Nor Flash存儲器存儲內(nèi)容保護方法及裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術公開了一種Nor?Flash存儲器存儲內(nèi)容保護方法，包括步驟：在開機后，存儲器寫入數(shù)據(jù)前，讀取狀態(tài)寄存器的值，并比對讀取的值與設定的值；在讀取的值與設定的值不同時，寫入所述設定的值至狀態(tài)寄存器，以使存儲器的存儲陣列處于受保護狀態(tài)；在設定的值寫入狀態(tài)寄存器后，開啟主程序。本發(fā)明專利技術還公開一種Nor?Flash存儲器存儲內(nèi)容保護裝置。本發(fā)明專利技術使得存儲陣列的數(shù)據(jù)不被異常改寫，保證系統(tǒng)正常運行，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術涉及存儲
，尤其涉及NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護方法及裝置。
技術介紹
狀態(tài)寄存器值的設定是以特殊的指令來設定，但在嵌入式系統(tǒng)MCUGPO不足、/WP被上拉電路一直設為高電平，特別是在交流開關機或系統(tǒng)干擾比較大的時候，狀態(tài)寄存器正常寫操作的數(shù)據(jù)仍有可能出現(xiàn)被異常改寫的情況，導致狀態(tài)寄存器值的設定未能按照最初設計的設定方式來保護存儲陣列的數(shù)據(jù)內(nèi)容，系統(tǒng)運行異常。上述內(nèi)容僅用于輔助理解本專利技術的技術方案，并不代表承認上述內(nèi)容是現(xiàn)有技術。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術的主要目的在于提供一種NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護方法及裝置，旨在解決現(xiàn)有技術中狀態(tài)寄存器正常寫操作的數(shù)據(jù)出現(xiàn)被異常改寫的情況，導致狀態(tài)寄存器值的設定未能按照最初設計的設定方式來保護存儲陣列的數(shù)據(jù)內(nèi)容，系統(tǒng)運行異常的問題。為實現(xiàn)上述目的，本專利技術提供的一種NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護方法，包括步驟：在開機后，存儲器寫入數(shù)據(jù)前，讀取狀態(tài)寄存器的值，并比對讀取的值與設定的值；在讀取的值與設定的值不同時，寫入所述設定的值至狀態(tài)寄存器，以使存儲器的存儲陣列處于受保護狀態(tài)；在設定的值寫入狀態(tài)寄存器后，開啟主程序。優(yōu)選地，所述開啟主程序之后，還包括：在開啟主程序后，設定狀態(tài)寄存器的值，以解除對存儲器存儲陣列的保護；寫入數(shù)據(jù)至存儲陣列。優(yōu)選地，所述寫入數(shù)據(jù)至存儲陣列之后，還包括：在數(shù)據(jù)寫入完成后，修改狀態(tài)寄存器的值為設定的值，以保護存儲器的存儲陣列。優(yōu)選地，所述比對讀取的值與設定的值之后，還包括：在讀取的值與設定的值相同時，開啟主程序。優(yōu)選地，所述方法還包括：在偵測到關機指令時，讀取狀態(tài)寄存器的值，并比對讀取的值與設定的值；在讀取的值與設定的值不同時，寫入所述設定的值至狀態(tài)寄存器；在讀取的值與設定的值相同時，或在寫入設定的值至狀態(tài)寄存器后，執(zhí)行關機操作。此外，為實現(xiàn)上述目的，本專利技術還提供一種NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護裝置，包括：獲取模塊，用于在開機后，存儲器寫入數(shù)據(jù)前，讀取狀態(tài)寄存器的值；比對模塊，用于比對讀取的值與設定的值；寫入模塊，用于在讀取的值與設定的值不同時，寫入所述設定的值至狀態(tài)寄存器，以使存儲器的存儲陣列處于受保護狀態(tài)；開啟模塊，用于在設定的值寫入狀態(tài)寄存器后，開啟主程序。優(yōu)選地，所述裝置還包括：設定模塊，用于在開啟主程序后，設定狀態(tài)寄存器的值，以解除對存儲器存儲陣列的保護；所述寫入模塊，還用于寫入數(shù)據(jù)至存儲陣列。優(yōu)選地，所述設定模塊，還用于在數(shù)據(jù)寫入完成后，修改狀態(tài)寄存器的值為設定的值，以保護存儲器的存儲陣列。優(yōu)選地，所述開啟模塊，還用于在讀取的值與設定的值相同時，開啟主程序。優(yōu)選地，所述裝置還包括關機模塊，所述獲取模塊，還用于在偵測到關機指令時，讀取狀態(tài)寄存器的值；所述比對模塊，還用于比對讀取的值與設定的值；所述寫入模塊，還用于在讀取的值與設定的值不同時，寫入所述設定的值至狀態(tài)寄存器；所述關機模塊，用于在讀取的值與設定的值相同時，或在寫入設定的值至狀態(tài)寄存器后，執(zhí)行關機操作。本專利技術通過開機后，未寫入數(shù)據(jù)前，先確定和設定狀態(tài)寄存器的值，確保存儲器的存儲陣列處于寫保護狀態(tài)下才開啟主程序，有效防止在交流開機或系統(tǒng)干擾比較大的時候，狀態(tài)寄存器正常寫操作的數(shù)據(jù)出現(xiàn)被異常改寫的情況，使得狀態(tài)寄存器的設定按照最初設計的設定方式來保護存儲陣列的數(shù)據(jù)內(nèi)容，進而使得存儲陣列的數(shù)據(jù)不被異常改寫，保證系統(tǒng)正常運行，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。附圖說明圖1為本專利技術NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護方法的第一實施例的流程示意圖；圖2為本專利技術一實施例中NorFlash內(nèi)部架構示意圖；圖3為本專利技術一實施例中狀態(tài)寄存器的設定示意圖；圖4為本專利技術一實施例中狀態(tài)寄存器自身數(shù)據(jù)內(nèi)容的保護方式的示意圖；圖5為本專利技術NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護方法的第二實施例的流程示意圖；圖6為本專利技術NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護的第三實施例的流程示意圖；圖7為本專利技術NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護一實施例中寫入狀態(tài)寄存器的值的流程示意圖；圖8為本專利技術NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護裝置的第一實施例的功能模塊示意圖；圖9為本專利技術NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護裝置的第二實施例的功能模塊示意圖；圖10為本專利技術NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護裝置的第三實施例的功能模塊示意圖。本專利技術目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。具體實施方式應當理解，下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。參照圖1，圖1為本專利技術NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護的第一實施例的流程示意圖。在一實施例中，所述NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護方法包括：步驟S10，在開機后，存儲器寫入數(shù)據(jù)前，讀取狀態(tài)寄存器的值，并比對讀取的值與設定的值；在本實施例中，在每次開機后(執(zhí)行開機指令進行開機操作后)，還未開始寫操作(寫入數(shù)據(jù))前，對狀態(tài)寄存器的設定值進行確認和設定，讀取狀態(tài)寄存器的值，并比對讀取的狀態(tài)寄存器的值與設定的值比對，以確定狀態(tài)寄存器的狀態(tài)進而確定存儲器存儲陣列的狀態(tài)。所述設定的值為提前設置，通過將讀取的狀態(tài)寄存器的值與設定的值比對，來判斷存儲器的存儲陣列當前是否處于受保護狀態(tài)，在讀取的值與設定的值不同時，存儲器的存儲陣列處于未受保護狀態(tài)，存儲陣列可寫；在讀取的值與設定的值相同時，存儲器的存儲陣列處于受保護狀態(tài)，存儲陣列不可寫。具體的，存儲器以NorFlash(非易失存儲器的一種)為例，NorFlash內(nèi)部架構圖示意如圖2，其中：1)/WP引腳為受外部硬件控制的寫保護引腳，一般受嵌入式系統(tǒng)MCU微控制單元的GPO組策略對象口控制；2)StatusRegister為狀態(tài)寄存器，在數(shù)據(jù)內(nèi)容保護方面的作用為設定狀態(tài)寄存器本身的保護方式和存儲陣列的保護方式，即整個Flash的數(shù)據(jù)內(nèi)容保護設定主要在于狀態(tài)寄存器的設定；狀態(tài)寄存器包含兩個8bit的狀態(tài)寄存器1和狀態(tài)寄存器2，如圖3所示，其中：①S6、S5、S4、S3、S2位的設定值決定了存儲陣列的數(shù)據(jù)內(nèi)容是否受保護及受保護的方式；②S8、S7位的設定值和/WP硬件寫保護腳的組合狀態(tài)決定了狀態(tài)寄存器自身數(shù)據(jù)內(nèi)容的保護方式，具體如圖4所示。對于嵌入式系統(tǒng)應用來說，F(xiàn)lash內(nèi)存儲陣列存儲著需經(jīng)常改寫的用戶數(shù)據(jù)(如電視機用戶設定的音量值)或系統(tǒng)狀態(tài)數(shù)據(jù)(如待機狀態(tài))等，為了確保狀態(tài)寄存器的設定值能按最初設計的設定方式保護存儲整列數(shù)據(jù)內(nèi)容，也為了使狀態(tài)寄存器的數(shù)據(jù)內(nèi)容能受保護并具備可被按需求改寫的靈活性，狀態(tài)寄存器的受保護方式一般選用圖3所示的組合2和組合3的硬件保護方式，針對這種保護方式可以總結為：/WP引腳用于保護狀態(tài)寄存器的數(shù)據(jù)內(nèi)容；狀態(tài)寄存器設定的數(shù)據(jù)內(nèi)容用于保護存儲陣列的數(shù)據(jù)內(nèi)容。步驟S20，在讀取的值與設定的值不同時，寫入所述設定的值至狀態(tài)寄存器，以使存儲器的存儲陣列處于受保護狀態(tài)；在讀取的值與設定的值不同時，說明存儲器的存儲陣列不受保護，可以改寫，即，可以通過擦除已寫入數(shù)據(jù)再重新寫入新的數(shù)據(jù)，此時本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種Nor?Flash存儲器存儲內(nèi)容保護方法，其特征在于，包括步驟：在開機后，存儲器寫入數(shù)據(jù)前，讀取狀態(tài)寄存器的值，并比對讀取的值與設定的值；在讀取的值與設定的值不同時，寫入所述設定的值至狀態(tài)寄存器，以使存儲器的存儲陣列處于受保護狀態(tài)；在設定的值寫入狀態(tài)寄存器后，開啟主程序。

【技術特征摘要】
1.一種NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護方法，其特征在于，包括步驟：在開機后，存儲器寫入數(shù)據(jù)前，讀取狀態(tài)寄存器的值，并比對讀取的值與設定的值；在讀取的值與設定的值不同時，寫入所述設定的值至狀態(tài)寄存器，以使存儲器的存儲陣列處于受保護狀態(tài)；在設定的值寫入狀態(tài)寄存器后，開啟主程序。2.如權利要求1所述的NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護方法，其特征在于，所述開啟主程序之后，還包括：在開啟主程序后，設定狀態(tài)寄存器的值，以解除對存儲器存儲陣列的保護；寫入數(shù)據(jù)至存儲陣列。3.如權利要求2所述的NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護方法，其特征在于，所述寫入數(shù)據(jù)至存儲陣列之后，還包括：在數(shù)據(jù)寫入完成后，修改狀態(tài)寄存器的值為設定的值，以保護存儲器的存儲陣列。4.如權利要求1所述的NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護方法，其特征在于，所述比對讀取的值與設定的值之后，還包括：在讀取的值與設定的值相同時，開啟主程序。5.如權利要求1至4任一項所述的NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護方法，其特征在于，所述方法還包括：在偵測到關機指令時，讀取狀態(tài)寄存器的值，并比對讀取的值與設定的值；在讀取的值與設定的值不同時，寫入所述設定的值至狀態(tài)寄存器；在讀取的值與設定的值相同時，或在寫入設定的值至狀態(tài)寄存器后，執(zhí)行關機操作。6.一種NorFlash存儲器存儲內(nèi)容保護裝置，其特征在于，...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：吳有肇，
申請(專利權)人：深圳TCL數(shù)字技術有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東;44