槽的深度為5~10mm。第一導(dǎo)流槽在每個(gè)第二導(dǎo)流槽相應(yīng)處為最低點(diǎn)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)的有益效果是：本技術(shù)用于鑄造多晶硅漏硅快速報(bào)警的坩堝墊板能夠快速報(bào)警，從而能夠保證安全，減少損失。附圖說明圖1為本技術(shù)的俯視圖。圖2為本技術(shù)的側(cè)視圖。圖3為本技術(shù)的實(shí)施例1示意圖。圖4為本技術(shù)的實(shí)施例2示意圖。圖5為本技術(shù)的實(shí)施例3示意圖。其中：第一導(dǎo)流槽1第二導(dǎo)流槽2坩堝墊板本體3。具體實(shí)施方式參見圖1~圖2，本技術(shù)涉及的一種用于鑄造多晶硅漏硅快速報(bào)警的坩堝墊板，它包括坩堝墊板本體3，所述坩堝墊板本體3的表面設(shè)置有環(huán)形連接的四道第一導(dǎo)流槽1，所述第一導(dǎo)流槽1距離坩堝墊板本體3的邊緣5~30mm，所述第一導(dǎo)流槽1的寬度為5~10mm，所述第一導(dǎo)流槽1的深度為5~10mm，所述坩堝墊板本體3上從每道第一導(dǎo)流槽1上向外側(cè)開設(shè)有多道第二導(dǎo)流槽2至坩堝墊板本體3外邊緣，所述第二導(dǎo)流槽2的寬度為3~10mm，所述第二導(dǎo)流槽2的深度為5~10mm。第一導(dǎo)流槽1在每個(gè)第二導(dǎo)流槽2相應(yīng)處為最低點(diǎn)，這樣就可以保證硅液經(jīng)第一導(dǎo)流槽1第一時(shí)間從第二導(dǎo)流槽2流至距漏硅點(diǎn)最近的溢流孔，進(jìn)而熔斷溢流線觸發(fā)報(bào)警，從而有效解決了硅液在現(xiàn)有坩堝墊板上毫無導(dǎo)流嚴(yán)重滯后報(bào)警的問題。實(shí)施例1：參見圖3，坩堝墊板本體厚度H為40mm，第一導(dǎo)流槽1的截面形狀為弧形，第一導(dǎo)流槽1外側(cè)距離坩堝墊板本體邊緣L=30mm，寬度W=10mm，對(duì)應(yīng)溢流孔處深度h=5mm，對(duì)應(yīng)溢流孔與溢流孔中心位置深度為1mm，第二導(dǎo)流槽2截面形狀為弧形，寬度10mm，深度5mm，長(zhǎng)度為30mm；實(shí)施例2：參見圖4，坩堝墊板本體厚度H為40mm，第一導(dǎo)流槽1的截面形狀為倒梯形，第一導(dǎo)流槽1外側(cè)距離坩堝墊板本體邊緣L=20mm，寬度W=8mm，對(duì)應(yīng)溢流孔處深度h=8mm，對(duì)應(yīng)溢流孔與溢流孔中心位置深度為3mm，第二導(dǎo)流槽2截面形狀為倒梯形，寬度8mm，深度8mm，長(zhǎng)度20mm；實(shí)施例3：參見圖5，坩堝墊板本體厚度H為40mm，導(dǎo)流槽1的截面形狀為倒三角形，第一導(dǎo)流槽1外側(cè)距離坩堝墊板本體邊緣L=5mm，寬度W=5mm，對(duì)應(yīng)溢流孔處深度h=10mm，對(duì)應(yīng)溢流孔與溢流孔中心位置深度為5mm，第二導(dǎo)流槽2截面形狀為倒三角形，寬度5mm，深度10mm，長(zhǎng)度7mm。以下是三個(gè)實(shí)施例在漏硅發(fā)生后漏硅重量及熱場(chǎng)經(jīng)濟(jì)損失對(duì)比：原墊板損失為近兩年來平均損失，實(shí)施例損失為實(shí)驗(yàn)墊板平均損失。下表為漏硅經(jīng)濟(jì)損失對(duì)比組別報(bào)警位置漏硅重量熱場(chǎng)損失直接損失實(shí)施例1距漏硅點(diǎn)最近10.5kg一根溢流線1680元實(shí)施例2距漏硅點(diǎn)最近15.6kg一根溢流線2496元實(shí)施例3距漏硅點(diǎn)最近22.3kg一根溢流線3568元原墊板不確定110.5kgDS下方熱場(chǎng)57680元本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種用于鑄造多晶硅漏硅快速報(bào)警的坩堝墊板，它包括坩堝墊板本體（3），其特征在于所述坩堝墊板本體（3）的表面設(shè)置有環(huán)形連接的四道第一導(dǎo)流槽（1），所述坩堝墊板本體（3）上從每道第一導(dǎo)流槽（1）上向外側(cè)開設(shè)有多道第二導(dǎo)流槽（2）至坩堝墊板本體（3）外邊緣。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于鑄造多晶硅漏硅快速報(bào)警的坩堝墊板，它包括坩堝墊板本體（3），其特征在于所述坩堝墊板本體（3）的表面設(shè)置有環(huán)形連接的四道第一導(dǎo)流槽（1），所述坩堝墊板本體（3）上從每道第一導(dǎo)流槽（1）上向外側(cè)開設(shè)有多道第二導(dǎo)流槽（2）至坩堝墊板本體（3）外邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于鑄造多晶硅漏硅快速報(bào)警的坩堝墊板，其特征在于所述第一導(dǎo)流槽（1）距離坩堝墊板本體（3）的邊緣5~30mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于鑄造...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：紀(jì)東方，郭寬新，韋家庚，朱慶龍，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：海潤(rùn)光伏科技股份有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：江蘇;32