【技術實現步驟摘要】
本技術涉及晶體生產領域,具體涉及到一種新型低溫晶體生長爐。
技術介紹
晶體生成的一般過程是先生成晶核,而后再逐漸長大,一般認為晶體從液相或氣相中的生長有三個階段:①介質達到過飽和、過冷卻階段;②成核階段;③生長階段,其原理基于物種晶相化學勢與該物種在相關物相中化學勢間準平衡關系的合理維持。如在溶液中的晶體生長要求在平衡溶解度附近溶質有一定適宜的過飽和度。晶體生長方法是多樣的,如水熱法生長人工水晶,區域熔融法生長硅、鍺單晶、氫氧焰熔融法生長軸承用寶石,航天失重法培養晶體以及升華法,同質或異質外延生長法等。現有的晶體生長爐多種多樣,適用于不同晶體的生長,但是現有的生長爐多為固定式放置,難以移動,缺乏靈活性,晶體生長爐對環境的要求較高,可能常需移動位置,現有的生長爐難以滿足要求。
技術實現思路
基于以上背景,本技術提供了一種新型低溫晶體生長爐,具有很好的靈活性能。為了實現以上技術效果,現采用以下技術方案:一種新型低溫晶體生長爐,包括加熱結晶裝置、升降裝置和機架,所述升降裝置設置在加熱結晶裝置正下方,所述加熱結晶裝置與升降裝置均設置在機架上,所述機架包括一支撐板以及設置在支撐板底部四角的支撐桿,所述支撐桿的底部之間垂直的設置有固定桿,所述固定桿與支撐桿相連接處設置有移動支撐裝置,所述移動支撐裝置包括一固定軸、可繞該固定軸旋轉的轉軸、設置在轉軸底部的滾輪以及設置在滾輪背面的支撐件。本技術提供一種新型低溫晶體生長爐,優選地,所述固定桿設置有三根,三根所述固定桿構成一個“凵”字形的形狀。本技術提供一種新型低溫晶體生長爐,優選地,所述加熱結晶裝置包括上下兩側的電阻加熱段和設置在 ...
【技術保護點】
一種新型低溫晶體生長爐,包括加熱結晶裝置(1)、升降裝置(2)和機架(3),所述升降裝置(2)設置在加熱結晶裝置(1)正下方,所述加熱結晶裝置(1)與升降裝置(2)均設置在機架(3)上,其特征在于,所述機架(3)包括一支撐板(31)以及設置在支撐板(31)底部四角的支撐桿(32),所述支撐桿(32)的底部之間垂直的設置有固定桿(33),所述固定桿(33)與支撐桿(32)相連接處設置有移動支撐裝置(4),所述移動支撐裝置(4)包括一固定軸(41)、可繞該固定軸旋轉的轉軸(42)、設置在轉軸(42)底部的滾輪(43)以及設置在滾輪(43)背面的支撐件(44),所述固定軸(41)設置在凹槽(10)內,所述轉軸(42)可繞固定軸(41)在凹槽(10)內完成90度的翻折,所述滾輪(43)與轉軸(42)垂直連接,所述滾輪(43)可繞轉軸(42)在平面上進行360度的旋轉,所述滾輪(43)外側設置有防護殼(45),所述支撐件(44)設置在該防護殼(45)上,所述支撐件(44)整體呈圓柱狀,所述支撐件(44)的端面處設置有圓角(46)。
【技術特征摘要】
1.一種新型低溫晶體生長爐,包括加熱結晶裝置(1)、升降裝置(2)和機架(3),所述升降裝置(2)設置在加熱結晶裝置(1)正下方,所述加熱結晶裝置(1)與升降裝置(2)均設置在機架(3)上,其特征在于,所述機架(3)包括一支撐板(31)以及設置在支撐板(31)底部四角的支撐桿(32),所述支撐桿(32)的底部之間垂直的設置有固定桿(33),所述固定桿(33)與支撐桿(32)相連接處設置有移動支撐裝置(4),所述移動支撐裝置(4)包括一固定軸(41)、可繞該固定軸旋轉的轉軸(42)、設置在轉軸(42)底部的滾輪(43)以及設置在滾輪(43)背面的支撐件(44),所述固定軸(41)設置在凹槽(10)內,所述轉軸(42)可繞固定軸(41)在凹槽(10)內完成90度的翻折,所述滾輪...
【專利技術屬性】
技術研發人員:孫礦,徐煒,
申請(專利權)人:浙江晨華科技有限公司,
類型:新型
國別省市:浙江;33
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