【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及高壓變頻器功率單元綜合檢測,特別是針對級聯式高壓變頻器功率單元的整流二極管、直流支撐電容、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)等關鍵器件的耐壓性能及動態性能的考察等,也可實現對風電變流器進行相關試驗。
技術介紹
目前,基于節能減排及工藝的考慮,高壓變頻器廣泛應用電力、冶金、石化等行業。高壓變頻器的可靠性在電力等行業的生產過程中起著關鍵的作用,但是針對高壓變頻器缺乏行之有效的預防性試驗手段。經常的做法是常規的定期維護,這樣不能及時發現高壓變頻器的早期故障,往往是等變頻器故障停機后,再由廠家來進行維修。因此,其改進和創新勢在必行。
技術實現思路
針對上述情況,為克服現有技術之缺陷,本專利技術之目的就是提供一種便攜式高壓變頻器功率單元綜合檢測裝置,可有效解決級聯式高壓變頻器功率單元的整流二極管、直流支撐電容、IGBT等關鍵器件進行耐壓試驗;測試直流支撐電容的泄露電流;在線動態改變開關頻率考察IGBT器件的開通關斷動態特性,有效的發現高壓變頻器開關器件的早期問題以及功率單元的絕緣問題。本專利技術解決的技術方案是,一種便攜式高壓變頻器功率單元綜合檢測裝置,該檢測裝置包括殼體和裝在殼體內的斷路器、電抗器和DSP主控板,殼體上分別設置有觸摸屏HMI、控制按鈕、驅動脈沖輸出端口、待測功率單元直流側電壓輸入端口、待測功率單元直流側電流及泄漏電流信號輸入端、儀器輸出接口和儀器電源輸入接口;所述的觸摸屏HMI與DSP主控板相連,用于人機交互設置耐壓電壓數值、顯示交流輸入電壓、交流輸入電流、直流泄露電流參數以及報警顯示;所述的控制按鈕的輸出端與DSP主控板的輸入端相連,用于 ...
【技術保護點】
一種便攜式高壓變頻器功率單元綜合檢測裝置,其特征在于,該檢測裝置包括殼體和裝在殼體內的斷路器(1)、電抗器(4)和DSP主控板(5),殼體上分別設置有觸摸屏HMI(3)、控制按鈕(6)、驅動脈沖輸出端口(7)、待測功率單元直流側電壓輸入端口(8)、待測功率單元直流側電流及泄漏電流信號輸入端(9)、儀器輸出接口(10)和儀器電源輸入接口(11);所述的觸摸屏HMI(3)與DSP主控板(5)相連,用于人機交互設置耐壓電壓數值、顯示交流輸入電壓、交流輸入電流、直流泄露電流參數以及報警顯示;所述的控制按鈕(6)的輸出端與DSP主控板(5)的輸入端相連,用于控制儀器的工作狀態;所述的驅動脈沖輸出端口(7)的輸入端與DSP主控板(5)的輸出端相連,用于驅動待檢測的高壓變頻器功率單元輸出級IGBT;所述的待測功率單元直流側電壓輸入端口(8)的輸出端與DSP主控板(5)的輸入端相連,用于輸入待檢測功率單元直流側電壓信號;所述的待測功率單元直流側電流及泄漏電流信號輸入端(9)的輸出端與DSP主控板(5)的輸入端相連,用于輸入待測功率單元直流側電流及泄漏電流信號;所述的儀器電源輸入接口(11)的輸出端與D ...
【技術特征摘要】
1.一種便攜式高壓變頻器功率單元綜合檢測裝置,其特征在于,該檢測裝置包括殼體和裝在殼體內的斷路器(1)、電抗器(4)和DSP主控板(5),殼體上分別設置有觸摸屏HMI(3)、控制按鈕(6)、驅動脈沖輸出端口(7)、待測功率單元直流側電壓輸入端口(8)、待測功率單元直流側電流及泄漏電流信號輸入端(9)、儀器輸出接口(10)和儀器電源輸入接口(11);所述的觸摸屏HMI(3)與DSP主控板(5)相連,用于人機交互設置耐壓電壓數值、顯示交流輸入電壓、交流輸入電流、直流泄露電流參數以及報警顯示;所述的控制按鈕(6)的輸出端與DSP主控板(5)的輸入端相連,用于控制儀器的工作狀態;所述的驅動脈沖輸出端口(7)的輸入端與DSP主控板(5)的輸出端相連,用于驅動待檢測的高壓變頻器功率單元輸出級IGBT;所述的待測功率單元直流側電壓輸入端口(8)的輸出端與DSP主控板(5)的輸入端相連,用于輸入待檢測功率單元直流側電壓信號;所述的待測功率單元直流側電流及泄漏電流信號輸入端(9)的輸出端與DSP主控板(5)的輸入端相連,用于輸入待測功率單元直流側電流及泄漏電流信號;所述的儀器電源輸入接口(11)的輸出端與DSP主控板(5)的電源輸入端相連,用于連接220V交流電源;所述的儀器輸出接口(10)有2個,其中一個與斷路器(1)的一端相連,另一個與儀器電源輸入接口(11)的零線接口相連,斷路器(1)的另一端與電抗器(4)的一端相連,電抗器(4)的另一端與儀器電源輸入接口(11)的相線接口相連。2.根據權利要求1所述的便攜式高壓變頻器功率單元綜合檢測裝置,其特征在于,所述的殼體上設置有與DSP主控板(5)的輸入端相連的通信接口(12),用于擴展功能。3.根據權利要求1所述的便攜式高壓變頻器功率單元綜合檢測裝置,其特征在于,所述的檢測裝置與高壓變頻器功率單元相連,高壓變頻器功率單元包括整流二極管D1、D2、D3、D4、D5、D6,電容C1、C2和絕緣柵雙極型晶體管VT1、VT2、VT3、VT4;整流二極管D1的負極分別接整流二極管D3的負極、整流二極管D5的負極、電容C1的一端和絕緣柵雙極型晶體管VT1的集電極,整流二極管D1的正極接整流二極管D4的負極,整流二極管D3的正極接整流二極管D6的負極,整流二極管D5的正極接整流二極管D2的負極,整流二極管D4的正極分別接整流二極管D6的正極、整流二極管D2的正極、電容C2的一端和絕緣柵雙極型晶體管VT2的發射極,電容C1的另一端接電容C2的另一端;絕緣柵雙極型晶體管VT1的集電極與絕緣柵雙極型晶體管VT3的集電極相連,發射極與絕緣柵雙極型晶體管VT2的集電極相連,絕緣柵雙極型晶體管VT2的發射極與絕緣柵雙極型晶體管VT4的發射極相連,絕緣柵雙極型晶體管VT4的集電極與絕緣柵雙極型晶體管VT3的發射極相連,構成高壓變頻器功率單元輸出級IGBTH橋;絕緣柵雙極型晶體管VT1發射極和絕緣柵雙極型晶體管VT2集電...
【專利技術屬性】
技術研發人員:付瑞清,韓金華,栗占偉,鄭豫生,岳嘯鳴,賈少華,
申請(專利權)人:中國大唐集團科學技術研究院有限公司華中分公司,
類型:發明
國別省市:河南;41
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