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    應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置制造方法及圖紙

    技術編號:14811443 閱讀:166 留言:0更新日期:2017-03-15 03:01
    本發明專利技術揭示了應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置,包括陶瓷封接電極和金屬蒸發主體,其中,金屬蒸發主體包括由復數支撐絲桿貫穿至少三片氧化鋁陶瓷片形成的主體支架,主體支架外套有陶瓷管,其一氧化鋁陶瓷片上貫穿設置有電極柱,另一氧化鋁陶瓷片設置坩堝,加熱絲纏繞相鄰兩氧化鋁陶瓷片之間,并且加熱絲軸向圍繞坩堝的外壁,陶瓷封接電極與電極柱相導通連接。本發明專利技術采用鉭加熱絲或鎢加熱絲作為加熱介質,可以達到較高溫度,加熱速度快,耗能低;增設了熱電偶,能在加熱過程中直觀的監測溫度,有利于控制材料的蒸發;坩堝內蒸發材料與加熱絲無接觸,增加了使用壽命;具有鉭箔層,起到保溫隔溫的作用,降低加熱過程中的熱能損耗。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及一種應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置,尤其涉及一種應用于蒸發鍍膜的低功耗金屬蒸發裝置。
    技術介紹
    真空熱蒸發鍍膜在有機EL(ElectroLuminescence)電致發光,有機太陽能電池,金屬電極,食品包裝等行業被廣泛應用,以及相應薄膜器件的產業化中應用也非常廣泛,其基本原理是利用加熱的手段使源受熱蒸發,由固相/液相變成氣相,然后氣體分子或原子在蒸發源與基板(襯底)之間輸運,最后蒸發的分子或原子在基板(襯底)上沉積,形成所需要的薄膜。傳統的真空熱蒸發鍍膜裝置采用金屬片作為金屬蒸發源,耗能大,加熱慢,且金屬片與蒸發材料存在接觸,降低了真空熱蒸發鍍膜裝置的使用壽命,且加熱過程中,沒有相關的溫度監控。
    技術實現思路
    本專利技術的目的是解決上述現有技術的不足,提供一種應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置。為了達到上述目的,本專利技術所采用的技術方案為:應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置,其特征在于:包括陶瓷封接電極和金屬蒸發主體,其中,所述金屬蒸發主體包括陶瓷管、坩堝、加熱絲和主體支架,三片氧化鋁陶瓷片和復數支撐絲桿,所述主體支架由復數支撐絲桿分別貫穿至少三片氧化鋁陶瓷片組成,支撐絲桿與氧化鋁陶瓷片之間相對固定,相鄰氧化鋁陶瓷片之間留有間隙,所述陶瓷管套設與所述主體支架上,并且限位于主體支架的兩側氧化鋁陶瓷片之間,所述主體支架的一側氧化鋁陶瓷片上貫穿設置有電極柱,另一側氧化鋁陶瓷片上開設有裝載所述坩堝的槽孔,所述坩堝設置于所述槽孔內,并且坩堝的敞口朝外,所述加熱絲軸向穿接繞置于裝載坩堝的氧化鋁陶瓷片及與其相鄰的氧化鋁陶瓷片之間,并且加熱絲圍繞所述坩堝的外壁,所述加熱絲的兩端分別與電極柱相導通連接,所述陶瓷封接電極與所述電極柱相導通連接。進一步地,所述陶瓷管與所述主體支架之間設置有鉭箔層。進一步地,所述金屬蒸發主體內設置有用于測量溫度的熱電偶,所述熱電偶與所述電極柱相導通連接,并且所述熱電偶的感溫點與所述加熱絲相鄰。進一步地,所述電極柱通過一連接套與所述熱電偶及加熱絲相導通連接。進一步地,所述熱電偶為S型熱電偶或鎢錸熱電偶。進一步地,所述裝載坩堝的氧化鋁陶瓷片的槽孔四周設置有用于穿接加熱絲的穿接孔,與所述裝載坩堝的氧化鋁陶瓷片相鄰的氧化鋁陶瓷片亦設置有用于穿接加熱絲的穿接孔,所述加熱絲沿穿接孔穿接于兩氧化鋁陶瓷片之間。進一步地,所述加熱絲至少包括鉭絲和鎢絲。進一步地,所述加熱絲的線徑為0.3~1mm。進一步地,所述鉭箔層的厚度為0.02~0.1mm,表面粗糙度優于Ra0.8。進一步地,所述支撐絲桿為鎢桿或鉬桿。本專利技術的有益效果主要體現在:1.采用鉭加熱絲或鎢加熱絲作為加熱介質,可以達到較高溫度,加熱速度快,效率高,耗能低;2.增設了熱電偶,能在加熱過程中直觀的監測溫度,有利于控制材料的蒸發;3.坩堝內蒸發材料與加熱絲無接觸,增加了使用壽命;4.具有鉭箔層,起到保溫隔溫的作用,降低加熱過程中的熱能損耗,進一步降低了能耗;5.陶瓷封接電極的接口為真空行業標準接口,易于安裝、更換、維護。附圖說明圖1是本專利技術應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置的結構示意圖;圖2是本專利技術應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置的截面結構示意圖。具體實施方式本專利技術提供應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置,具有低耗能的特點。以下結合附圖對本專利技術技術方案進行詳細描述,以使其更易于理解和掌握。如圖1和圖2所示,應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置,包括陶瓷封接電極1和金屬蒸發主體,其中,金屬蒸發主體包括陶瓷管2、坩堝3、加熱絲4和主體支架,主體支架由復數支撐絲桿6分別貫穿至少三片氧化鋁陶瓷片5組成,支撐絲桿6與氧化鋁陶瓷片5相對固定組成主體支架,具體的,由四根支撐絲桿和三個氧化鋁陶瓷片組成,并且支撐絲桿與氧化鋁陶瓷片之間分別由螺母夾緊固定,氧化鋁陶瓷片為圓形片狀,支撐絲桿為鎢桿或鉬桿,相鄰氧化鋁陶瓷片5之間留有間隙,陶瓷管2套設與主體支架上,并且限位于主體支架的兩側氧化鋁陶瓷片之間,其與氧化鋁陶瓷片形成金屬蒸發主體的加熱空間,陶瓷管由氧化鋁陶瓷加工而成,圓筒狀,厚度為1.2mm,對加熱絲的熱量起到隔離作用,防止熱能損失,將熱量集中在加熱絲區域,熱量利用率高。主體支架的一側氧化鋁陶瓷片上貫穿設置有電極柱7,具體的包括四根電極柱,其中兩根作為加熱絲4的供電,兩根作為熱電偶8的信號,另一側氧化鋁陶瓷片上開設有裝載坩堝的槽孔,坩堝3設置于槽孔內,并且坩堝3的敞口朝外,所謂的敞口朝外即是指坩堝的內腔暴露在外,敞口即為金屬蒸發的出口。加熱絲4軸向穿接繞置于裝載坩堝的氧化鋁陶瓷片及與其相鄰的氧化鋁陶瓷片之間,所謂的軸向為沿陶瓷管的軸線方向,即加熱絲的穿接方向與陶瓷管的軸線平行,細化的描述,裝載坩堝的氧化鋁陶瓷片的槽孔四周設置有用于穿接加熱絲的穿接孔,與裝載坩堝的氧化鋁陶瓷片相鄰的氧化鋁陶瓷片亦設置有用于穿接加熱絲的穿接孔,加熱絲沿穿接孔穿接于兩氧化鋁陶瓷片之間,并且加熱絲軸向圍繞坩堝3的外壁,加熱絲3的兩端分別與電極柱7相導通連接,優選的,電極柱可通過連接套10與加熱絲相連,具體的,連接套為圓柱狀,材料為不銹鋼或銅,中間加工孔用于穿放被連接件,側面加工螺絲孔,被連接件用緊釘螺絲通過螺絲孔固定,另外,加熱絲至少包括鉭絲和鎢絲,其加熱溫度在1800℃以上,超過了大多數金屬的熔點,適用范圍廣。加熱絲的線徑為0.3~1mm,便于繞制,同時保障了工作效率。通電后加熱,加熱電壓不超過24V,屬于安全電壓。陶瓷封接電極1與電極柱7相導通連接,陶瓷封接電極采用真空行業標準的KF25接口,接口材料為不銹鋼,其中包含四根銅電極,銅電極與KF25接口之間采用陶瓷管封接以絕緣,銅電極通過連接套與電極柱相連并固定,其中兩根作為加熱絲的供電,兩根作為熱電偶的信號,陶瓷封接電極的KF25接口可直接安裝到真空室上,通過O-ring密封。對本方案進行優化,陶瓷管與主體支架之間設置有鉭箔層9,鉭箔層9由薄鉭皮卷制成圓筒狀,對接處電焊到一起,套在主體支架上,并且其一端與裝接電極柱的氧化鋁陶瓷片相固定,另一端與裝設坩堝的氧化鋁陶瓷片平齊,鉭箔層的厚度為0.02~0.1mm,表面粗糙度優于Ra0.8,能夠對熱量有較好的反射作用。金屬蒸發主體內設置有用于測量溫度的熱電偶8,熱電偶8與電極柱7相導通連接,并且熱電偶的感溫點與加熱絲相鄰。通過熱電偶可以在加熱過程中直觀地測到溫度,有利于控制材料蒸發過程。優選電極柱通過一連接套與熱電偶相導通連接。優選的,熱電偶為S型熱電偶或鎢錸熱電偶。S型熱電偶的測溫范圍是0~1700℃,鎢錸熱電偶的測試溫度范圍是0~2300℃,其由兩根測溫線組成,一端熔焊到一起作為測溫點,靠近加熱絲,另外兩端與電極柱相連,用于將溫度信號引出。最后對本案中的坩堝進行細化描述,坩堝類似于燒杯形狀,容積約為1~2mL,優選采用BN材料制作,其帶有一個邊沿口,防止熔化后的金屬液外流。以下是采用本案與傳本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置,其特征在于:包括陶瓷封接電極和金屬蒸發主體,其中,所述金屬蒸發主體包括陶瓷管、坩堝、加熱絲和主體支架,三片氧化鋁陶瓷片和復數支撐絲桿,所述主體支架由復數支撐絲桿分別貫穿至少三片氧化鋁陶瓷片組成,支撐絲桿與氧化鋁陶瓷片之間相對固定,相鄰氧化鋁陶瓷片之間留有間隙,所述陶瓷管套設與所述主體支架上,并且限位于主體支架的兩側氧化鋁陶瓷片之間,所述主體支架的一側氧化鋁陶瓷片上貫穿設置有電極柱,另一側氧化鋁陶瓷片上開設有裝載所述坩堝的槽孔,所述坩堝設置于所述槽孔內,并且坩堝的敞口朝外,所述加熱絲軸向穿接繞置于裝載坩堝的氧化鋁陶瓷片及與其相鄰的氧化鋁陶瓷片之間,并且加熱絲圍繞所述坩堝的外壁,所述加熱絲的兩端分別與電極柱相導通連接,所述陶瓷封接電極與所述電極柱相導通連接。

    【技術特征摘要】
    1.應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置,其特征在于:包括陶瓷封接電極和金屬蒸發主體,
    其中,所述金屬蒸發主體包括陶瓷管、坩堝、加熱絲和主體支架,三片氧化鋁陶瓷片和復數支撐絲桿,
    所述主體支架由復數支撐絲桿分別貫穿至少三片氧化鋁陶瓷片組成,支撐絲桿與氧化鋁陶瓷片之間相對固定,相鄰氧化鋁陶瓷片之間留有間隙,
    所述陶瓷管套設與所述主體支架上,并且限位于主體支架的兩側氧化鋁陶瓷片之間,
    所述主體支架的一側氧化鋁陶瓷片上貫穿設置有電極柱,另一側氧化鋁陶瓷片上開設有裝載所述坩堝的槽孔,所述坩堝設置于所述槽孔內,并且坩堝的敞口朝外,
    所述加熱絲軸向穿接繞置于裝載坩堝的氧化鋁陶瓷片及與其相鄰的氧化鋁陶瓷片之間,并且加熱絲圍繞所述坩堝的外壁,所述加熱絲的兩端分別與電極柱相導通連接,
    所述陶瓷封接電極與所述電極柱相導通連接。
    2.根據權利要求1所述的應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置,其特征在于:所述陶瓷管與所述主體支架之間設置有鉭箔層。
    3.根據權利要求1所述的應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置,其特征在于:所述金屬蒸發主體內設置有用于測量溫度的熱電偶,所述熱電偶與所述電極柱相導通連接,并...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:廖良生武啟飛陳敏
    申請(專利權)人:蘇州方昇光電裝備技術有限公司
    類型:發明
    國別省市:江蘇;32

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